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国家重点实验室开放基金(51433030404DZ1501)

作品数:1 被引量:3H指数:1
相关作者:刘远何玉娟李斌更多>>
相关机构:广东工业大学信息产业部电子第五研究所华南理工大学更多>>
发文基金:国家重点实验室开放基金博士科研启动基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电离辐射
  • 1篇电离辐射效应
  • 1篇氧化层
  • 1篇栅氧化
  • 1篇栅氧化层
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐射
  • 1篇MOSFET
  • 1篇MOS器件

机构

  • 1篇广东工业大学
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 1篇李斌
  • 1篇何玉娟
  • 1篇刘远

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2010
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
电场偏置对MOS器件电离辐射效应的影响被引量:3
2010年
研究了外加电场对MOS器件电离辐射效应的影响。采用10 keV X射线对MOS器件在正/反电场偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOS器件辐射前后阈值电压的漂移量。实验结果表明,正偏情况下MOS器件的阈值电压漂移量远大于反偏情况下MOS器件的阈值电压漂移量。基于一维连续性方程,在考虑电子-空穴对的复合/逃逸率、电子及空穴的捕获横截面与外加电场关系的基础上,模拟了辐射诱生栅氧化层内陷阱电荷与辐射总剂量之间的关系,分析了陷阱电荷对MOS器件阈值电压的影响,仿真结果与实验数据吻合良好。
刘远李斌何玉娟
关键词:MOSFET栅氧化层电离辐射总剂量辐射
共1页<1>
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