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国家自然科学基金(1035021)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：罗文芸贺新福王传珊黄小龙樊胜更多>>
相关机构：中国原子能科学研究院上海大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇质子
  • 1篇砷化镓
  • 1篇中能质子
  • 1篇SI
  • 1篇硅
  • 1篇GAAS

机构

  • 1篇上海大学
  • 1篇中国原子能科...

作者

  • 1篇王朝壮
  • 1篇樊胜
  • 1篇黄小龙
  • 1篇王传珊
  • 1篇贺新福
  • 1篇罗文芸

传媒

  • 1篇高能物理与核...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
中能质子在Si和GaAs中导致的非电离能损研究被引量：5
2006年
非电离能损(NIEL)引起的位移损伤效应是空间装置失效的原因之一．运用改进的Monte Carlo程序SHIELD,建立了质子的NIEL计算手段,模拟计算了能量范围在10-400MeV的中能质子在硅和砷化镓中的NIEL的大小和分布．
罗文芸王朝壮贺新福樊胜黄小龙王传珊
关键词：质子硅砷化镓
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