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陕西省教育厅科研计划项目(2013JK0908)
陕西省教育厅科研计划项目(2013JK0908)
作品数:
2
被引量:4
H指数:1
相关作者:
刘翠霞
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Cu掺杂ZnSe光电性质的第一性原理计算
被引量:1
2014年
为研究Cu掺杂对ZnSe晶体的光电性能的影响,采用第一性原理的平面波赝势方法和广义梯度近似,研究了闪锌矿ZnSe掺杂Cu前后的电子结构和光学性质.比较了掺杂前后的电子能带结构、总态密度、分态密度、吸收光谱和介电函数.研究结果表明:ZnSe本体为直接带隙半导体.掺杂Cu后,ZnSe晶体表现出明显的金属性.本征吸收区明显向低能端移动,约位于0.9-6.0eV.吸收系数明显降低33%.在低能端产生了新的价电峰,可以吸收较低能量的光子.
刘翠霞
坚增运
朱满
陈连阳
关键词:
CU掺杂
光电性质
第一性原理
碘输运剂对CVT法制备ZnSe单晶的性能影响研究
被引量:3
2014年
采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体。比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM和EDS检测方法分析了ZnSe晶体的结构、形貌和成分。结果表明:I2含量对ZnSe晶体性能具有重要的影响,通过比较3组I2含量所制备的ZnSe晶体,确定出当I2含量为4mg/cm3时,所生长的ZnSe晶体具有较好的结晶质量,其晶格常数为5.668nm。测定ZnSe中Zn与Se的原子分数比为1:0.99,且只有1个衍射峰(2θ=-27.2°),其晶面指数为(111)。SEM图像表面比较平滑,没有明显气孔。在此条件下,ZnSe晶体的红外透过性能最好,红外透过率为53.07%-62.61%。其他两种I2含量下所生长的ZnSe晶体结晶质量较差,XRD图谱显示有多个衍射峰,SEM图像表面凹凸不平,有明显气泡和孔洞,并且其红外透过率较低。
刘翠霞
坚增运
罗贤
王宇鹏
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