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天津市高等学校科技发展基金计划项目(20120905)
作品数:
1
被引量:6
H指数:1
相关作者:
袁虎臣
徐生艳
张颖涛
李岚
耿耀辉
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相关机构:
天津理工大学
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天津市高等学校科技发展基金计划项目
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袁虎臣
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光电子.激光
年份
1篇
2014
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Si^(4+)掺杂对Gd_(1.6)WO_6:Eu_(0.4)^(3+)荧光粉发光特性的影响
被引量:6
2014年
采用高温固相法合成了不同Si 4+掺杂比例的Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉,分析了Si 4+掺杂对Gd1.6(W1-x Six)O6:Eu3+0.4荧光粉晶格结构的影响,研究了不同Si 4+掺杂比例下的XRD谱、激发光谱、发射光谱和衰减曲线。结果发现:Si 4+的掺杂改变了基质的结构,使得激活剂离子Eu3+周围的晶体场改变,从而改变了荧光粉的发光效率,当Si 4+的掺杂浓度达到0.4mol时,晶体对称性最差,粉体发光强度最大。根据发射光谱和衰减曲线计算了样品的J-O强度参数和无辐射跃迁几率,结果表明适量的Si 4+掺杂可以抑制无辐射跃迁,提高发光强度。计算结果与实验结果相符。
耿耀辉
徐生艳
张颖涛
袁虎臣
李岚
关键词:
GDL
发光强度
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