国家自然科学基金(10874216)
- 作品数：1 被引量：2H指数：1
- 相关作者：蔡建旺许涌更多>>
- 相关机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 几种元素的界面插层对Ta/NiFe/Ta的各向异性磁电阻效应的影响被引量：2
- 2011年
- 文章中,通过磁控溅射制备了界面处插入4d,5d元素薄层(包括Ru,Pd,Ag和Au)的Ta/NiFe/Ta多层膜,并对它们的磁输运和磁性以及微结构进行了测试和表征.结果显示,Pd和Pt一样界面效应显著,能有效地提高NiFe薄膜退火前后的AMR比值,并抑制磁性死层.表面能比较小、熔点相对低的插层材料Ag,Au在退火过程中容易通过晶界扩散,强烈破坏其AMR性能.对于熔点高、表面能比较大的插层材料如Ru,磁性死层同样得到了抑制,NiFe薄膜的温度稳定性也可以得到提高.结果表明界面插层从界面电子自旋-轨道散射、界面死层和界面原子扩散等方面深刻影响NiFe薄膜的AMR.
- 许涌蔡建旺
- 关键词：各向异性磁电阻原子扩散
