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国家重点基础研究发展计划(G200006831)

作品数:4 被引量:2H指数:1
相关作者:王圩周帆赵玲娟朱洪亮张瑞英更多>>
相关机构:中国科学院长春光机学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇偏振
  • 2篇偏振不灵敏
  • 2篇放大器
  • 1篇增益
  • 1篇输出功率
  • 1篇偏振灵敏度
  • 1篇光放大
  • 1篇光放大器
  • 1篇光学
  • 1篇光学放大器
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体光放大...
  • 1篇半导体光学放...
  • 1篇饱和输出功率
  • 1篇SOA
  • 1篇10GBIT...
  • 1篇BRAGG_...
  • 1篇BUT
  • 1篇CWDM
  • 1篇DFB-LD

机构

  • 4篇中国科学院
  • 1篇长春光机学院

作者

  • 4篇王圩
  • 3篇朱洪亮
  • 3篇赵玲娟
  • 3篇周帆
  • 2篇张瑞英
  • 1篇王保军
  • 1篇王鲁峰
  • 1篇田慧良
  • 1篇董杰
  • 1篇王宝军
  • 1篇胡小华
  • 1篇冯志伟
  • 1篇李宝霞
  • 1篇刘志宏
  • 1篇谢红云
  • 1篇边静
  • 1篇杨华
  • 1篇丁颖
  • 1篇王书荣

传媒

  • 4篇Journa...

年份

  • 3篇2005
  • 1篇2002
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器被引量:1
2002年
采用渐变应变有源区结构 ,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器 ,工作电流在 6 0~ 16 0mA范围内 ,其 3dB带宽范围不小于 35nm ,偏振不灵敏度小于 0 35dB ,自发发射出光功率为 0 18~ 3 9mW .
张瑞英董杰冯志伟周帆王鲁峰王圩
关键词:半导体光学放大器偏振不灵敏SOA
Modified Holographic Exposure to Fabricate Varied Bragg Grating in an Identical Chip
2005年
A new fabricating method is demonstrated to realize two different Bragg gratings in an identical chip using traditional holographic exposure. Polyimide is used to protect one Bragg grating during the first period. The technical process of this method is as simple as that of standard holographic exposure.
谢红云周帆王宝军杨华朱洪亮赵玲娟王圩
关键词:MULTI-WAVELENGTHCWDM
Butt-Joint Monolithically Integrated DFB-LD/EA-MD Light Source for 10Gbit/s Transmission
2005年
This paper reports on the design,fabrication,and performance of an integrated electro-absorptive modulated laser based on butt-joint configuration for 10Gbit/s application.This paper mainly aims at two aspects.One is to improve the optical coupling between the laser and modulator;another is to increase the bandwidth of such devices by reducing the capacitance parameter of the modulator.The integrated devices exhibit high static and dynamic characteristics. Typical threshold current is 15mA,with some value as low as 8mA.Output power at 100mA is more than 10mW.The extinction characteristics,modulation bandwidth,and electrical return loss are measured.3dB bandwidth more than 10GHz is monitored.
李宝霞胡小华朱洪亮王保军边静赵玲娟王圩
宽带偏振不灵敏InGa As半导体光放大器被引量:1
2005年
采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100-250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带宽;在0~250mA工作电流和3dB光带宽波长范围内,偏振灵敏度小于1dB.对于1.55μm的信号光,在200mA的注入电流下获得了15.6dB的光纤到光纤的增益、小于0.7dB的偏振灵敏度和4.2dBm的饱和输出功率.
王书荣王圩刘志宏朱洪亮张瑞英丁颖赵玲娟周帆田慧良
关键词:半导体光放大器偏振灵敏度增益饱和输出功率
共1页<1>
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