中央高校基本科研业务费专项资金(2010-la-010)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：沈强张联盟王传彬傅力黄攀更多>>
- 相关机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国际科技合作与交流专项项目湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺更多>>
- Ho掺杂对Bi_(4-x)Ho_xTi_3O_(12)陶瓷结构与铁电性能的影响被引量：1
- 2012年
- 以Ho为掺杂元素,采用热压烧结方法制备Bi4-xHoxTi3O12陶瓷,重点研究了Ho掺杂量对其物相组成、致密度、微观结构和铁电性能的影响.首先以Bi2O3、TiO2和Ho2O3微粉为原料,利用固相反应在900℃合成出主晶相为Bi4Ti3O12的Bi4-xHoxTi3O12(x=0～0.8)粉体;然后,将合成粉体在850℃、30 MPa条件下热压烧结,当Ho掺杂量x=0～0.4得到了物相单一、整体致密(>99%)的Bi4-xHoxTi3O12陶瓷.随Ho掺杂量的增加,Bi4-xHoxTi3O12陶瓷的剩余极化强度呈现先增大后减小的趋势,主要与氧空位浓度和不同掺杂浓度引起的掺杂位置的不同有关.在Ho掺杂量x=0.4时,其剩余极化强度最大(2Pr=13.92μC/cm2),远大于未掺杂的Bi4Ti3O12陶瓷,说明适量Ho掺杂能有效改善其铁电性能.
- 王传彬傅力沈强张联盟
- 关键词：固相反应热压烧结铁电性能
- 钛酸铋薄膜的磁控溅射及其退火处理被引量：1
- 2011年
- 采用射频磁控溅射技术,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了钛酸铋(Bi4Ti3O12,简称BIT)薄膜。研究了衬底温度及后续退火处理对薄膜结构和表面形貌的影响。结果表明:适宜的衬底温度为200℃。随着退火温度(650~800℃)的升高,BIT薄膜的结晶性变好,晶粒尺寸增大,c轴取向增强。当退火温度达到850℃时,开始出现焦绿石相;700~800℃为适宜的退火温度,在此条件下得到的BIT薄膜结晶良好,尺寸均匀,表面平整致密。
- 黄攀王传彬沈强张联盟
- 关键词：磁控溅射退火处理
