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国家教育部博士点基金(2011110312001)

作品数：2 被引量：3H指数：1
相关作者：胡冬青吴立成魏峰贾云鹏吴郁更多>>
相关机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家电网公司科技项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇快恢复二极管
  • 2篇二极管
  • 1篇电流
  • 1篇终端结构
  • 1篇临界场
  • 1篇结终端
  • 1篇静电放电
  • 1篇ESD
  • 1篇新结构

机构

  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇吴郁
  • 2篇贾云鹏
  • 2篇魏峰
  • 2篇吴立成
  • 2篇胡冬青
  • 1篇周新田
  • 1篇周东海

传媒

  • 1篇电子科技
  • 1篇半导体技术

年份

  • 2篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
改善高压FRD结终端电流丝化的新结构被引量：1
2013年
动态雪崩问题是影响高压硅功率二极管如高压快恢复二极管(FRD)坚固性的一个主要因素。文中通过仿真计算,比较了高压FRD两种不同终端结构的动态雪崩特性。结果表明,横向变掺杂2(VLD)终端结构的动态雪崩耐量比结终端延伸(JTE)结构更优。为改善后者动态雪崩过程中结终端处的电流丝化问题,文中提出改用P+/P阳极结构中的P型缓冲层做介于有源区与终端区之间的电阻区。仿真结果表明,相应的电流丝化问题可得到显著缓解。
吴立成吴郁魏峰贾云鹏胡冬青金锐査祎影
关键词：快恢复二极管终端结构
功率快恢复二极管反偏ESD机理分析被引量：2
2013年
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性电流源,对功率快恢复二极管(FRD)反偏ESD过程进行仿真计算。基于器件外端电压波形经历过冲、负阻和振荡以及平缓发展三个阶段,分析了器件内部相应的一系列复杂变化。结果表明:器件内部的"过耗尽"、雪崩注入、载流子及电场分布涨落等变化,最终导致电流在pn结拐角处形成局部集中。最后,分析了器件结构参数对抗ESD能力的影响。
魏峰吴郁周新田周东海吴立成贾云鹏胡冬青金锐刘钺杨
关键词：临界场
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