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国家重点基础研究发展计划(2011CBA00602)

作品数:16 被引量:13H指数:2
相关作者:李健平钱正洪白茹孙宇澄朱华辰更多>>
相关机构:杭州电子科技大学四川大学清华大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金浙江省重大科技专项基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术化学工程理学更多>>

文献类型

  • 15篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 7篇自动化与计算...
  • 6篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 5篇自旋
  • 5篇自旋阀
  • 3篇退火
  • 2篇钉扎
  • 2篇退火研究
  • 2篇热稳定
  • 2篇热稳定性
  • 2篇FLASH_...
  • 2篇GASB
  • 2篇MEMORY
  • 2篇P-CHAN...
  • 1篇电荷泵
  • 1篇电荷泵电路
  • 1篇电路
  • 1篇电源
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应
  • 1篇仪表
  • 1篇仪表放大器
  • 1篇振荡器

机构

  • 6篇杭州电子科技...
  • 4篇四川大学
  • 3篇清华大学
  • 1篇都灵理工大学

作者

  • 6篇李健平
  • 5篇白茹
  • 5篇钱正洪
  • 3篇孙宇澄
  • 2篇许军
  • 2篇朱华辰
  • 2篇伍冬
  • 2篇刘建林
  • 2篇潘立阳
  • 1篇梁仁荣
  • 1篇王雪强
  • 1篇彭英姿
  • 1篇李领伟
  • 1篇王敬
  • 1篇周润德
  • 1篇朱建国
  • 1篇霍德璇
  • 1篇白茹
  • 1篇李源
  • 1篇胡梦月

