国家自然科学基金(61274080) 作品数:14 被引量:12 H指数:2 相关作者: 成建兵 夏晓娟 郭宇锋 周骏 吉新村 更多>> 相关机构: 南京邮电大学 东南大学 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 江苏省自然科学基金 中国博士后科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 更多>>
双模式控制的防失真D类音频功率放大器 2014年 设计了一款具有双模式控制、防失真功能、超低EMI、无需滤波器、5W高效率的单声道D类音频功率放大器.通过检测输出信号的失真来动态调整系统增益可实现独特的防失真功能,可以通过硬件或者软件设置使该放大器工作在防失真模式或者普通模式.电路采用CSMC的0.35 um的CMOS工艺实现,在输入信号为O~1.2V的范围内,输出信号能够保持良好的波形形状.可应用于各种便携式电子设备,如手机、平板电脑和便携式电视机等. 樊卫东 夏晓娟 方玉明 吉新村 郭宇锋关键词:D类音频功率放大器 硬件设置 Novel trench gate field stop IGBT with trench shorted anode 被引量:1 2016年 A novel trench field stop (FS) insulated gate bipolar transistor (IGBT) with a trench shorted anode (TSA) is proposed. By introducing a trench shorted anode, the TSA-FS-IGBT can obviously improve the breakdown voltage. As the simulation results show, the breakdown voltage is improved by a factor of 19.5% with a lower leakage current compared with the conventional FS-IGBT. The turn off time of the proposed structure is 50% lower than the conventional one with less than 9% voltage drop increased at a current density of 150 A/cm2. Additionally, there is no snapback observed. As a result, the TSA-FS-IGBT has a better trade-off relationship between the turn off loss and forward drop. 陈旭东 成建兵 滕国兵 郭厚东关键词:TRADEOFF 一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS 被引量:3 2020年 为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dVds/dt和电流斜率dId/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS的漏端过冲电压从535 V降低到283 V,抖动频率从42 MHz降低到33 MHz,抖动持续时间从65 ns缩短到30 ns。 王玲 成建兵 陈明 张才荣 邓志豪关键词:VDMOS EMI 阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS的研究 2017年 提出了一种阶梯掺杂P柱区二维类超结LDMOS结构。漂移区采用P/N柱交替掺杂的方式形成纵向类超结。漂移区的P柱采用掺杂浓度从源端到漏端逐渐变低的变掺杂结构。这种变掺杂P柱区的引入对衬底辅助耗尽效应所带来的电荷不平衡问题进行了调制,使得漂移区可以充分耗尽,提高了耐压。P区变掺杂可以提高N区浓度,降低了导通电阻。与常规二维类超结LDMOS结构相比,击穿电压提高了30%,导通电阻下降了10.5%,FOM提升了87.6%,实现了击穿电压与导通电阻的良好折中。 袁晴雯 成建兵 周骏 陈珊珊 吴宇芳 王勃关键词:击穿电压 导通电阻 一种具有低EMI噪声的低阻空穴路径IGBT 被引量:2 2022年 为了解决浮空P区IGBT器件在小电流开启时存在较大EMI噪声的问题,提出了一种低阻空穴路径结构的IGBT。新结构在浮空P区中引入P+层以形成高低结,在开启过程中,较低电势的P+层加强了浮空P区空穴沿空穴路径地流出,呈现出低阻空穴路径,从而降低位移电流对栅极地充电,使得器件有较低的EMI噪声。仿真结果表明,在相同的开启功耗下,该结构相对于普通空穴路径的IGBT结构,能够明显降低器件的dIC/dt的最大值,抑制了器件的EMI噪声。 成建兵 刘立强 周嘉诚 吴家旭 李瑛楠关键词:绝缘栅双极晶体管 单端CTIA型读出电路线性度的研究及优化设计 2015年 对单端电容跨阻抗放大器读出电路的非线性进行了理论研究,详细分析了积分电路、采样保持电路、行选电路对非线性的影响。在此基础上,为提高读出电路的线性度,提出在积分电路中引入增益自举结构以及行选电路中采用转移电荷电路替代传统源跟随电路的方法。具体电路采用CSMC DPTM 0.5μm工艺实现,在输入积分光电流为2.0nA^26.5nA的范围内,读出电路的非线性度仅为0.05%。 沈玲羽 夏晓娟 郭宇锋关键词:读出电路 非线性 红外读出电路中低功耗列读出级电路的设计 被引量:1 2015年 提出了一种用于红外读出电路的新型低功耗列读出级结构。该结构在传统主从列读出级电路的基础上,引进电压检测电路,通过检测相邻列中主运放的输出电压,动态地调节从运放工作电流,避免了传统结构中从运放需要始终工作在大电流下(>Imax)的限制,从而显著地降低了功耗。具体电路采用CSMC DPTM 0.5μm工艺实现,Hspice仿真结果表明,新型主从列读出级中从运放功耗与传统主从列读出级中从运放功耗相比,从运放的平均功耗最大可以节省75%。 沈玲羽 庞屹林 范阳 夏晓娟 吉新村 郭宇锋关键词:电压检测 基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型SOI LIGBT 2017年 在SOI衬底上,制作了一种基于阳极弱反型层消除负阻效应的新型横向绝缘栅双极晶体管(SOI AWIL-LIGBT)。利用反型所形成的高阻值电阻来使PN结阳极快速导通,阳极P+区中的空穴可以更快地注入漂移区,从而消除负阻效应。仿真结果表明,该新型LTGBT在保证关断速度不变的情况下,击穿电压为307V(漂移区长度为18μm)比,比常规SA-LIGBT提升了56%,并消除了负阻效应。 周骏 成建兵 袁晴雯 陈珊珊 吴宇芳 王勃关键词:反型层 一种具有浮空P型埋层的新型FS-IGBT 被引量:2 2017年 提出了一种在阳极引入浮空P型埋层的新型场截止绝缘栅晶体管(FS-IGBT)。结合超结与阳极短路的思想,在相同仿真条件下,与传统FS-IGBT相比,新结构的击穿电压提高了13.9%。当通态电流密度为150A/cm^2时,新结构的优化压降增量小于9%,关断时间比传统结构降低了60%以上,并且工作时无负阻现象,实现了导通压降与关断功耗的良好折中。 陈旭东 成建兵 郭厚东 滕国兵 周骏 袁晴雯关键词:击穿电压 负阻现象 一种新型双Fin ESD防护单元研究 2023年 为满足小尺寸器件的ESD防护需求,基于Fin技术,提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术,减小了器件的基区宽度,避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明,相比于DFSD结构,新结构失效电流It2/Wlayout从21.67 mA/μm增加到28.33 mA/μm;触发电压V_(t1)从14.08 V减小到9.64 V。在ESD来临时,新结构能够实现有效的开启,泄放大电流。 成建兵 周嘉诚 刘立强 张效俊 孙旸关键词:电导调制 静电放电