中央高校基本科研业务费专项资金(20110203110012) 作品数:5 被引量:7 H指数:2 相关作者: 刘红侠 卓青青 曹磊 商怀超 蔡惠民 更多>> 相关机构: 西安电子科技大学 更多>> 发文基金: 中央高校基本科研业务费专项资金 国家自然科学基金 高等学校科技创新工程重大项目 更多>> 相关领域: 电子电信 理学 更多>>
栅长对PD SOI NMOS器件总剂量辐照效应影响的实验研究 被引量:1 2012年 本文对PD SOI NMOS器件进行了60Coγ射线总剂量辐照的实验测试,分析了不同的栅长对器件辐射效应的影响及其物理机理.研究结果表明,短沟道器件辐照后感生的界面态密度更大,使器件跨导出现退化.PD SOI器件的局部浮体效应是造成不同栅长器件辐照后输出特性变化不一致的主要原因.短沟道器件输出特性的击穿电压更低.在关态偏置条件下,由于背栅晶体管更严重的辐射效应,短沟道SOI器件的电离辐射效应比同样偏置条件下长沟道器件严重. 彭里 卓青青 刘红侠 蔡惠民关键词:SOI NMOS 总剂量辐照效应 考虑量子效应的高k栅介质SOI MOSFET特性研究 被引量:3 2012年 本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高k栅介质的情况下,对SOIMOSFET的阈值电压进行模拟分析.结果表明:随着纵向电场的增加,量子化效应致使反型层载流子分布偏离表面越来越严重,造成了有效栅氧化层厚度的增加和阈值电压波动.采用高k栅介质材料,可以减小阈值电压,抑制DIBL效应.较快的运算速度保证了模拟分析的效率,计算结果和ISE仿真结果的符合说明了本文的模型精度高. 曹磊 刘红侠关键词:量子化效应 高K材料 SOI 总剂量辐照下沟道长度对部分耗尽绝缘体上硅p型场效应晶体管电特性的影响 被引量:1 2014年 本文通过实验研究了0.8μm PD(Partially Depleted)SOI(Silicon-On-Insulator)p型Metal-oxidesemiconductor-feld-efect-Transistor(MOSFET)经过剂量率为50 rad(Si)/s的60Coγ射线辐照后的总剂量效应,分析了沟道长度对器件辐照效应的影响.研究结果表明:辐照总剂量相同时,短沟道器件的阈值电压负向漂移量比长沟道器件大,最大跨导退化的更加明显.通过亚阈值分离技术分析得到,氧化物陷阱电荷是引起阈值电压漂移的主要因素.与长沟道器件相比,短沟道器件辐照感生的界面陷阱电荷更多. 刘红侠 王志 卓青青 王倩琼关键词:总剂量辐照 阈值电压漂移 前驱体和退火温度对Nd_2O_3薄膜组分影响的定量研究 2013年 采用Nd(thd)3和O3作为反应前驱体,利用先进的原子层淀积方法在P型硅(100)衬底上制备了超薄Nd2O3介质膜,并在N2气氛下进行了退火处理.采用X射线光电子能谱仪对薄膜样品组分进行分析.研究结果表明,淀积过程中将前驱体温度从175℃提高到185℃后,薄膜的质量得到提高,O/Nd原子比达到1.82,更接近理想的化学计量比,介电常数也从6.85升高到10.32. 张旭杰 刘红侠 范小娇 樊继斌关键词:原子层淀积 ND2O3 低剂量率^(60)Co γ射线辐照下SOI MOS器件的退化机理 被引量:2 2012年 本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结果表明:界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同,主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同. 商怀超 刘红侠 卓青青关键词:低剂量率 总剂量效应 KINK效应 跨导