国家自然科学基金(50262001)
- 作品数：11 被引量：37H指数：3
- 相关作者：王华任明放任鸣放张云峰隋红林更多>>
- 相关机构：桂林电子科技大学桂林电子工业学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- La掺杂对BLT薄膜微观结构与性能的影响被引量：2
- 2006年
- 采用sol-gel工艺低温制备了Si基Bi4–xLaxTi3O12(BLT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,600～650℃退火处理的BLT薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦绿石相或其它杂相,薄膜为多晶生长;La掺杂量x在0.5～0.85的BLT薄膜介电与铁电性能优良,其εr和tanδ分别介于284～289和(1.57～1.63)×10–2,4V偏压下薄膜的漏电流密度低于10–8A/cm2,Pr可达(13.0～17.5)×10–6C/cm2,Ec低至(102.5～127.8)×103V/cm。
- 王华任鸣放
- 关键词：无机非金属材料铁电薄膜BLT微观结构
- Ag/Bi_4Ti_3O_(12)栅n沟道铁电场效应晶体管制备及存储特性被引量：2
- 2006年
- 在溶胶-凝胶工艺获得高质量Bi4Ti3O12薄膜的基础上,制备了Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管.研究了Si基Bi4Ti3O12薄膜的生长特性及其对铁电薄膜/硅的界面状态和铁电场效应晶体管存储特性的影响.研究表明,在合理的工艺条件下可以获得具有较高c-轴择优取向的纯钙钛矿相Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜并有利于改善Bi4Ti3O12/Si之间的界面特性;顺时针回滞的C-V特性曲线和C-T曲线表明Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有极化存储效应和一定的极化电荷保持能力;器件的转移(Isd-VG)特性曲线显示Ag/Bi4Ti3O12栅n沟道铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应.
- 王华任鸣放
- 关键词：铁电场效应晶体管BI4TI3O12溶胶-凝胶工艺
- LabVIEW下普通数据采集卡的驱动与调用被引量：12
- 2009年
- 在深入分析动态链接库特点的基础上,重点研究了在LabVIEW平台下调用动态链接库来驱动普通数据采集卡的方法。并以PCI8606多功能数据采集卡为例详细探讨了在LabVIEW中调用动态链接库的关键技术与步骤。
- 隋红林王华
- 关键词：虚拟仪器数据采集动态链接库
- 退火工艺对La-Nb共掺杂Bi4Ti3O12薄膜结构的影响被引量：1
- 2008年
- 采用sol-gel法制备了Si基Bi3.25La0.75Ti2.94Nb0.06O12.03(BLTN)铁电薄膜,研究了退火温度、升温速率和退火时间对BLTN薄膜微观结构的影响。结果表明:制备的BLTN薄膜具有单一的钙钛矿结构,且为随机取向,表面平整致密;退火温度由550℃升高到750℃时,薄膜的衍射峰强度增强,晶粒尺寸由65 nm增大到110 nm;退火升温速率由10℃/min提高为20℃/min时,薄膜的晶化程度降低;退火时间对薄膜的晶相结构影响不大,但时间超过30 min会造成薄膜表面孔洞增多、致密性下降。
- 张云峰王华任明放
- 关键词：无机非金属材料铁电薄膜退火温度升温速率退火时间
- SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)复合铁电薄膜的制备与特性研究
- 2007年
- 采用溶胶凝胶工艺在p-Si衬底上制备了SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合铁电薄膜.研究了SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合薄膜的微观结构与生长行为、铁电性能和疲劳特性.研究表明:Si衬底Bi4Ti3O12薄膜易于沿c轴择优生长,并有利于SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12复合薄膜的生长.合理的SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12厚度配比能获得较好的铁电性能和优良的抗疲劳特性,SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12厚度配比为1∶3的复合薄膜的剩余极化强度和矫顽电场分别为8.1μC/cm2和130kV/cm,其无疲劳极化开关次数达1011以上.
