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国家自然科学基金(51101028)

作品数:8 被引量:8H指数:2
相关作者:余忠孙科兰中文许志勇朱光伟更多>>
相关机构:电子科技大学成都工业学院全球能源互联网研究院有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基金国家电网公司科技项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 8篇中文期刊文章

领域

  • 7篇理学
  • 5篇电气工程
  • 5篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇磁性能
  • 4篇溅射
  • 3篇射频磁控
  • 3篇射频磁控溅射
  • 3篇铁氧体
  • 3篇膜厚
  • 3篇磁控
  • 3篇磁控溅射
  • 2篇形貌
  • 2篇铁氧体薄膜
  • 2篇薄膜厚度
  • 2篇钡铁氧体
  • 2篇钡铁氧体薄膜
  • 1篇单层膜
  • 1篇电子束蒸发
  • 1篇氧含量
  • 1篇双层膜
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁共振
  • 1篇铁磁共振线宽

机构

  • 7篇电子科技大学
  • 2篇成都工业学院
  • 1篇四川大学
  • 1篇国网辽宁省电...
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 5篇兰中文
  • 5篇孙科
  • 5篇余忠
  • 3篇朱光伟
  • 3篇许志勇
  • 2篇张霞
  • 2篇杨艳
  • 1篇李强
  • 1篇李雪
  • 1篇柴治
  • 1篇蒋晓娜
  • 1篇黄晓东
  • 1篇杨长龙
  • 1篇李金龙
  • 1篇曾玉琴

传媒

  • 7篇磁性材料及器...
  • 1篇Intern...

