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高等学校全国优秀博士学位论文作者专项资金(201214)

作品数:2 被引量:8H指数:2
相关作者:郑坤韩晓东张泽廖志明高攀更多>>
相关机构:浙江大学北京工业大学昆士兰大学更多>>
发文基金:北京市科技新星计划高等学校全国优秀博士学位论文作者专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇电镜
  • 1篇电学性能
  • 1篇压阻
  • 1篇压阻效应
  • 1篇射电
  • 1篇砷化镓
  • 1篇透射电镜
  • 1篇相变材料
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇溅射
  • 1篇AG掺杂
  • 1篇掺杂
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇GAAS

机构

  • 2篇北京工业大学
  • 2篇浙江大学
  • 1篇中国人民武装...
  • 1篇昆士兰大学

作者

  • 2篇张泽
  • 2篇韩晓东
  • 2篇郑坤
  • 1篇王晓东
  • 1篇张斌
  • 1篇张滔
  • 1篇高攀
  • 1篇廖志明

传媒

  • 2篇电子显微学报

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
弯曲应变下单根GaAs纳米线的电学性能的原位透射电子显微镜研究被引量:5
2015年
在透射电子显微镜下,对单根GaAs纳米线实施了原位弯曲变形并获得了其弯曲变形下的电输运性能特性。本研究中,利用扫描透射探针系统和电子束诱导碳沉积技术,选取了单根GaAs纳米线并将纳米线两端与两根钨针尖连接固定。控制可移动的钨针尖,使GaAs纳米线发生弯曲变形同时获得相应的电流-电压曲线。有限元分析表明当纳米线的两端都固定时,纳米线同时承受了压缩应变和拉伸应变,其中压缩应变分布更为广泛。随着变形增加,GaAs纳米线的电导率增加了55%,这可能归因于弯曲变形下压缩与拉伸应变对GaAs纳米线能带结构的共同作用。
高攀王疆靖王晓东廖志明邵瑞文郑坤韩晓东张泽
关键词:压阻效应电导率
Ag掺杂对Ge2 Sb2 Te5结晶行为的影响被引量:3
2014年
通过磁控溅射仪制备了Ge2Sb2Te5(GST)和Ag10.6(GST)89.4薄膜,利用X射线衍射(XRD)、电阻-温度(RT)测试、透射电子显微学以及径向分布函数(RDF)等方法对比研究了GST和Ag10.6(GST)89.4的结晶过程和微观结构及其演化的差异。发现掺Ag的薄膜非晶态、晶态电阻均比GST更高,而且结晶过程只有非晶相到面心立方相(fcc)的转变,没有出现GST的非晶到fcc再到六方相(hcp)的过程,XRD分析进一步证实了这一结果。同时,透射电镜原位加热实验证实了在300℃时,Ag10.6(GST)89.4仍然保持着fcc结构,而GST中已经出现了hcp相。通过统计230℃下时效处理的晶态薄膜的晶粒尺寸,发现Ag10.6(GST)89.4的平均晶粒尺寸小于Ge2Sb2Te5薄膜的,这可能是造成其晶态电阻高于GST的主要原因。
张滔郑坤张斌邵瑞文韩晓东张泽
关键词:AG掺杂相变材料磁控溅射透射电镜
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