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国家自然科学基金(69976023): 作品数：10 被引量：37H指数：3; 相关作者：康俊勇徐昌发杨银堂肖细凤黄启圣更多>>; 相关机构：厦门大学西安电子科技大学日本东北大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

GaN中与C和O有关的杂质能级第一性原理计算被引量：17: 2002年; 用局域密度泛函线性丸盒轨道大型超原胞方法 (32个原子 ) ,对纯纤锌矿结构的GaN用调节计算参数 (如原子球与“空球”的占空比 )在自洽条件下使Eg 的计算值 (3 2 3eV)接近实验值 (3 5eV) .然后以原子替代方式自洽计算杂质能级在Eg 中的相对位置 .模拟计算了六角结构GaN中自然缺陷以及与C和O有关的杂质能级位置 ,包括其复合物 .计算结果表明 ,单个缺陷如镓空位VGa、氮空位VN 、氧代替氮ON、炭代替氮CN、炭代替镓CGa等与已有的计算结果基本一致 .计算结果表明杂质复合物会导致单个杂质能级位置的相对变化 .计算了CN ON,CGa CN,CN OV 和CGa VGa,其中CN ON 分别具有深受主与浅施主的特征 ,是导致GaN黄光的一种可能的结构 .; 沈耀文康俊勇; 关键词：GAN 杂质能级氮化镓 O 第一性原理

闪锌矿GaN(001)表面的电子结构被引量：3: 2001年; 采用混合基表示的第一原理赝势方法 ,计算了闪锌矿结构的 Ga N(0 0 1) (1× 1)干净表面的电子结构 .分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质 ,比较了 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面和 N端表面两种情况 .结果显示 ,闪锌矿 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面比 N端表面更稳定 ,这两种 (1× 1)表面都是金属特性 .此外。; 蔡端俊冯夏朱梓忠康俊勇; 关键词：电子结构闪锌矿半导体材料

4H-SiC MESFET的特性研究: 2002年; 对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm。这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势。; 徐昌发杨银堂朱磊; 关键词：MESFET 碳化硅场效应器件

In situ Heating and Thermal Effects in Auger Electron Spectroscopy for GaN: 2006年; An in situ heating system was built for the Auger electron spectroscopy to investigate the thermal effect of Auger lines. A GaN sample was studied in this system. The kinetic energy of Ga LMM and MVV Auger lines were observed to shift negatively with temperature increasing. By using ab initio calculation, the theoretical Ga MVV Auger line shape was fit, which well reflects the inner property of the line. The Auger shift with heating is related with the valence electron rearrangement in the thermal expansion of the local bonds.; Fu-chun XuQi-he ZhangDan-xia Cen

AlGaAs∶Sn中DX中心电子俘获势垒的精细结构被引量：4: 2002年; 采用定电容电压法 ,测量了n型Al0 2 6 Ga0 74 As∶Sn中DX中心电子热俘获瞬态 ,以及不同俘获时间后的电子热发射瞬态 ;并对瞬态数据进行数值Laplace变换 ,得到其Laplace缺陷谱 (LDS) .通过分析LDS谱 ,确定了电子热俘获和热发射LDS谱之间的对应关系 ,从而得到热俘获系数对温度依赖关系 ,以及与Sn相关的DX中心部分电子热俘获势垒的精细结构 ;通过第一原理赝势法计算表明 ,Sn附近的Al; 肖细凤康俊勇; 关键词：DX中心深能级缺陷载流子

4H-SiC MOSFET的温度特性研究被引量：10: 2002年; 对 4H SiCMOSFET的器件结构和温度特性进行了研究 ,总结了器件的结构参数对特性的影响 ,比较了不同温度下的输出特性以及饱和漏电流、阈值电压、跨导、导通电阻与温度的变化关系 ,模拟结果表明 4H SiCMOSFET具有优异的温度特性 ,在 80; 徐昌发杨银堂刘莉; 关键词：4H-SIC MOSFET 碳化硅半导体材料结构参数

超细SnO_2纳米晶粒带边光吸收的线度效应被引量：2: 2001年; 采用超细过滤方法 ,分别制备含有平均线度小于 2nm的超细SnO2 纳米晶粒的酸性和碱性溶胶溶液 .通过动态光散射、X射线衍射和晶粒透射电子显微镜像测量 ,确定了SnO2 晶粒的线度 .对其光吸收谱测量发现 ,超细过滤后酸性和碱性溶胶溶液中晶粒的带边光吸收能量均有明显蓝移 .分析结果表明 ,SnO2 晶粒的线度减小是同类晶粒带边光吸收蓝移的主要原因 .; 康俊勇S.TsunekawaA.Kasuya; 关键词：透射电子显微镜

半导体光电子材料中的缺陷: 2001年; 介绍近年来在族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 .; 康俊勇黄启圣; 关键词：纳米管

用Laplace谱研究缺陷深能级精细结构: 2001年; 用Laplace缺陷谱仪 (LDS)实验研究了GaAsP中Fe深受主上空穴发射和AlGaAs中SnDX中心上电子发射引起的非指数瞬态 ,发现它们起因于混晶无序效应。与DLTS的单一谱峰比较 ,LDS谱呈现出多峰结构。由深能级上空穴与电子热发射率随温度关系的直线拟合 ,得到多峰结构各峰谱的激活能 ,认为它们反映杂质深中心与其近邻原子的不同结构。研究表明 ,LDS适用于深能级精细结构的研究。; 余辛詹华瀚康俊勇黄启圣; 关键词：深能级 LAPLACE谱

AlGaAs∶Sn混晶中的两类类DX中心被引量：1: 2002年; 在测得Ａｌ０．２６Ｇａ０．７４Ａｓ:Ｓｎ混晶中两类类ＤＸ中心的电子热俘获势垒精细结构后,研究和确定了其相关的束缚能、晶格驰豫能和光离化能．采用第一原理赝势法的计算和分析结果表明,Ｓｎ施主杂质次近邻Ａｌ/Ｇａ原子的不同局域组分所引起的Ｓｎ杂质及其最近邻Ａｓ原子的不同晶格驰豫,是产生两类类ＤＸ中心能级精细结构的主要原因．; 肖细凤康俊勇

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