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天津市高等学校科技发展基金计划项目(JW20051201)

作品数：4 被引量：12H指数：2
相关作者：王光伟张建民曹继华郑宏兴李炳宗更多>>
相关机构：天津职业技术师范大学天津工程师范大学复旦大学更多>>
发文基金：天津市高等学校科技发展基金计划项目更多>>
相关领域：电子电信动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 3篇半导体
  • 2篇电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇半导体材料
  • 1篇电池
  • 1篇电池产业
  • 1篇锗硅
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇太阳能电池产...
  • 1篇退火
  • 1篇浅结
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束溅射
  • 1篇纳米
  • 1篇晶粒
  • 1篇晶粒生长
  • 1篇激光
  • 1篇激光退火
  • 1篇溅射

机构

  • 2篇天津职业技术...
  • 2篇天津工程师范...
  • 1篇复旦大学

作者

  • 4篇王光伟
  • 2篇张建民
  • 1篇宋延民
  • 1篇茹国平
  • 1篇李炳宗
  • 1篇郑宏兴
  • 1篇曹继华

传媒

  • 2篇天津工程师范...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...

年份

  • 4篇2006
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用综述被引量：1
2006年
综述了近年来激光在集成电路纳米超浅结形成中的应用。指出了现有的广泛用于集成电路结形成的离子注入加快热退火技术,不能适应纳米超浅源、漏结的制备及其原因,分析了激光的独特优点以及用于超浅结形成的可行性。纳米超浅结要求结深和杂质分布精确可控,结电阻要尽可能低。着重强调了激光能量密度、脉冲宽度、作用时间等工艺参数与结深、杂质分布以及结电阻之间的密切关联。
王光伟宋延民张建民郑宏兴
关键词：激光退火集成电路超浅结
溅射SiGe薄膜及其等时等温退火效应被引量：1
2006年
分别在n-Si（100）和SiO2衬底上用离子束溅射法淀积SiGe薄膜，用俄歇电子谱测定薄膜Ge含量为15％～16％，对样品进行常规炉退火以考察退火温度和时间对薄膜结晶度的影响，采用X射线衍射确定薄膜物相，发现在同样退火条件下，SiGe在n-Si衬底上比SiO2上有更高的结晶度，通过曲线拟合，得到平均晶粒尺寸与退火温度和时间的依赖关系分别是自然指数和近线性的抛物线函数，推断出溅射SiGe薄膜的热退火结晶可能是晶粒生长控制过程。
王光伟茹国平张建民曹继华李炳宗
关键词：离子束溅射晶粒生长半导体材料
太阳能电池产业与半导体锗硅薄膜的应用综述被引量：7
2006年
综述了世界及我国太阳能电池产业的发展。指出提升现有多晶薄膜型太阳能电池的光电转换效率并降低其成本是当前光伏电能领域的主要课题。为了同单晶硅太阳能电池竞争,薄膜型光电池必须在性能方面与之相当,成本应该更低。要获得更低的成本,最好的出路是探索更高性能的电池材料和新颖的电池结构。文章阐明用多晶锗硅薄膜作为太阳能电池材料,能获得比多晶硅薄膜太阳能电池更高的发电效率和更低的成本。
王光伟
关键词：太阳能电池光伏发电光伏产业半导体材料
半导体锗硅薄膜材料及相关工艺技术被引量：3
2006年
综述了锗硅薄膜材料的特性与应用、制备技术、固相结晶、与过渡金属的固相反应等一系列内容,探讨了提高锗硅薄膜结晶度的工艺手段和各自的优缺点,分析了锗硅薄膜与钴等过渡金属固相反应的特点及在集成电路上的应用。
王光伟
关键词：锗硅固相反应集成电路
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