传媒

  • 3篇材料保护
  • 3篇Chines...
  • 2篇Journa...
  • 2篇无机材料学报
  • 2篇微电子学
  • 1篇电路与系统学...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇Scienc...
  • 1篇2012中国...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 6篇2014
  • 4篇2013
  • 4篇2012
  • 1篇2011
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Fermi level depinning by a C-containing layer in a metal/Ge structure by using a chemical bath
2012年
Insertion of a C-containing layer in a metal/Ge structure,using a chemical bath,enabled the Schottky barrier height(SBH) to be modulated.Chemical baths with 1-octadecene,1-hexadecene,1-tetradecene,and 1- dodecene were used separately with Ge substrates.An ultrathin C-containing layer stops the penetration of free electron wave functions from the metal to the Ge.Metal-induced gap states are alleviated and the pinned Fermi level is released.The SBH is lowered to 0.17 eV.This new formation method is much less complex than traditional ones,and the result is very good.
王巍王敬赵梅梁仁荣许军
GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and its temperature dependent characteristics
2015年
GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with an atomic layer deposited Al2O3 gate dielectric and a self-aligned Si-implanted source/drain are experimentally demonstrated. Temperature dependent electrical characteristics are investigated. Different electrical behaviors are observed in two temperature regions, and the un- derlying mechanisms are discussed. It is found that the reverse-bias pn junction leakage of the drain/substrate is the main component of the off-state drain leakage current, which is generation-current dominated in the low temperature regions and is diffusion-current dominated in the high temperature regions. Methods to further reduce the off-state drain leakage current are given.
赵连锋谭桢王敬许军
关键词:GASB
Scaling properties of phase-change line memory
2012年
Phase-change line memory cells with different line widths are fabricated using focused-ion-beam deposited C-Pt as a hard mask. The electrical performance of these memory devices was characterized. The current^oltage (I-V) and resistance-voltage (RV) characteristics demonstrate that the power consumption decreases with the width of the phase-change line. A three-dimensional simulation is carried out to further study the scaling properties of the phase- change line memory. The results show that the resistive amorphous (RESET) power consumption is proportional to the cross-sectional area of the phase-change line, but increases as the line length decreases.
杜小锋宋三年宋志棠刘卫丽吕士龙顾怡峰薛维佳席韡
基于自旋阀材料的可编程灵敏度磁敏传感器被引量:4
2013年
基于自旋阀材料的磁敏传感器,以其小尺寸、高灵敏度、低功耗的优势,在工业控制、汽车电子等领域中应用日益广泛。然而,单一灵敏度的传感器在实际应用中受到诸多限制。本文提出了一种基于自旋阀材料的可编程灵敏度磁敏传感器,不仅对各类应用具有更强的适应能力,而且能够与嵌入式系统配合而实现"智能化"传感与控制系统。该传感器中,封装集成了东方微磁科技有限公司生产的VA100F2自旋阀传感器芯片以及针对该传感器的信号特点专门设计的一款可编程仪表放大器芯片。测试表明,本文所提出的传感器可以有效的实现近似1~8倍原始灵敏度的可编程调节。
朱华辰钱正洪胡亮李健平白茹
关键词:巨磁电阻自旋阀仪表放大器
Mobility enhancement of strained GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with biaxial compressive strain被引量:2
2016年
Various biaxial compressive strained GaSb p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are experimentally and theoretically investigated, The biaxial compressive strained GaSb MOSFETs show a high peak mobility of 638 cm2/V.s, which is 3.86 times of the extracted mobility of the fabricated GaSb MOSFETs without strain. Meanwhile, first principles calculations show that the hole effective mass of GaSb depends on the biaxial compressive strain. The biaxiai compressive strain brings a remarkable enhancement of the hole mobility caused by a significant reduction in the hole effective mass due to the modulation of the valence bands.
陈燕文谭桢赵连锋王敬刘易周司晨袁方段文晖许军
关键词:GASBSTRAIN
一种高精度模数混合温度补偿晶体振荡器被引量:2
2011年
提出了一种对石英晶体振荡器进行温度补偿的模数混合方法。该补偿芯片基于0.18μm标准CMOS工艺实现。采用模拟补偿网络和基于非挥发存储器的数字补偿网络相叠加的方法,对晶体振荡器进行间接补偿,实现了数模混合的片式化,降低了存储器的容量。该方法不需要高压CMOS和EEPROM浮栅器件,降低了工艺成本和功耗。补偿结果显示,温度频率稳定度达到10-7/-40℃~85℃,系统功耗为1.79mA@1.8V。
刘会娟伍冬郑德平潘立阳许军
关键词:石英晶体振荡器CMOS
具有SAF结构的IrMn基自旋阀材料的磁场退火研究被引量:1
2014年
用磁控溅射法制备了被钉扎层为反铁磁(SAF)结构(CoFe/Ru/CoFe)的IrMn基顶钉扎自旋阀材料,分别采用HRTEM、AFM、XPS对材料的结构和成分进行表征。首先,制备的自旋阀材料分别在200℃、245℃、255℃、265℃的真空条件(<10-5 Pa)下退火4 h,发现经265℃退火,自旋阀材料会发生明显的层间扩散,从而引起磁电阻率的降低。在选择合适退火温度(245℃)的基础上,研究了退火磁场对自旋阀材料磁电阻率的影响。在245℃的真空环境下,沿着材料的钉扎方向分别施加大小为80、160、240、400、560 kA/m的磁场退火4 h。实验发现经过80和160 kA/m的磁场退火后,材料的磁电阻率由退火前的8.80%分别下降到5.87%和6.31%;经240 kA/m的磁场退火后材料的磁电阻率变为7.91%;经400 kA/m的磁场退火后磁电阻率增大到9.89%;经560 kA/m的磁场退火后磁电阻率进一步增大到10.79%,比退火前增加了22.6%。
李健平钱正洪孙宇澄白茹刘建林朱建国
关键词:自旋阀磁场退火
用退火法重置自旋阀材料钉扎方向的研究
2013年
用磁控溅射法制备了被钉扎层为CoFe/Ru/CoFe的IrMn基底钉扎自旋阀材料,制备过程中自由层与被钉扎层的生长磁保持不变,制备的自旋阀材料的巨磁电阻率为9.30%。在245℃的真空(<10-5Pa)环境下,对在相同条件下制备的自旋阀材料样品在恒定外加磁场下退火2 h,退火磁场方向与自由层易磁化轴垂直,退火磁场大小分别为1 kOe,3 kOe,5 kOe,7 kOe。用四探针法测试了退火后材料的磁电阻曲线。实验发现,当退火磁场为5 kOe时,自旋阀材料的钉扎方向完全转到与自由层易磁化轴垂直的方向,并且保持了退火前的的巨磁电阻率。当退火磁场增大为7 kOe时,退火后自旋阀材料的巨磁电阻率增大到10.19%。
李健平钱正洪白茹孙宇澄
关键词:自旋阀退火
IrMn基自旋阀材料的退火研究
2013年
对被钉扎层为CoFe的常规自旋阀材料和被钉扎层为人工合成反铁磁层(CoFe/Ru/CoFe)结构的自旋阀材料进行退火处理,利用四探针法测得的退火前后材料的磁电阻率。分析退火前后材料磁电阻率的变化,得出温度和磁场对两种自旋阀材料的热稳定性的影响。实验发现:具有合成反铁磁结构的自旋阀材料比常规自旋阀材料具有更好地温度稳定性;在适当的退火温度下,沿自旋阀材料被钉扎方向施加5 kOe的磁场能够增加材料的磁电阻率。
刘建林李健平白茹钱正洪
关键词:自旋阀热稳定性退火
基于IrMn反铁磁钉扎层的自旋阀传感器的热稳定性研究
自1991年B.Dieny在NiFe/Cu/NiFe/FeMn自旋阀结构中发现了巨磁电阻效应后,自旋阀结构多层膜的研究倍受关注[1,2]。由于自旋阀结构多层膜具有高灵敏度、低饱和场、能有效抑制Barkhause噪声等优点...
李健平白茹孙宇澄钱正洪
文献传递
共2页<12>
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