- 王华任明放
- 关键词：BI4TI3O12
- Si基Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与特性研究被引量：15
- 2004年
- 采用sol_gel工艺 ,在分层快速退火的工艺条件下成功地制备了高质量Si基Bi4Ti3O12 铁电薄膜 .研究了Si基Bi4Ti3O12 薄膜的生长行为、铁电性能、C_V特性和疲劳特性 .研究表明 :Si基Bi4Ti3O12 薄膜具有随退火温度升高沿c轴择优生长的趋势 ;退火温度通过影响薄膜的晶粒尺寸、生长取向和薄膜中载流子的浓度来改变Si基Bi4Ti3O12 薄膜的铁电性能 ;Ag Bi4Ti3O12 p_Si异质结的C_V特性曲线呈现顺时针回滞 ,可以实现极化存储 ;10 9次极化反转后Bi4Ti3O12 薄膜的剩余极化仅下降 12 % 。
- 王华
- 关键词：铁电薄膜钛酸铋C-V特性薄膜生长
- 退火温度对Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si异质结微观结构与性能的影响
- 2008年
- 采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/p-Si异质结.研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响.研究表明:成膜温度较低时,SrBi_2Ta_2O_9、Bi_4Ti_3O_(12)均为多晶薄膜,但随退火温度升高,Bi_4Ti_3O_(12)薄膜沿c轴择优生长的趋势增强;经不同退火温度处理的Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi-4Ti_3O_(12)/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性,且回滞窗口随退火温度升高而增大,经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V;在550～700℃范围内,Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Bi_4Ti_3O_(12)/ p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降,当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大,经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10_(-7)A/cm^2的最低值.
- 任明放王华
- 关键词：退火温度异质结
- Nb掺杂对Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)薄膜微观结构与性能的影响
- 2008年
- 采用Sol-gel法在p-Si和Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3-xNbxO12(BLTN)铁电薄膜,研究了Nb掺杂量对薄膜微观结构、介电和铁电性能的影响。结果表明:650℃退火处理的BLTN薄膜具有单一的层状钙钛矿结构,表面平整致密,且为随机取向;Nb掺杂量x在0.06的BLTN薄膜介电与铁电性能优良,剩余极化Pr和Ec分别为21.6μC/cm2和96.8kV/cm,室温下,在测试频率为10kHz时,薄膜的介电常数为386,介电损耗为0.69%。
- 张云峰
- 关键词：铁电薄膜
- Bi_4Ti_3O_(12)薄膜的取向生长及其电性能研究被引量：1
- 2004年
- 采用Sol-Gel工艺,在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜,研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响,探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制.结果表明:退火温度显著影响薄膜的c轴取向生长,其(00l)晶面的取向度F=(P-P0)/(1-P0)由550℃的0.081增加到850℃的0.827,退火时间对其(00l)晶面的取向度也有较大影响;经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向,对铁电性能有较明显的削弱作用;薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大,但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长.
- 王华
- 关键词：铁电薄膜BI4TI3O12电性能
- Si基Bi_(3.25)La(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与特性研究被引量：1
- 2006年
- 采用Sol-Gel工艺低温制备了Si基Bi3·25La0·75Ti3O12铁电薄膜.研究了退火温度对薄膜微观结构、介电特性与铁电性能的影响.500℃退火处理的Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜未能充分晶化,晶粒细小且有非晶团聚,介电与铁电性能均较差.高于550℃退火处理的Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜表面平整无裂纹,晶粒均匀,无焦碌石相或其他杂相,薄膜为多晶生长,具有较好的介电与铁电性能,4V电压下的漏电流密度低于2×10-8A/cm2.随退火温度升高,晶化程度的提升和晶粒尺寸的增大使薄膜的剩余极化增大而矫顽电场降低.600℃退火处理的Bi3·25La0·75Ti3O12薄膜显示了优于Bi4Ti3O12薄膜的铁电性能,其剩余极化Pr和矫顽电场Ec分别达到17·5μC/cm2和102kV/cm.
- 王华任鸣放
- 关键词：铁电薄膜
