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国家重点实验室开放基金(51433030404DZ1501)
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
相关作者:
刘远
何玉娟
李斌
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相关机构:
广东工业大学
信息产业部电子第五研究所
华南理工大学
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发文基金:
国家重点实验室开放基金
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相关领域:
电子电信
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广东工业大学
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信息产业部电...
作者
1篇
李斌
1篇
何玉娟
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刘远
传媒
1篇
微电子学
年份
1篇
2010
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电场偏置对MOS器件电离辐射效应的影响
被引量:3
2010年
研究了外加电场对MOS器件电离辐射效应的影响。采用10 keV X射线对MOS器件在正/反电场偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOS器件辐射前后阈值电压的漂移量。实验结果表明,正偏情况下MOS器件的阈值电压漂移量远大于反偏情况下MOS器件的阈值电压漂移量。基于一维连续性方程,在考虑电子-空穴对的复合/逃逸率、电子及空穴的捕获横截面与外加电场关系的基础上,模拟了辐射诱生栅氧化层内陷阱电荷与辐射总剂量之间的关系,分析了陷阱电荷对MOS器件阈值电压的影响,仿真结果与实验数据吻合良好。
刘远
李斌
何玉娟
关键词:
MOSFET
栅氧化层
电离辐射
总剂量辐射
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