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国家自然科学基金(61307045)

作品数：6 被引量：6H指数：1
相关作者：方铉唐吉龙王晓华魏志鹏房丹更多>>
相关机构：长春理工大学中国科学院长春光学精密机械与物理研究所南昌大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇原子层沉积
  • 2篇光学
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇电纺
  • 1篇电纺丝
  • 1篇淀积
  • 1篇原子
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶-凝胶
  • 1篇生长速率
  • 1篇透明导电
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇硫化
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米纤维

机构

  • 5篇长春理工大学
  • 5篇中国科学院长...
  • 2篇南昌大学

作者

  • 5篇房丹
  • 5篇魏志鹏
  • 5篇王晓华
  • 5篇唐吉龙
  • 5篇方铉
  • 4篇楚学影
  • 4篇赵海峰
  • 4篇方芳
  • 3篇王双鹏
  • 3篇李金华
  • 3篇马晓辉
  • 2篇刘国军
  • 2篇徐莉
  • 2篇陈芳
  • 1篇吕珊珊
  • 1篇王菲
  • 1篇浦双双
  • 1篇王佳琦
  • 1篇田珊珊
  • 1篇贾慧民

传媒

  • 3篇光谱学与光谱...
  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
PEALD沉积温度对AlN的结构和表面特性的影响（英文）被引量：2
2016年
研究通过等离子增强原子层沉积（PEALD）在不同沉积温度下生长的A1N温度对其特性的影响。前驱体是NH3和TMA，在300oC、350oC和370oC沉积温度下分别沉积了200、500、800、1000、1500周期的A1N层，并讨论了A1N薄膜的生长速率、结晶化和表面粗糙度。结果表明，在300—370℃范围内，随着温度的上升薄膜的沉积速率和结晶化增加，而薄膜表面粗糙度减小。
陈芳方铉王双鹏牛守柱方芳房丹唐吉龙王晓华刘国军魏志鹏
关键词：氮化铝生长速率结晶化沉积温度
Influence factors and mechanism of emission of ZnS:Cu nanocrystals
2015年
Copper-doped ZnS （ZnS：Cu） nanocrystals are synthesized by the sol-gel method. The average size of the ZnS：Cu nanocrystals is 3.1 nm. The x-ray diffraction indicates that increasing the Cu-dopant concentration results in a large shift in the diffraction angle. The effects of the dopant concentration, the reactant ratio, and aging temperature on the optical properties of the ZnS：Cu nanocrystals are also investigated. The fluorescence emission mechanism is analyzed by peak deconvolution using Gaussian functions. We find that the emission of the ZnS：Cu nanocrystal is composed of different luminescence centers at 430, 470, 490, 526, and 560 nm. The origins of these emissions are discussed and demonstrated by controlled experiments.
楚学影王欣浓李金华姚丹方铉方芳魏志鹏王晓华
关键词：LUMINESCENCE
利用原子淀积Al_2O_3对InP光学稳定性的研究被引量：1
2013年
提出一种钝化InP表面的新方法———湿法钝化和干法钝化相结合。这种新型的钝化方式有效地降低了InP表面态密度,并使其表面暴露在空气中一段时间后仍具有较好的稳定性。实验利用光致发光(PL)谱,对样品的发光性质进行测试。通过对样品进行XPS测试表明,通过对样品进行退火处理,可增强In-S键结合强度,进一步降低表面态密度。最后,利用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行表征。
房丹唐吉龙魏志鹏赵海峰方铉田珊珊楚学影王晓华
关键词：INP硫化光致发光谱AL2O3
以PVP纳米纤维为模板采用原子层沉积法制备MgxZn(1-x)O纳米纤维及其光学性质研究被引量：1
2014年
采用静电纺丝方法制备聚乙烯吡咯烷酮(PVP)纳米纤维,并以其为模板采用原子层沉积(ALD)方法制备不同Mg掺杂浓度的MgxZn1-xO纳米纤维。研究了不同Mg掺杂浓度对复合纳米纤维结构和光学性质的影响。利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、光致发光(PL)和紫外-可见光(UV-Vis)吸收谱对样品测试并进行表征分析。结果表明,Mg元素的掺入并没有改变ZnO纳米纤维的形貌,所有样品的表面形貌极其相似,只是掺杂后纤维直径有所增大;随着Mg掺杂浓度的增加吸收边逐渐发生蓝移,表明所制备MgxZn1-xO纤维的带隙具有可调节性。与此同时,在PL谱中可以观察到样品的紫外(UV)发光峰从377nm移动至362nm,且与不掺杂的样品相比,MgxZn1-xO纳米纤维的UV发光强度明显增强。通过这种方法可以合成组分可控的MgxZn1-xO纳米纤维。在ZnO中掺入Mg元素可以有效地提高ZnO-PVP纳米纤维的禁带宽度以及UV发射强度。
贾慧民唐吉龙方铉王双鹏赵海峰房丹王晓华方芳李金华楚学影魏志鹏马晓辉徐莉
关键词：PVP纳米纤维静电纺丝ALD
MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层透明导电薄膜的制备及光电性质研究被引量：1
2014年
采用操作简单的溶胶-凝胶法和射频磁控溅射法在石英衬底上分别制备了MgxZn1-xO薄膜和MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的透明导电薄膜并对样品进行退火处理。利用紫外-可见分光光度计、X射线衍射仪、光致发光、霍尔效应测试对在不同退火温度下薄膜的晶体结构、光学和电学性质进行表征分析,并研究退火温度对其影响。测试结果表明:所制备的薄膜样品均具有良好的c轴(c-axis)取向并呈现出六角纤锌矿结构。Mg组分的增加使得ZnO基薄膜的光学带隙逐渐增大,PL发光谱和吸收光谱的谱线出现了明显的蓝移现象,但薄膜的电学特性有所降低。而在MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO夹层结构的薄膜样品中,Au夹层的存在使薄膜的光学性质变差,在紫外区域透光率约为60%。但薄膜的电学性质得到明显改善,相比MgxZn1-xO薄膜,其电阻率和迁移率显著提高。此外通过高温退火处理可以有效提高所制备薄膜的晶体质量,进一步提高样品电学特性,其中经过500℃退火后的薄膜迁移率达到了40.9cm2·Vs-1,电阻率为0.005 7Ω·cm。但随着退火温度的进一步升高,薄膜晶体尺寸从25.1nm增大到32.4nm,从而降低了该薄膜的迁移率。因此该夹层结构的MgxZn1-xO/Au/MgxZn1-xO薄膜对于促进ZnO基透明导电薄膜在深紫外光学器件中的应用有重要作用。
吕珊珊方铉王佳琦方芳赵海峰楚学影李金华房丹唐吉龙魏志鹏马晓辉王晓华浦双双徐莉
关键词：溶胶-凝胶退火温度
扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1
2015年
采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。
陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏
关键词：P型ZNO原子层沉积光致发光
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