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国家自然科学基金(50471093)

作品数:10 被引量:15H指数:2
相关作者:于广华朱逢吾王立锦滕蛟杜中美更多>>
相关机构:北京科技大学中国科学院华南理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 8篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇多层膜
  • 3篇PT/C
  • 3篇N
  • 2篇晶格匹配
  • 2篇化学镀
  • 2篇交换偏置
  • 2篇PT
  • 2篇垂直磁各向异...
  • 2篇磁各向异性
  • 2篇O
  • 2篇SPACER
  • 1篇偏析
  • 1篇介质
  • 1篇记录介质
  • 1篇交换偏置场
  • 1篇交换耦合
  • 1篇矫顽力
  • 1篇隔离层
  • 1篇各向异性磁电...
  • 1篇非均匀退磁场

机构

  • 7篇北京科技大学
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 7篇于广华
  • 4篇朱逢吾
  • 3篇王立锦
  • 3篇滕蛟
  • 2篇李明华
  • 2篇王海成
  • 2篇杜中美
  • 1篇李宝河
  • 1篇曾德长
  • 1篇翟中海
  • 1篇柳忠元
  • 1篇赖武彦
  • 1篇吴杏芳
  • 1篇张睿
  • 1篇韩刚
  • 1篇金川
  • 1篇刘洋
  • 1篇张辉

