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江苏省自然科学基金(BK2011436)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多波长
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇INGAN/...
  • 1篇LED
  • 1篇波长
  • 1篇INGAN

机构

  • 1篇江南大学

作者

  • 1篇高淑梅
  • 1篇李果华
  • 1篇杨国锋

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
半极性面上生长InGaN/GaN多量子阱结构在LED制备中的应用
2013年
利用选择性横向外延生长法可以沿不同的生长方向生长出不同的GaN半极性面,进而可以生长出不同的半极性多量子阱LED结构。这种结构可以实现单芯片LED的多波长发光。结果表明:通过生长模板和生长条件的改变可以控制不同GaN半极性面的形成,从而控制InGaN/GaN多量子阱LED的发光波长从蓝光到绿光甚至是白光可调控。
杨国锋李果华高淑梅
关键词：INGANLED
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