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湖北省自然科学基金(2007ABA112)

作品数:4 被引量:9H指数:2
相关作者:胡作启王成伍双杰王庆谢子健更多>>
相关机构:华中科技大学更多>>
发文基金:湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇低温退火
  • 1篇电介质
  • 1篇梯度薄膜
  • 1篇体声波
  • 1篇体声波谐振器
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇退火
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇微波测量
  • 1篇温度稳定性
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇线扫描
  • 1篇谐振器
  • 1篇谐振腔
  • 1篇面粗糙度
  • 1篇介电

机构

  • 4篇华中科技大学

作者

  • 3篇胡作启
  • 2篇王庆
  • 2篇伍双杰
  • 2篇赵旭
  • 2篇王宇辉
  • 2篇谢子健
  • 2篇王成
  • 1篇李园园

传媒

  • 2篇华中科技大学...
  • 1篇材料导报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
BST组分梯度薄膜的性能研究
2012年
采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了上组分梯度、下组分梯度及单层BST薄膜,对比研究了三种结构BST薄膜的电、热性能。实验表明:下组分梯度BST薄膜的介电性能最优(优值因子为66.2),温度稳定性能最佳(在25~80℃范围内,介温变化率为7.8%)。此外,实验还运用X射线衍射仪、场发射电子扫描显微镜和透射电子显微镜对BST薄膜的晶体结构进行了研究,运用EDS能谱仪对BST薄膜的组分梯度进行了验证。
赵旭胡作启李园园谢子健王宇辉
关键词:梯度薄膜磁控溅射温度稳定性
用于FBAR的C轴取向AlN压电薄膜的研制被引量:4
2012年
用射频(RF)反应磁控溅射法,在硅基片上制备出了具有较低表面粗糙度、C轴择优取向的AlN压电薄膜.讨论了溅射功率对AlN压电薄膜结构和形貌的影响、氮气含量对AlN压电薄膜成分的影响以及低温退火对薄膜表面粗糙度的影响.XRD和SEM结果表明:随溅射功率增大,AlN压电薄膜C轴择优取向增强;当功率为350W时,AlN压电薄膜(002)面摇摆曲线半高宽为4.5°,薄膜表现出明显的柱状结构.EDS成分分析表明:随氮气含量的提高,AlN压电薄膜的元素比接近于化学计量比.低温退火工艺的引入将薄膜表面的均方根粗糙度由4.8nm降低到2.26nm.
胡作启王宇辉谢子健赵旭
关键词:薄膜体声波谐振器低温退火表面粗糙度
Mn、Li共掺ZnO稀磁半导体的制备与铁磁性研究被引量:1
2011年
采用固相陶瓷烧结法制备了Mn、Li共掺的ZnO稀磁半导体材料,实现了室温铁磁性。分别用XRD、XPS和VSM对各样品进行了结构测量和磁性能测量,分析了Mn、Li掺杂浓度对ZnO基稀磁半导体的影响。结果表明,在相同的外磁场下,随着Mn掺杂浓度的增加,陶瓷的磁化强度增大。但较高的Li掺杂浓度可能会形成更多填隙离子,减少空穴浓度,最终使材料的室温铁磁性变差。
王庆王成伍双杰
关键词:稀磁半导体固相反应法铁磁性
改进的谐振腔微扰法测定电介质X波段介电常数被引量:4
2010年
针对谐振腔微扰法对电介质材料介电性能进行测量时,要求测试过程满足微扰条件,即待测样品的介电常数或体积较小的情况,研究了谐振腔微扰法测试微波材料的原理,通过改变待测样品的体积及标定修正对应的微扰计算公式,使其满足对高介电常数材料的测量.对电介质块材与薄膜样品进行了测量,结果显示,谐振频率偏移小于100MHz,标定的计算公式精度较高.改进后的测量方法可以增大谐振腔微扰法的测量范围,适用于高介电常数陶瓷块材与薄膜的介电常数、介电损耗的微波频率测量.
胡作启伍双杰王成王庆
关键词:谐振腔介电常数微波测量钛酸锶钡
共1页<1>
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