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压力下应变纤锌矿有限厚势垒异质结中杂质态的结合能: 2010年; 对应变AlxGa1-xN/GaN单异质结构,考虑理想界面异质结有限厚势垒,引入简化相干势近似计入三元混晶效应,利用变分法对流体静压力下体系中杂质态的结合能作了数值计算,并讨论了不同垒厚、杂质位置及组分对结合能的影响,且与无限厚势垒情形作了比较.结果表明:当垒厚、组分较小且沟道层中杂质位置靠近界面时,有限厚势垒杂质态的结合能明显大于无限厚势垒情形.; 冯振宇班士良

闪锌矿GaN/Ga_xIn_(1-x)N应变异质结中电子-光学声子散射率: 2010年; 采用介电连续模型,计及晶格应变对材料物理参数的影响,利用费米黄金定则讨论闪锌矿GaN/GaxIn1-xN应变异质结中四支光学声子对电子的散射.计算结果表明,该异质结中对总散射率的贡献主要来自沟道材料的体纵光学声子;考虑电子吸收声子过程时,晶格应变对总散射率有较大影响.; 李永治班士良; 关键词：氮化物异质结光学声子

三元混晶双势垒结构中光学声子辅助共振隧穿及压力效应: 2012年; 采用连续介电模型,细致探讨了AlxGa1-xAs/GaAs双势垒结构中界面声子的色散关系及其与电子的耦合作用.进而采用Fermi黄金法则,在该结构的垒或阱为三元混晶材料时,分别计算了声子辅助隧穿电流密度.结果表明,在宽阱情形下,若垒为混晶材料,混晶效应不明显,只有一个明显的声子峰,该结论与实验符合较好;若阱为混晶材料,则混晶效应明显,具有两个声子峰,该结论对实验有指导意义.本文还讨论了压力对声子辅助共振隧穿的影响,结果显示:声子辅助隧穿峰和共振峰的峰值均随压力增加而减小,但声子辅助隧穿效应则随压力增加.; 朱金广班士良

纤锌矿氮化物量子阱中光学声子模的三元混晶效应被引量：3: 2010年; 本文先比较了几种常用方法(修正的无规元素等位移模型、虚晶近似和简化相干势近似等)对纤锌矿三元混晶体声子频率的拟合结果,再选用与实验数据接近的拟合方法,结合介电连续和单轴晶体模型导出含纤锌矿三元混晶InxGa1-xN和AlxGa1-xN单量子阱各类光学声子模的色散关系,进一步分析了声子模随组分的变化.结果表明,修正的无规元素等位移模型对单模性纤锌矿三元混晶体声子频率的拟合更接近实验数据.由于声子色散的各向异性,量子阱各类光学声子模随组分而发生变化,声子的局域模、界面模、半空间模以及传播模存在于特定组分和频率范围内,且同种声子模色散关系的形态也随组分而改变.; 屈媛班士良; 关键词：纤锌矿三元混晶光学声子模

纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子被引量：8: 2010年; 基于介电连续模型和Loudon单轴模型,采用转移矩阵法讨论纤锌矿AlN/GaN/InN/GaN/AlN量子阱的界面和局域光学声子模.结果表明在GaN阱区引入InN纳米凹槽使纤锌矿AlN/GaN/AlN量子阱的光学声子发生较大变化.对给定波矢,在不同的频率范围内,存在两种界面光学声子模和两种局域光学声子模.声子色散关系和静电势分布表现出较AlN/GaN/AlN单量子阱更为复杂的形态.; 屈媛班士良; 关键词：纤锌矿光学声子模

纤锌矿AlGaN/AlN/GaN异质结构中光学声子散射影响的电子迁移率被引量：4: 2012年; 对含有AlN插入层纤锌矿Al_xGa_(1-x)N/AlN/GaN异质结构,考虑有限厚势垒和导带弯曲的实际异质结势,同时计入自发极化和压电极化效应产生的内建电场作用,采用数值自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得二维电子气(2DEG)中电子的本征态和本征能级.依据介电连续模型和Loudon单轴晶体模型,用转移矩阵法分析该体系中可能存在的光学声子模及三元混晶效应.进一步,在室温下计及各种可能存在的光学声子散射,推广雷-丁平衡方程方法,讨论2DEG分布及二维电子迁移率的尺寸效应和三元混晶效应.结果显示:AlN插入层厚度和Al_xGa_(1-x)N势垒层中Al组分的增加均会增强GaN层中的内建电场强度,致使2DEG的分布更靠近异质结界面,使界面光学声子强于其他类型的光学声子对电子的散射作用而成为影响电子迁移率的主导因素.适当调整AlN插入层的厚度和A1组分,可获得较高的电子迁移率.; 杨福军班士良; 关键词：电子迁移率光学声子模

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内蒙古自治区自然科学基金(20080404Zd02)