黑龙江省科技攻关计划(GC04A107)
- 作品数：8 被引量：4H指数：1
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- 酞菁铜有机薄膜肖特基二极管的研制被引量：1
- 2010年
- 提出了一种基于有机半导体材料制作肖特基二极管的方法,通过真空气相沉积工艺依次将金属铝,酞菁铜和金属铜镀在玻璃基片上.在室温下测试该二极管的电流-电压(I-V)特性发现,其整流系数可达103.根据实验所得的电容-电压(C-V)的测试结果,得到该二极管的肖特基势垒高度在0.7V.
- 张健王东兴
- 关键词：薄膜二极管有机半导体气相沉积
- 栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响
- 2007年
- 用根据实际制作的有机静电感应晶体管(OSIT)建立物理模型,Matlab软件中的偏微分工具箱通过有限元法对有机静电感应晶体管特性进行解析,着重分析栅源距离对有机静电感应晶体管特性的影响,特别是沟道电势分布的影响.结果表明,调节栅源距离能有效控制沟道势垒高度,从而影响载流子的传输.
- 孙志远王东兴
- 关键词：有机静电感应晶体管有限元法电势分布
- ITO/CuPc/Alq_3/Al有机发光二极管的制备与特性测试
- 2009年
- 利用真空直流溅射和真空蒸镀的方法,制备了结构为ITO/CuPc/Alq3/Al结构的绿光双层有机发光二极管(OLED),对器件的电学特性和电致发光特性进行了测试.结果表明,器件呈现良好的光电性能,发光强度达到6.0×105cps,发光光谱在波长510nm时光谱相对强度为2641I/a.u.
- 张静王东兴施长丹张健
- 关键词：有机发光二极管光电特性
- 栅极长度变化对有机静电感应晶体管工作特性影响解析
- 2006年
- 根据实际制作的有机静电感应晶体管(OSIT)建立物理模型,选取相应的结构参数,应用有限元法,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析了栅极长度变化对OSIT工作特性的影响.
- 韩珍珍王东兴
- 关键词：有机静电感应晶体管有限元法电势分布
- 沟道宽度对有机静电感应三极管工作特性的影响
- 2007年
- 对于实际有机静电感应晶体管(Organic Static Induction Transistor,简称OSIT)器件,采用Marc有限元法建立物理模型,选取合适的结构参数,对OSIT导电沟道内的电势进行离散化数值分析.依据导电沟道内的电势分布,分析沟道宽度变化对OSIT工作特性的影响.在恒定栅压和漏压下,宽度的增大会使栅极对鞍部点控制能力减弱,沟道内势垒降低,从而导致工作电流的增大.该结论可为如何获取良好的OSIT输出特性提供依据.
- 袁巍王东兴
- 关键词：有机静电感应晶体管有限元法电势分布MARC
- 单极型有机静电感应三极管沟道纵向电势分析被引量：1
- 2005年
- 研究了单极型有机半导体酞菁铜静电感应三极管(OSIT)导电沟道内纵向电势分布． 依据电磁场理论,应用有限元法对其导电沟道内的电势分布进行了数值计算与解析．解析结果证 明,导电沟道内鞍部点附近纵向的一维电势分布满足二次方关系．
- 孟昱彭江波王东兴殷景华
- 关键词：OSIT有限元法有机半导体
- 酞菁铜有机静电感应三极管的研制被引量：2
- 2009年
- 采用真空蒸镀和磁控溅射等工艺,利用纯度为99.995%的有机材料酞菁铜(简称CuPc),试制了Cu/CuPc/Al/CuPc/Cu5层结构的有机静电感应三极管.在室温下测试栅极Al/CuPc的肖特基势垒特性,发现它具有良好的整流特性;通过对该三极管特性进行测试研究,结果表明,该三极管驱动电压低,呈不饱和I-V特性,且其工作特性依赖于铝栅极的电压.
- 施长丹王东兴张静张健
- 关键词：磁控溅射酞菁铜
- 喹啉铝/酞菁铜发光三极管的研制
- 2006年
- 研制了具有静电感应三极管结构的有机电致发光三极管,用有机半导体酞菁铜和有机发光材料喹啉铝蒸发膜为作用层,其结构为金/酞菁铜/铝/酞菁铜/喹啉铝/ITO透明电极/玻璃基板.测试了其基本电、光学特性.由测试结果可知,较低的栅极偏压可控制由源极注入到喹啉铝发光层的载流子.通过合理设计、控制制作梳状铝栅极结构,获得了高速、大电流驱动等良好工作特性.
- 朱敏宋明歆桂太龙王喧殷景华王东兴赵洪
- 关键词：有机半导体发光
