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国家自然科学基金(21104077)

作品数:3 被引量:0H指数:0
相关作者:王宁田苗苗范翊贺小光李春杰更多>>
相关机构:中国科学院长春师范学院中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇导电薄膜
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇功函数
  • 2篇掺杂
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇阳极
  • 1篇氧化铟
  • 1篇有机电致发光
  • 1篇有机电致发光...
  • 1篇喷涂
  • 1篇喷涂法
  • 1篇钛酸
  • 1篇镧掺杂
  • 1篇纳米
  • 1篇发光
  • 1篇发光器件
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米粒...

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇长春师范学院
  • 2篇中国科学院长...

作者

  • 3篇王宁
  • 2篇李春杰
  • 2篇贺小光
  • 2篇范翊
  • 2篇田苗苗
  • 1篇杨小牛
  • 1篇于立军
  • 1篇徐文涛
  • 1篇郭峰
  • 1篇刘智勇

传媒

  • 2篇发光学报
  • 1篇应用化学

年份

  • 3篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
高功函数的钛酸镧掺杂氧化铟透明导电薄膜的制备与光电特性研究
2012年
制备了一种新型的具有高功函数的掺钛酸镧(LaTiO3)的氧化铟(ILTO)三元透明导电氧化物薄膜,并研究了其光电特性。EDX能谱测试结果证实了样品中In、La及Ti的存在,薄膜的掺杂具有良好的均匀性及一致性。由原子力显微镜测试可知,在一个5μm×5μm的扫描区域内,样品的表面粗糙度(RMS)较小,为1 nm量级。ILTO薄膜在可见光区域的平均透过率超过了85%,其功函数接近于金的功函数(5.2 eV左右),远高于目前商业化的ITO的功函数(4.5~4.7 eV)。由于导电薄膜的功函数在光电器件中对异质结界面的势垒高度有着直接影响,较高的功函数可以提高载流子的注入及抽取能力,因此采用ILTO作为光电器件的阳极将有望改善器件的性能。
田苗苗李春杰贺小光郭峰范翊王宁
关键词:功函数掺杂透明导电薄膜
以ILTO为阳极的高效有机电致发光器件
2012年
以高功函数的掺杂钛酸镧的氧化铟薄膜(ILTO)及氧化铟锡(ITO)作为阳极,制备了Glass/anode/NPB/Alq3/LiF/Al结构的有机电致发光器件。得益于ILTO较好的掺杂性、低的表面粗糙度、高的可见光透过率以及高的有效功函数,以ILTO为阳极的有机电致发光器件的开路电压得到降低,最高亮度、电流效率、功率效率以及外量子效率均获得了成倍的提高。研究结果表明,ILTO是一种潜在的光学窗口材料,有望在各种光电器件中得到广泛的应用。
田苗苗李春杰贺小光于立军范翊王宁
关键词:功函数掺杂透明导电薄膜有机电致发光器件
喷涂法制备大面积倒置聚合物光伏器件
2012年
采用喷涂工艺制备了结构为ITO/ZnO/P3HT∶PCBM/V2O5/Ag(P3HT:聚噻吩;PCBM:6,6-苯基-C61-丁酸甲酯)的大面积倒置光伏器件,有效面积为1.0×1.1 cm2。光谱测试结果表明,退火处理后,P3HT∶PCBM薄膜吸收显著增强,并且产生一定程度的红移。采用ZnO和V2O5代替LiF和PEDOT∶PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)∶聚苯乙烯磺酸盐)作为器件修饰层,避免了PEDOT∶PSS对ITO的腐蚀和LiF潮解,采用Ag代替Al作为金属背电极避免了Al被氧化。经过后退火处理器件的效率从1.1%提升至1.65%。器件的稳定性相对于传统结构有了大幅提升,8周后器件效率只衰减10%。
刘智勇徐文涛王宁杨小牛
关键词:喷涂ZNO纳米粒子
共1页<1>
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