国家重大科学仪器设备开发专项(2011YQ040077)
- 作品数：5 被引量：17H指数：2
- 相关作者：曹军胜郭树旭羊超郜峰利张红伟更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所吉林大学工业和信息化部更多>>
- 发文基金：国家重大科学仪器设备开发专项国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 半导体激光器电导数及其可靠性的研究被引量：2
- 2015年
- 为了探索和验证半导体激光器电导数参数与其可靠性的关系,将12个半导体激光器串联后进行高温加速电老化,直到器件不激射。监测在加速老化过程中半导体激光器电导数参量的变化情况。通过分析老化期间监测的数据,发现电导数曲线在阈值电流处的下沉高度随着老化时间的增加而变小;结特征参量与电导数曲线(在大于阈值电流的工作状态下)在电流I=0处的截距值随着老化过程逐渐变大。并且结特征参量的变化量在早期处于比较小的平稳状态,然后快速增加到一定值并保持一段时间,之后快速下降并最终稳定在比较小的值,这说明器件退化分为3个阶段:在早期退化较慢,之后退化很快并保持一定的退化速度,最后又到了慢速退化期。从实验结果得知电导数参量与器件的寿命和老化程度有密切关系,并且电导数参数可表征半导体激光器的退化状态。
- 刘夏李特路国光郝明明
- 关键词：激光器半导体激光器可靠性电导数
- 低偏置电流下半导体激光器1/f噪声的相关性
- 2016年
- 测量了高功率976nm InGaAs量子阱半导体激光器在低于1/30阈值电流下的低频电噪声,提出了以1/f噪声时域信号小波系数相关性与电流的关系来分析噪声来源的方法.结合1/f噪声源理论模型及小波变换系数的特性,完成了不同偏置电流下纯1/f噪声、加白噪声后的1/f噪声两种情况下的对比实验.实验结果表明:所测的低频噪声表现为明显的1/f噪声,对于纯1/f噪声,噪声幅度和小波系数相关性在判断噪声来源时具有相同的结果;对于加白噪声后的1/f噪声,噪声幅度变化很大且不能正确表征1/f噪声来源,而部分尺度下的小波系数相关性仍能作为判断噪声来源的可靠参量.
- 吴璇子郭树旭羊超关健田超曹军胜郜峰利
- 关键词：半导体激光器可靠性稳定性小波变换偏置电流
- 高功率半导体激光器结温与1/f噪声的关系研究被引量：2
- 2013年
- 高功率半导体激光器的结温上升,不仅影响它的输出功率、斜坡效率、阈值电流和寿命,而且还会产生光谱展宽和波长偏移.因此,热管理成为抽运激光器研发中的一个主要问题.本文首先建立了噪声功率谱与结温变化的物理模型,根据压缩感知理论,将测量得到含有高斯白噪声和1/f噪声的混叠复合噪声信号稀疏化后,进行基追踪算法去噪,通过改变算法的迭代次数及测量矩阵大小,获得1/f噪声电压功率谱与结温变化关系曲线,避免了直接测量结温的复杂性.通过数值估计结果,可以较好地指导高功率半导体激光器的热管理工作.
- 陈海鹏曹军胜郭树旭
- 关键词：热阻高功率半导体激光器
- 单bar大功率半导体激光器寿命评价技术被引量：6
- 2012年
- 大功率半导体激光器工程应用要求其寿命大于109脉冲次数,如何在短时间内快速获得大功率半导体激光器的长寿命指标,是目前业界普遍关注的问题。文中针对808nm大功率半导体激光器单bar器件,进行了温度25℃、电流100 A和温度50℃、电流100 A及温度50℃、电流115 A 3组寿命评价试验,综合利用线性回归分析、最小二乘法、拟合优度检验等统计学相关知识,确定单bar大功率半导体激光器恒温25℃外推寿命为2.86×109次脉冲次数(7 950 h),激光器激活能为0.21 eV,加速因子为1.88。并通过数据分析,确定恒温25℃最佳寿命试验时间为4 000 h,此时,既能保证外推结果的准确性,又能降低试验时间和成本,实现短期寿命试验数据对大功率半导体激光器长寿命的快速评价。
- 路国光黄云雷志锋
- 关键词：半导体激光器激活能
- 关联成像目标重构的伪逆迭代降噪方法被引量：7
- 2017年
- 结合伪逆关联成像和迭代去噪关联成像,提出了关联成像目标重构的伪逆迭代方法.该方法以伪逆关联成像重构结果为初始值,选取合适的与噪声干扰相关的阈值,通过迭代运算逼近实际的噪声干扰,最终抑制噪声并提高重构图像的峰值信噪比.以峰值信噪比和相关系数为衡量标准,将伪逆迭代关联成像的重构结果与差分关联成像、伪逆关联成像进行对比分析.仿真实验结果表明,伪逆迭代方法的峰值信噪比较伪逆关联成像方法、差分关联成像方法分别高出约1.0dB、3.1dB,同时其相关系数、视觉效果也有所改善,验证了该方法的有效性.
- 张红伟郭树旭张驰羊超曹军胜郜峰利
- 关键词：关联成像峰值信噪比
