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国家自然科学基金(61074168)

作品数:3 被引量:7H指数:2
相关作者:周勇雷冲雷剑杨晓虎夏鹏更多>>
相关机构:上海交通大学更多>>
发文基金:上海市基础研究重大(重点)项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇软磁
  • 1篇软磁材料
  • 1篇退火
  • 1篇退火热处理
  • 1篇曲折
  • 1篇巨磁阻
  • 1篇巨磁阻抗
  • 1篇高频
  • 1篇GMI
  • 1篇MEMS
  • 1篇MEMS薄膜
  • 1篇MEMS技术
  • 1篇磁材料
  • 1篇磁导
  • 1篇磁导率
  • 1篇磁导率测量
  • 1篇磁阻
  • 1篇磁阻抗

机构

  • 3篇上海交通大学

作者

  • 3篇周勇
  • 2篇雷冲
  • 2篇雷剑
  • 1篇向毅
  • 1篇陈磊
  • 1篇王韬
  • 1篇杨晓虎
  • 1篇蒋伟伟
  • 1篇夏鹏

传媒

  • 2篇磁性材料及器...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2011
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜巨磁阻抗效应研究被引量:2
2011年
采用微机电系统(MEMS)技术在玻璃基片上制备了曲折型三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在电流频率1~40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜的巨磁阻抗(GMI)效应,并分别通过改变FeNi薄膜的宽度、厚度和Cu薄膜的宽度,研究了尺寸对巨磁阻抗效应的影响。当磁场Ha施加在薄膜的纵轴时,巨磁阻抗变化率随磁场强度的增加而增大,在某一磁场强度下达到最大值,然后随磁场强度的增加而下降到负值。在电流频率为2 MHz,磁场强度为2 kA.m–1时,巨磁阻抗变化率达到最大值169.85%。
夏鹏陈磊雷剑王韬周勇
关键词:MEMSGMI
MEMS薄膜磁通门传感器的制作与特性被引量:4
2012年
首先论述了微型平面磁通门传感器的原理和结构,在此基础上,详细介绍了基于微机电机械加工技术(MEMS)的集成磁通门传感器探头的制作过程(包括溅射、电镀、光刻、反应离子刻蚀(RIE)等)。分别采用高磁导率、低矫顽力的Co基非晶合金带材以及坡莫合金作为磁心制成磁通门探头。测试结果表明,在40kHz激励频率下,带材磁心探头的工作范围为±75μT,而坡莫合金磁心探头为±60μT,灵敏度分别为31.07V/T和23.76V/T。结果基本可以满足地磁场±60μT的测量要求。
杨晓虎周勇雷冲
关键词:MEMS技术软磁材料
铁基软磁合金薄带高频磁导率测量方法研究被引量:1
2012年
给出一种铁基软磁合金薄带高频磁导率的测量方法,详细介绍了该方法的测量原理,并利用Agilent E4991A射频阻抗/材料分析仪研究了退火温度对20μm厚铁基软磁合金薄带高频磁导率的影响。结果表明,随退火温度的提高,磁导率实部单调提高,磁导率虚部则是先升高后降低。尤其是在550℃下退火,在1MHz和10MHz下样品磁导率实部分别为2210和330;比较了不同温度退火样品的磁导率的测量结果,得知550℃是一个比较理想的退火温度。研究结果对以铁基非晶、纳米晶软磁合金薄带为磁心的高频微电感、微变压器等磁性器件的设计具有重要的指导意义。
蒋伟伟雷剑周勇向毅雷冲
关键词:退火热处理
共1页<1>
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