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西安应用材料创新基金(XA-AM-09014)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇预置
  • 1篇退火
  • 1篇硫化
  • 1篇后硫化

机构

  • 1篇西安理工大学

作者

  • 1篇马剑平
  • 1篇高杨

传媒

  • 1篇太阳能学报

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Cu-In预置层后硫化法制备CuInS_2薄膜
2013年
采用预置层后硫化法制备CuInS2薄膜,分析硫化退火工艺条件对薄膜性能的影响。利用XRD、EDS、分光光度计等薄膜分析手段表征CuInS2薄膜性能对制备工艺条件的依赖关系。实验结果表明:合适的退火条件可有效改善薄膜的结晶学性能,消除薄膜中的杂质二元相,长时间的高温退火处理会导致薄膜中In、S元素不同程度的损失。在优化工艺条件下制备的样品光学性能良好,光吸收系数达到104cm-1数量级。
马剑平高杨
关键词：硫化退火
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共1页<1>
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