国家教育部博士点基金(200806141100)
- 作品数：9 被引量：43H指数：4
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- 一种用于轨到轨运算放大器的新型频率补偿结构被引量：7
- 2011年
- 针对有源OLED面板驱动芯片源驱动模块对高速低功耗运算放大器的要求,基于高阶系统频率补偿理论和小信号建立理论,通过结合共栅共源密勒(cascode Miller)补偿和输出零点补偿,提出一种用于轨到轨高速低功耗运算放大器的新型频率补偿方法,只需很小的密勒补偿电容和静态工作电流,就可以高速、稳定地驱动大电容负载。采用0.18μm CMOS数模混合信号工艺,通过EDA软件仿真,结果表明,在4 V电源电压和20 pF负载电容下,该运算放大器的轨到轨建立时间为0.76μs,静态工作电流仅为2.6μA,相位裕度为55°,只需要120 fF的密勒补偿电容。
- 陈宏曾龄宇胡乔于奇宁宁王向展邓春健
- 关键词：频率补偿运算放大器
- 一种14位400MS/s分段型电流舵DAC的设计被引量：4
- 2011年
- 基于TSMC 0.25μm CMOS工艺,采用分段开关电流结构,设计了一种基于2.5 V电源电压的14位400 MS/s D/A转换器。该D/A转换器内置高精度带隙基准源、高速开关驱动电路和改进的Cascode单位电流源电路,以提高性能。D/A转换器的积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于0.5 LSB。在400 MHz采样频率1、99.8 MHz输出信号频率时,其无杂散动态范围(SFDR)达到85.4 dB。
- 王向展宁宁徐振涛杜翎
- 关键词：D/A转换器毛刺
- 一种用于AMOLED显示驱动芯片的电荷泵设计被引量：3
- 2011年
- 基于开关电容系统理论,设计了一种多通路输出的电荷泵,为AMOLED显示驱动芯片中的源驱动和栅驱动电路提供电源电压。使用混合调制模式,根据源驱动和栅驱动的等效负载情况,分别设计相应的环路调制电路,在实现恒压输出的同时,降低VDH纹波电压与电源噪声,提高功率效率。基于0.18μm HVCMOS工艺的仿真结果表明,电路能够获得较小的VDH纹波电压,电源电压在2.6～3.3 V的范围内变化时,功率效率最高可达94.54%。
- 王一鹏张万东曾龄宇邓春健宁宁于奇王向展李竞春
- 关键词：电荷泵纹波电压功率效率
- 基于预充电和双采样技术的S/H电荷共享消除技术
- 2013年
- 针对开关电容采样/保持(S/H)电路中由负载电容记忆效应引起的电荷共享问题进行了建模.电荷共享效应会导致运放建立幅度增加,根据所推导的运放建立总公式,得出建立幅度增加会增大对运放功耗和带宽要求,或者降低建立速度.为改善该现象,基于预充电思想和双采样技术提出了一种优化方案,能在保持原S/H电路速度不变时,消除电荷共享效应对运放功耗和带宽的额外要求.仿真实现的12位100Msps双采样/保持电路证明了其有效性.
- 孙振亚眭志凌陈华徐双恒朱欢张军
- 关键词：开关电容采样记忆效应电荷共享预充电
- 适用于全差分运算放大器的两级共模反馈结构被引量：4
- 2011年
- 针对两级全差分运算放大器对输入级和输出级不同的性能要求,设计了连续时间共模反馈电路和开关电容共模反馈电路,使运放在稳定电路直流工作点的同时提高输出摆幅。基于0.13μm CMOS混合信号工艺对电路进行仿真,结果表明,该运放两级共模反馈瞬态输出的波动范围分别为1.06 mV和2.21 mV,在2.5 V电源电压下具有91.6 dB直流开环增益,负载电容为1.5 pF时单位增益带宽为1.163 GHz。
- 尹浩陈必江李靖杜翎汤川洋于奇宁宁邓春健
- 关键词：运算放大器
- 基于负载电流动态泄放技术的LDO线性稳压器
- 2011年
- 通过对LDO瞬态响应的分析,基于负载电流动态泄放技术,提出一种新型LDO线性稳压电路,减小了负载电流阶跃变化对输出电压的影响,从而改善了系统的瞬态响应特性。采用0.18μm CMOS工艺模型进行仿真。结果表明,负载电流从1 mA到120 mA阶跃变化时,输出电压负向过冲减小60.1 mV,恢复时间缩短33.4μs;从120 mA到1 mA阶跃变化时,输出电压正向过冲减小47 mV,恢复时间缩短214.3μs。
- 秦路琳陈宏张万东邓春健宁宁王向展于奇
- 关键词：LDO线性稳压器负载电流瞬态响应
- 一种宽电压输入范围降压稳压电路的设计被引量：9
- 2011年
- 为了解决高压恒流源芯片内部低压模块供电问题,通过集成降压预调整电路、前置基准源和线性稳压器3个模块,设计了一种宽电压输入范围的降压稳压电路。采用0.6μm BCD工艺模型进行仿真验证。结果显示,降压预调整电路低压跟随时压差在50 mV内。输入在6～40 V范围内变化时,偏置和基准的变化分别为1.13 mV和0.3 mV幅度。线性稳压器直流下PSRR可达-85 dB,在1 MHz工作频率下,输入电压为6 V和40 V时,模拟电源变化幅度分别不超过24 mV和46 mV,数字电源变化幅度分别不超过0.3 V和0.8 V。该降压稳压电路已成功应用于高压LED恒流源中。
- 刘浩陈志葛佳乐于奇宁宁王向展邓春健李竞春
- 关键词：线性稳压器BCD工艺
- 高电源抑制比和高阶曲率补偿带隙电压基准源被引量：13
- 2011年
- 基于分段线性补偿原理,提出了一种新的带隙基准源高阶曲率补偿方法,使电压基准源的温度特性曲线在整个工作温度范围内具有多个极值,显著提高了电压基准源的精度。采用0.5μm CMOS工艺模型进行仿真。结果表明,在-40℃～135℃的温度范围内,电压基准源的温度系数为5.8×10-7/℃。设计了具有提高电源抑制比功能的误差放大器,在5 V电源电压下,电压基准源的电源抑制比在低频时-为95.4 dB,在1 kHz时为-92.4 dB。
- 张万东陈宏王一鹏于奇宁宁王向展
- 关键词：带隙电压基准源高阶曲率补偿
- 一种采用电阻串复用结构的12位SAR ADC被引量：3
- 2012年
- 针对带数字校准功能的逐次逼近模/数转换器(SAR ADC),提出将主DAC、校准DAC和基准电压产生电路的电阻串进行复用,从而显著减少了芯片面积,降低了功耗。相比6+6两段电容结构DAC,采用电阻电容混合结构的主DAC和校准DAC节约了37%的版图面积。在0.18μm CMOS工艺下,通过Hspice仿真,SAR ADC的DNL和INL均小于0.4LSB,SNR为75dB。系统正常工作时,总功耗为3.1mW,比不采用电阻串复用的结构减少0.9mW。
- 关允超宁宁张军杜翎吴克军范洋冯纯益
