中央高校基本科研业务费专项资金(10QG24)
- 作品数：3 被引量：9H指数：1
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- 相关机构：华北电力大学中国科学院浙江大学更多>>
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- 高压GaAs微型太阳电池阵列的制备
- 2011年
- 为了提高GaAs微型太阳电池的输出性能,对微型太阳电池阵列的主要工艺进行了研究和改进。通过对帽层、背电极层和台面的选择性/非选择性湿法腐蚀工艺的探索,实现了对最佳腐蚀液的配比、腐蚀时间和温度的控制。采用侧壁钝化工艺和聚酰亚氨(PI)/SiO2/TiAu/SiO2新型互连结构,不仅确保了电池单元之间有效的隔离和互连,而且极大地降低了侧壁载流子复合电流,同时这种新型互连结构可有效防止由于衬底光敏现象引起的漏电流。经过上述器件工艺改进,获得了高集成度GaAs微型太阳电池阵列。电流-电压(JSC-VOC)测试结果显示,器件的开路电压达到84.2V,填充因子为57%。
- 白一鸣陈诺夫王彦硕王俊黄添懋汪宇张兴旺尹志刚张汉吴金良姚建曦
- 关键词：GAAS太阳电池漏电流互连结构
- 高效率GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管被引量：1
- 2011年
- 从理论上设计优化了高效率808nm GaAsP/AlGaAs张应变量子阱激光二极管外延材料的量子阱结构和波导结构参数,并采用低压金属有机气相外延技术实验制备了外延材料。将制作的芯片解理成不同腔长,测试得到外延材料的内损耗系数和内量子效率分别为0.82cm-1和93.6%。把腔长为900μm的单巴条芯片封装在热传导热沉上,器件在准连续工作条件下最大电光效率达到60.5%,相应的斜率效率和输出光功率分别为1.28W/A和74.9W。器件测试结果表明,采用优化的GaAsP/AlGaAs张应变量子阱和宽波导结构,可以有效提高器件的电光效率。
- 白一鸣王俊陈诺夫
- 关键词：激光二极管电光效率
- 多晶硅薄膜太阳电池被引量：8
- 2013年
- 多晶硅薄膜太阳电池因兼具低材料消耗、低成本、高稳定性及多晶硅薄膜微电子器件的成熟工艺而备受瞩目。对多晶硅薄膜太阳电池的结构和制备工艺流程进行了详细阐述,指出当前多晶硅薄膜太阳电池的关键研究方向,即衬底的选择和高质量多晶硅薄膜的实现。特别是针对高质量多晶硅薄膜的制备,系统地介绍了化学气相沉积(CVD)、磁控溅射(MS)、固相晶化(SPC)、激光晶化(LC)以及快速热退火(RTA)等制备方法的工作原理、特点和优劣。综合阐述了各项技术的发展现状,并对上述技术及其在多晶硅薄膜太阳电池中的应用前景进行了客观评述与展望。
- 何海洋陈诺夫李宁白一鸣仲琳弭辙辛雅焜吴强高征
- 关键词：太阳电池多晶硅薄膜
