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电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金: 作品数：71 被引量：159H指数：6; 相关作者：李平邓宏蔡苇符春林蒋亚东更多>>; 相关机构：电子科技大学南京邮电大学重庆科技学院更多>>; 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金重庆市自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>

ICP干法刻蚀GaAs背孔工艺研究被引量：6: 2015年; 采用金属Ni作为掩膜,Cl2/BCl3作为刻蚀气体,利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)技术对Ga As HEMT背孔工艺进行研究。本文详细研究了ICP功率、反应室压强、Cl2/BCl3流量比以及RF功率对刻蚀速率、刻蚀形貌以及"长草"效应的影响。实验结果表明:刻蚀速率随ICP功率、Cl2/BCl3流量、RF功率的增加而增加,但随反应室压强的增加,刻蚀速率先增加后降低;相同RF功率条件下,背孔陡直性受ICP功率、反应室压强以及刻蚀气体流量比的影响十分明显;而RF功率则对背孔"长草"效应有较大影响。通过优化刻蚀条件,在ICP功率为500 W,反应室压强为0.4 Pa,Cl2/BCl3流量为20/5 m L/min,RF功率为120 W的刻蚀条件下,刻蚀背孔陡直性好,侧壁平滑,底部平整,刻蚀速率达到3μm/min。; 周佳辉常虎东张旭芳徐文俊李琦李思敏何志毅刘洪刚李海鸥; 关键词：感应耦合等离子体 GAAS

结构型与自增感型结合的新型光敏聚酰亚胺制备及研究被引量：1: 2013年; 将3,3′,4,4′-二苯甲酮四羧酸二酐分别与1-(3-氨基苯基)-3-(4-氨基苯基)-2-丙烯-1-酮(光敏性二胺Ⅰ)和3,3′,5,5′-四乙基-4,4′-二氨基二苯甲烷(光敏性二胺Ⅱ)经溶液聚合、化学亚胺化,制备了一类新型可溶性的结构型与自增感型结合的光敏聚酰亚胺。该合成方法简便,分子量容易控制,起始原料价廉易得,产品纯度与收率高。TGA、UV、GPC等研究结果表明,所制备的树脂曝光波长能与工业Ⅰ线匹配使用,具有良好的耐热性能与感光性能。; 李元勋刘颖力张怀武; 关键词：光敏聚酰亚胺光敏性二胺羟醛缩合共聚合反应

助熔剂BBSZ对M型钡铁氧体的低温共烧改性研究被引量：2: 2010年; 研究了助熔剂BBSZ对M型钡铁氧体的低温共烧改性。结果表明,添加适量的BBSZ助烧剂可以使钡铁氧体材料在900℃完成烧结,所得样品具有较好的致密化结构。当BBSZ的掺入量为2%时(质量分数),材料的磁特性较好,完全实现了M型钡铁氧体的低温烧结,磁性参数值有一定改善。; 聂海张怀武李元勋凌味未; 关键词：无机非金属材料低温共烧陶瓷 M型钡铁氧体助熔剂

具有倾斜表面漂移区的SOI LDMOS的工艺设计被引量：3: 2010年; 对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出采用多窗口LOCOS法形成倾斜表面漂移区的新技术;建立了倾斜表面轮廓函数的数学模型,并开发了用于优化窗口尺寸和位置的计算机程序。TCAD 2-D工艺仿真验证了该技术的可行性。设计了漂移区长度约为15μm的SOI LDMOS。数值仿真结果表明,与RESURF结构器件相比较,其漂移区电场近似为理想的常数分布,并且击穿电压提高约8%,漂移区浓度提高约127%。由此可见,VLT是一种理想的横向耐压技术。; 薛龙来郭宇锋周井泉孙玲; 关键词：SOL LDMOS

一种高速只读存储器拓扑结构的设计: 2012年; 随着只读存储器密度越来越大,对读取速度的要求越来越高,位线大电容逐渐成为影响只读存储器读取速度的关键问题。设计了一种存储器拓扑结构,这种结构通过改变存储单元读取点的位置,能有效避免位线大电容充放电对读取速度的不利影响,极大地缩短了读取周期,提高了只读存储器的读取速度。该拓扑结构的优势在TSMC 0.13μm工艺仿真库里得到验证。; 陈奕含罗前陈志钧罗小勇李平; 关键词：只读存储器拓扑结构

逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现: 2017年; 逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点。设计并实现了一款1 200 V逆导型沟槽FS IGBT。重点研究了逆导型绝缘栅门极晶体管(RC IGBT)特有的回扫现象,以及如何从结构设计上消除回扫现象,其次,对RC IGBT在不同的载流子寿命下,进行了开关特性、反向恢复特性的仿真。研究结果发现随着载流子寿命的降低,其开关时间、反向恢复特性都有一定程度的改善。依据器件的最优化设计进行了流片。测试结果验证了不同设计对电流回扫现象的影响,以及不同少子寿命下导通特性和反向恢复特性的变化规律,器件的性能得到优化。; 邓小社郭绪阳李泽宏张波张大成; 关键词：TRENCH FS 载流子寿命反向恢复时间

一种新型宽发射材料的合成及其光电性能研究: 2017年; 以2-噻吩甲醛、苯胺及方酸为原料合成了一种新型含噻吩基方酸菁衍生物的宽发射有机电致发光材料——1,3-二(苯基噻吩氨基)方酸(SQ),通过核磁共振、红外光谱和元素分析确定其分子结构。并研究了其光物理性能。研究发现,SQ薄膜的发射光谱位于517nm,半峰宽105nm。将其作为发射材料首次制备了结构为ITO/MoO3(3nm)/NPB(20nm)/SQ(15nm)/TPBi(27nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)的发光器件,得到了峰位在520nm,半峰宽为132nm的宽发射光谱。利用其宽发射特性,进一步设计白光器件,其结构为ITO/MoO3(3nm)/CBP(23nm)/TPBi∶SQ(5%,15nm)/TPBi(27nm)/LiF(1nm)/Al(100nm),此器件启亮电压为5V,最大亮度为124cd/m^2(at 13V),最大电流效率为0.12cd/A,CIE为(0.30,0.33)。结果表明,通过在TPBi主体材料中掺杂SQ,利用主客体材料之间发生能量不完全传递,可实现色饱和度好的白光发射。; 施昆雁席昭洋陈柳青文平张跳梅王忠强赵波梁效中孙鹏曹亚雄王华刘旭光许并社; 关键词：异方酰胺有机电致发光白光

磁场辅助热处理金属化碳纳米管场发射性能: 2014年; 利用化学镀方法对多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWNTs)表面金属化镀镍(MWNTs/Ni),采用丝网印刷制备MWNTs/Ni场发射阴极,并在磁场辅助下热处理所得阴极,研究磁场辅助热处理对MWNTs/Ni阴极的场发射性能的影响,经300mT磁场辅助热处理的MWNTs/Ni的场发射阴极开启场强约为0.80V·μm^(-1),场增强因子β约为16068,对单根MWNTs/Ni在磁场中的受力情况进行建模分析,实验结果表明:磁场辅助热处理有助于提高MWNTs/Ni在阴极表面的直立分布,提高了MWNTs/Ni的场发射性能。; 叶芸陈填源郭太良蒋亚东; 关键词：场发射磁场化学镀

氮流量对TaN薄膜微结构及性能的影响被引量：4: 2010年; 采用反应直流磁控溅射法在Al2O3陶瓷基片上制备TaN薄膜,研究了氮流量(N2/(N2+Ar))对TaN薄膜微结构及性能的影响。结果表明,随氮流量的增大,TaN薄膜的氮含量、电阻率、方阻以及TCR的绝对值逐渐增大,而沉积速率逐渐降低。当N2流量较低(2%～4%)时,TaN薄膜中主要含有电阻率和TCR绝对值较低的六方Ta2N相(hcp),薄膜的电阻率在344μΩ.cm到412μΩ.cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几十ppm/℃。当氮气流量较高(5%～6%)时,薄膜中Ta2N相消失,薄膜中主要含有TCR绝对值较大的体心四方结构(bct)的TaN和四方结构(bct)的Ta3N5相,薄膜的电阻率在940μΩ.cm到1030μΩ.cm范围内,薄膜的TCR绝对值约为几百ppm/℃。; 王超杰蒋洪川张万里向阳司旭; 关键词：TCR 磁控溅射

一种OTP存储器高速读出机制的设计被引量：1: 2012年; 本文设计了一种用于OTP存储器的高速读出机制.该读出机制由内部电路产生读控制时序,采用地址变化探测电路、脉冲宽度调整及控制信号产生电路、采样与锁存电路来实现读取操作.其具有电路结构简单,读出速度快,读出准确,抗噪声、抗干扰能力强,功耗低的特点.仿真结果表明整个读取周期仅为24ns,数据口的读出信号稳定准确,不会产生读取误操作.; 袁蕊林陈奕含罗前李曼李平; 关键词：OTP 存储器

电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金

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