传媒

  • 2篇功能材料
  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇Journa...
  • 1篇Acta M...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 5篇2006
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
非磁性金属隔离层Bi,Ag和Cu对多层膜性能的影响被引量:1
2006年
采用磁控溅射方法制备了Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta和Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜.通过X射线衍射研究了薄膜样品Ta/NiFe/Bi(Ag,Cu)/FeMn/Ta的织构.在NiFeⅠ/FeMn界面沉积大量的Cu也不会影响FeMn层的(111)织构.与此相反,在NiFeⅠ/FeMn界面沉积少量的Bi和Ag,FeMn层的织构就会受到破坏.研究发现,这与隔离层原子的晶体结构和晶格常数有关.在Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag,Cu)/NiFeⅡ/Ta多层膜中,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ和NiFeⅡ间的交换耦合场Hex1和Hex2相对于非磁金属隔离层Bi,Ag和Cu厚度的变化关系.实验结果表明,随着非磁金属隔离层厚度的增加,Hex1的大小基本不变,保持在10.35~11.15kA/m之间.交换偏置场Hex2随着Bi,Ag和Cu厚度的增加急剧下降并趋于平滑.当Bi,Ag和Cu的厚度分别为0.6,1.2和0.6nm时,交换偏置场Hex2下降为0.87,0.56和0.079kA/m.此后,随着隔离层厚度的增加交换偏置场Hex2基本不变.
李明华于广华朱逢吾曾德长赖武彦
关键词:晶格匹配
Pt/(Pt/Co)n/FeMn/Pt多层膜中Pt插层对交换偏置场的影响被引量:1
2007年
在具有垂直磁各向异性Pt/(Pt/Co)n/FeMn/Pt多层膜中的Co/FeMn界面插入极薄的Pt层时,其交换偏置场有明显提高。研究结果表明:由于在Co/FeMn界面存在界面反应,破坏了(Pt/Co)n多层膜中靠近FeMn层的Co层的垂直磁各向异性,导致垂直交换偏置场Hex减弱。当在(Pt/Co)n与FeMn界面之间插入Pt层时可以有效地阻止这一反应发生,从而提高了多层膜的垂直交换偏置场Hex。
张睿刘洋金川于广华
关键词:交换偏置场垂直磁各向异性
具有垂直各向异性(Pt/Co)_n/FeMn多层膜的交换偏置被引量:2
2006年
采用磁控溅射方法制备了以Pt为缓冲层和保护层的具有垂直各向异性(Pt/Co)n/FeMn多层膜.研究结果表明,多层膜的垂直交换偏置场Hex和反铁磁层厚度的关系与其具有平面各向异性的交换偏置场随反铁磁层厚度变化趋势相近.随着铁磁层调制周期数的增加,垂直交换偏置场Hex相应减小,并且与铁磁层的调制周期数近似成反比关系.(Pt/Co)3/FeMn的垂直交换偏置场Hex已经达到22·3kA/m.为了进一步提高Hex,在Co/FeMn的界面插入Pt层,当Pt层厚度为0·4nm时,Hex达到最大值39·8kA/m.
翟中海滕蛟李宝河王立锦于广华朱逢吾
关键词:交换偏置多层膜
非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响被引量:2
2007年
采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件。测量了NiFe元件的磁电阻效应。考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率。结果表明,理论和实验符合。
张辉滕蛟于广华吴杏芳朱逢吾
关键词:各向异性磁电阻非均匀退磁场
Ni-P底层对化学镀Co-P薄膜性能的影响被引量:2
2008年
采用化学镀工艺制备了Co-P磁记录薄膜,研究了非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的生长及性能的影响。研究结果表明:非晶无磁Ni-P底层对Co-P薄膜的晶体结构及取向无明显影响,镀态的Co-P薄膜均为密排六方结构,(100)(、002)、(101)的择优取向无明显变化;但非晶无磁的Ni-P底层可以提高薄膜的均匀性和一致性,表面无明显缺陷;细化晶粒,平均晶粒尺寸为100-150nm;提高Co-P薄膜的磁性能,矫顽力可达4.54×10^4A/m。当记录信号脉冲时,与铝基体上直接施镀相比,在Ni-P底层上的Co-P磁记录薄膜输出信号幅值均匀稳定,信噪比良好。
王海成杜中美王立锦滕蛟李明华于广华
关键词:化学镀CO-PNI-P
The influence of the nonmagnetic metal spacer Bi,Ag and Cu on the properties of the multilayer films
2006年
Ta/NiFe/Bi(Ag, Cu)/FeMn/Ta and Ta/ NiFeⅠ /FeMn/Bi(Ag, Cu)/NiFeⅡ/Ta films were prepared by magnetic sputtering. The texture of films was examined by X-ray diffraction (XRD). The depend-ence of the Hex1 between NiFeⅠ/FeMn films and the Hex2 between FeMn/NiFeⅡ on the Bi, Ag and Cu thickness was studied in Ta/NiFeⅠ/FeMn/Bi(Ag, Cu)/ NiFeⅡ/Ta. The experimental results show that the He1 ranged from 130 to 140 Oe with an increase in the nonmagnetic metal spacer thickness. The Hex2 de-creased dramatically and became flat finally with the increase of the Bi, Ag and Cu thickness. XPS results show that Bi, Ag and Cu atoms do not stay entirely at the interface of FeMn/NiFeⅡ film; they are at least partly segregated to the surface of NiFe film. The more Bi, Ag and Cu atoms are deposited, the more they are segregated at the NiFe layer.
LI MinghuaYU GuanghuaZHU FengwuLAI Wuyan
关键词:交换耦合晶格匹配表面偏析多层膜
具有垂直各向异性的Co/Pt多层膜中各Co层之间铁磁性耦合被引量:1
2006年
使用磁控溅射法制备了一系列具有不同Pt中间层厚度的glass/NiO(1nm)/[Co(0.4nm)/Pt(0.5nm)]3/Pt(xnm)/[Co(0.4nm)/Pt(0.5nm)]3样品并对Co层之间的铁磁性耦合强度进行了测量.整体磁滞回线和局部磁滞回线的测量结果表明,上下两层Co/Pt多层膜之间的铁磁性耦合强度随着Pt中间层厚度的增加单调减小,当Pt中间层厚度超过4nm时铁磁性耦合消失.除了上下两层Co/Pt多层膜之间通过Pt中间层产生的铁磁性耦合作用之外,它们之间也存在弱的次耦合作用,这导致底层出现宽的磁滞.
韩刚于广华柳忠元
关键词:垂直磁各向异性矫顽力磁滞回线
Perpendicular exchange bias of (Pt/Co)_n/FeMn multilayers
2007年
(Pt/Co)n/FeMn multilayers with perpendicular anisotropy (PA) were prepared by magnetron sputtering with Pt as the buffer layer and the capping layer. The dependence of perpendicular exchange bias (PEB), Hex, on the thickness of the FeMn anfiferromagnet (AFM) layer is similar to that of in-plane exchange bias. The value of Hex for the (Pt/Co)3/FeMn multilayer reaches 22.3 kA/m. A thin Pt spacer was inserted between the Co/FeMn interface to enhance PEB. The PEB reaches the largest at 39.8 kA/m when the thickness of the Pt spacer is 0.4 nm.
Zhonghai ZhaiYang liuJiao TengBaohe LiGuanghua YuFengwu Zhu
关键词:TEXTUREMULTILAYERS
INFLUENCE OF THE NONMAGNETIC METAL SPACER ON THE MAGNETIC PROPERTIES AND MICROSTRUCTURE OF THE MULTILAYER FILMS被引量:1
2006年
Ta / NiFe/Bi ( Ag, Cu )/FeMn/Ta and Ta / NiFe1/FeMn / Bi ( Ag, Cu )/NiFen/Ta films were prepared by magnetic sputtering. The texture and the dependences of the exchange-coupling field on the thickness of Bi, Ag, and Cu in Ta/NiFe/Bi(Ag, Cu) /FeMn/Ta and Ta/NiFe/FeMn/Bi(Ag, Cu)/NiFe/Ta films were studied. XPS results indicate that the Bi atoms migrated into the FeMn layer during the deposition process and a FeMnBi alloy was probably formed or the Bi atoms existed as an impurity in the FeMn layer in Ta/NiFe/Bi(Ag, Cu )/FeMn/Ta. Otherwise, in Ta/NiFe/FeMn/Bi (Ag, Cu)/NiFe/Ta films, Bi, Ag, and Cu atoms do not remain entirely at the interface of the FeMn/ NiFeⅡfilm, but at least partly segregate to the surface of the NiFe film.
M.H. LiG.H. YuF.W. ZhuH.W. JiangW.Y. Lai
化学镀Co-P薄膜的磁性及研究被引量:6
2007年
采用化学镀法制备了Co-P磁记录薄膜。当薄膜厚度为0.3μm时,矫顽力可达4.54×104A/m,剩余磁化强度为0.068T。X射线衍射分析表明,当Co-P薄膜较薄时,薄膜结构中无明显择优取向,晶粒较小,此时矫顽力较高;当厚度增加至3-4μm以上时,结构中择优取向明显,晶粒较大,此时薄膜的矫顽力较低。将其应用于磁旋转编码器的磁鼓记录介质,制成直径Φ40mm的磁鼓,当原始充磁磁极对数为512时,脉冲计数完整,输出信号强,波形稳定。
王海成杜中美王立锦于广华朱逢吾
关键词:化学镀磁鼓磁记录介质
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