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国家自然科学基金(60077004)

作品数:5 被引量:12H指数:2
相关作者:李建军沈光地邓军韩军郭伟玲更多>>
相关机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇双波长
  • 2篇隧道结
  • 2篇外延层
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇波长
  • 2篇GAAS
  • 1篇单元法
  • 1篇电子学
  • 1篇荧光谱
  • 1篇有限单元法
  • 1篇占空比
  • 1篇射线衍射
  • 1篇可见光
  • 1篇光电
  • 1篇光电子
  • 1篇光电子学

机构

  • 4篇北京工业大学

作者

  • 4篇沈光地
  • 4篇李建军
  • 3篇韩军
  • 3篇邓军
  • 2篇刘莹
  • 2篇邹德恕
  • 2篇邢艳辉
  • 2篇郭伟玲
  • 1篇廉鹏
  • 1篇崔碧峰
  • 1篇鲁鹏程
  • 1篇盖红星

传媒

  • 2篇光电子.激光
  • 1篇量子电子学报
  • 1篇半导体光电
  • 1篇Scienc...

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2004
  • 2篇2003
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
C掺杂GaAs外延层的MOCVD生长被引量:1
2004年
 以CCl4为掺杂源,利用EMCORED125MOCVD系统生长了不同C掺杂浓度的GaAs外延层。通过Hall、PL、DXRD以及在位监测工具Epimetric等手段研究了掺CGaAs层的电学特性、光学特性、晶体质量和生长速度等。
李建军韩军邓军邢艳辉刘莹沈光地
关键词:MOCVDGAAS掺杂
C掺杂GaAs外延层光学特性分析
2006年
对利用EMCORE D125 MOCVD系统生长的以CCl4为掺杂源,分析不同C掺杂浓度的GaAs 外延层光学特性。通过PL、DC XRD测试手段研究了掺C GaAs层,随C掺杂浓度增加,禁带宽度收缩, PL谱峰值半宽增大,晶格常数减小。
邢艳辉李建军邓军韩军盖红星沈光地
关键词:光电子学光荧光谱X射线衍射
隧道带间级联双波长半导体激光器热特性模拟被引量:9
2004年
介绍了隧道带间级联双波长半导体激光器的工作机理,分析了其热量产生的根源,利用有限单元法对热传导方程进行了数值计算,得到了其在脉冲工作下的二维瞬态热分布,结果表明:随着时间的变化,有源区温度逐渐升高,靠近衬底的有源区温度略高一些,这是由于其远离热沉的原因。同时计算了不同占空比下器件内部的温度变化趋势,结果表明随着占空比增大,器件内部热量会逐渐积累,对器件特性会产生影响。
鲁鹏程李建军郭伟玲沈光地刘莹崔碧峰邹德恕
关键词:半导体激光器有限单元法占空比双波长隧道结热特性
隧道带间级联双波长可见光半导体激光器制备被引量:2
2003年
利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)一次外延生长了含有2个有源区的隧道带间级联双波长可见光半导体激光器(LD)材料。其隧道结为GaAs。2个有源区分别为AlGaAs单量子阱和GaInP多量子阱。SEM照片表明,材料生长质量良好。用生长的材料制备了双沟深腐蚀结构F P腔激光器。器件的阈值电流为177mA,未镀膜时的单面斜率效率为1.3W/A,远场为单瓣,垂直和水平方向的发散角分别为8°和34°。在输出光功率为100mW时,2个激射波长分别为699nm和795nm,与PL测试结果相一致。
李建军沈光地郭伟玲廉鹏韩军邓军邹德恕
关键词:半导体激光器双波长隧道结
Novel high-brightness tunneling-regenerated multi-activeregion AlGaInP light-emitting diode
2003年
In order to resolve the prevailing problems in conventional light-emitting diodes (LEDs), novel high-efficiency tunneling-regenerated multi-active-region (TRMAR) LEDs are proposed, which have such advantages as low heat generation, carrier overflow level and non-radiation re-combination rate and whose quantum efficiency and the output optical power can be scaled with the number of the active regions. Experiments show that the on-axis luminous intensity of TRMAR LEDs increases linearly with the number of active regions. The novel LEDs have high quantum efficiency under low current injection and their maximum on-axis luminous intensity exceeds 5 candelas at 20 mA current injection at the peak wavelength of 625 nm with a 15?angle cap.
郭霞沈光地王国宏王学忠杜金玉高国王康隆
关键词:LIGHT-EMITTING
共1页<1>
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