国家自然科学基金(60340460439)
- 作品数：3 被引量：14H指数：3
- 相关作者：朱丽萍赵炳辉叶志镇诸葛飞曹亮亮更多>>
- 相关机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- SiO_2/Si衬底制备ZnO薄膜及表征被引量：4
- 2005年
- 本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长ZnO外延薄膜。引入高阻非晶SiO2缓冲层,有效地降低了检测过程中单晶衬底对ZnO薄膜的电学性能影响。利用XRD,SEM,Hall和PL对其进行研究。结果表明,在衬底温度为500℃时,生长的ZnO薄膜具有优良的晶体质量,电学性能和发光性能。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠徐伟中赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜SIO2/SI脉冲激光沉积光致发光
- 铝氮共掺制备p型ZnO薄膜的电学性能研究被引量：6
- 2004年
- 本文通过直流反应磁控溅射 ,采用Al+N共掺的方法在N2 O—O2 气氛下制备p型ZnO薄膜。结果表明 ,衬底温度为 5 0 0℃时共掺所得p型ZnO的载流子浓度最高 ,并且比单独掺氮时高近 3个数量级。本文还讨论了生长气氛对薄膜电学性能的影响 ,当衬底温度为 5 0 0℃时 ,在纯N2 O气氛下制备的p型ZnO的空穴浓度最高 ,为 7 5 6× 10 17cm-3 ,同时薄膜的电阻率和载流子的迁移率分别为 94 3Ω·cm和 0 0 9cm2 V-1s-1。
- 张正海叶志镇朱丽萍赵炳辉诸葛飞吕建国
- 关键词：ZNO薄膜掺氮载流子浓度衬底温度直流反应磁控溅射
- 脉冲激光沉积法室温下ZnO薄膜的制备与表征被引量：4
- 2005年
- 在室温条件下,采用脉冲激光沉积技术在玻璃衬底上生长了ZnO薄膜。对薄膜的XRD分析表明,ZnO薄膜为六方纤锌矿结构并沿c轴取向生长,且(002)衍射峰的半高峰宽仅为0.24°。薄膜沿c轴方向受到一定的张应力为1.7×108N/m2。原子力显微镜分析表明薄膜表面较为平整,平均粗糙度约为6.5 nm,晶粒尺寸约为50 nm。此外,透射光谱分析表明薄膜的禁带宽度为3.25 eV,与ZnO体材料的禁带宽度3.30 eV基本相同。
- 曹亮亮叶志镇张阳朱丽萍张银珠诸葛飞赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜C轴取向室温脉冲激光沉积