年份

  • 2篇2020
  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
溅射功率对M型钡铁氧体薄膜磁性能的影响被引量:1
2013年
采用射频磁控溅射法制备了c轴垂直膜面取向的M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了溅射功率对BaM薄膜取向及磁性能的影响。结果表明,在溅射功率为80W、110W、140W和170W时所制备的BaM薄膜均具有一定程度的c轴垂直膜面取向,但溅射功率的增高会造成薄膜内晶粒取向混乱,导致薄膜磁晶各向异性降低;当溅射功率为140W时,薄膜具有最高饱和磁化强度(Ms)303kA/m和最小面外方向矫顽力(Hc⊥)191kA/m;适当低的溅射功率更有利于制得磁晶各向异性强的薄膜。
朱光伟余忠孙科许志勇张霞兰中文
关键词:射频磁控溅射溅射功率C轴取向磁性能
膜厚对NiFe单层膜及NiFe/FeMn双层膜性能的影响对比研究被引量:4
2020年
采用直流磁控溅射法在Si(111)基片上制备不同厚度的NiFe单层膜、NiFe/FeMn双层膜,结合原子力显微镜(AFM)、振动样品磁强计(VSM)及电子顺磁共振(EPR)波谱仪研究了纳米膜的微观形貌、表面粗糙度、静磁性能及微波磁性能。结果表明,相对于NiFe单层膜,反铁磁性覆盖层FeMn的引入,使NiFe/FeMn双层膜的共振场(Hres)下降,与自旋波共振相关的有效交换场得以提升,说明在一定的外加稳恒磁场下,利用铁磁/反铁磁(FM/AF)多层膜结构所产生的钉扎效应能够提高薄膜的共振频率。在20~70 nm的NiFe薄膜厚度范围内,单层膜的共振场为1289~1354Oe,而双层膜的共振场降至1089~1118 Oe。
钟秋雨刘昕陈川孙科邬传健郭荣迪余忠兰中文
关键词:形貌磁性能
Ni0.25Zn0.15Fe2.6O4种子层对NiZn铁氧体双层膜性能的影响被引量:2
2020年
采用旋转喷涂法在Si(100)基片上制备Ni0.25Zn0.15Fe2.6O4(100 nm)铁氧体薄膜作为种子层,然后在种子层上采用射频磁控溅射法沉积Ni0.25Cu0.09Zn0.66Fe1.998O4(600 nm)铁氧体薄膜。研究了种子层对NiZn铁氧体双层膜微观形貌、饱和磁化强度、矫顽力、磁导率及截止频率的影响。结果表明,Ni0.25Zn0.15Fe2.6O4种子层的引入促进了NiZn铁氧体双层膜尖晶石相的晶化和晶粒生长。NiZn铁氧体双层膜的饱和磁化强度Ms为420 kA/m,矫顽力Hc为5.9kA/m,截止频率fr为1.37 GHz,磁导率μ’(300 MHz)高达202。
闫妍孙科杨长龙王炜郭荣迪蒋晓娜余忠兰中文
关键词:矫顽力磁导率
氧含量与溅射气压对NiO薄膜形貌和结构的影响被引量:2
2014年
利用直流反应磁控溅射在O2和Ar混合气氛下,在Si(111)衬底上沉积NiO薄膜,采用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜晶体结构及形貌进行分析,研究了氧含量和溅射气压对NiO薄膜择优取向和表面形貌的影响。结果表明:低氧含量下,NiO(220)晶面择优生长,薄膜表面为典型的蠕状结构;较高氧含量下,薄膜择优(111)晶面生长,织构呈现有序状态;随着溅射气压的增高,择优取向先变差再变明显,薄膜晶粒先增大后减小。
曾玉琴杨艳余忠孙科朱光伟许志勇兰中文
关键词:氧含量溅射气压微观结构形貌
薄膜厚度对Ni-Zn铁氧体薄膜性能的影响
2012年
采用射频磁控溅射法在Si(100)基片上沉积Ni0.5Zn0.5Fe2O4铁氧体薄膜,研究了薄膜厚度对其结构和性能的影响。结果表明,在800℃空气中退火时,Si基片与Ni-Zn铁氧体薄膜存在相互渗透。随薄膜厚度增加,薄膜样品晶格常数及晶粒尺寸增大,饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc均略有增加。
李雪余忠孙科李金龙黄晓东兰中文
关键词:射频磁控溅射薄膜厚度磁性能
厚度对M型钡铁氧体薄膜结构及磁性能的影响被引量:1
2015年
采用射频(RF)磁控溅射法在蓝宝石基片上制备M型钡铁氧体(BaM)薄膜,研究了薄膜厚度对BaM铁氧体薄膜的结构及磁性能影响.结果显示,样品的衍射峰全部为BaM薄膜的(00l)衍射峰,表明样品都具有良好的c轴取向性.显微结构分析结果表明,在膜厚为40~90nm范围内,薄膜样品表面主要为c轴取向的片状晶粒,未出现c轴随机取向的针状晶粒;当样品厚度增加至140nm时,出现了较明显的针状晶粒;随着薄膜厚度进一步增加到190nm时,样品表面出现了大量c轴随机取向的针状晶粒,且部分针状晶粒长度达到了μm级.磁性能测试结果显示,随着薄膜厚度的增加,薄膜样品饱和磁化强度降低,垂直膜面方向矫顽力和剩磁比减小,膜厚40~90nm范围的薄膜在垂直膜面方向获得了最大剩磁比和矫顽力,表现出较好的磁晶各向异性.
郭辉莉杨艳柴治孙科李强余忠蒋晓娜兰中文
关键词:射频磁控溅射薄膜厚度磁性能
基片温度对Ni_(81)Fe_(19)薄膜磁性能的影响
2013年
采用电子束蒸发法在Si(111)基片上制备厚度约为100nm的Ni81Fe19薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构及磁性能的影响。结果表明,随着基片温度的升高,Ni81Fe19薄膜(111)衍射峰逐渐锐化,衍射峰强度显著增强,薄膜晶粒逐渐长大;薄膜的饱和磁化强度(Ms)及面内矫顽力(Hc)随基片温度的升高均逐渐增大;随着基片温度的升高,薄膜在9GHz下的共振场(Hr)呈单调降低的趋势,而铁磁共振线宽(ΔH)则先减小后增大最后基本保持不变。当基片温度为100℃时,薄膜铁磁共振线宽具有最小值ΔH=7.44kA/m(9GHz)。
张霞兰中文孙科余忠许志勇朱光伟
关键词:电子束蒸发基片温度磁性能铁磁共振线宽
Structural and magnetic properties of ZnFe_2O_4 films deposited by low sputtering power
2012年
To validate the correctness of the Hartman-Perdok Theory (HPT), which indicates that the { 111 } planes have the lowest surface energy in spinel ferrites, the {111} plane orientated ZnFe204 thin films on Si(100), Si(111), and SIO2(500 nm)/Si(111) substrates were obtained through a radio frequency (RF) magnetron sputtering method with a low sputtering power of 80 W. All of the experiments prove that the atom energy determined by sputtering power plays an important role in the orientated growth of the ZnFe204 thin films, and it matches well with HPT. The ZnFe2O4 thin films exhibit ferromagnetism with a magnetization of 84.25 ld/mol at room temperature, which is different from the bulk counterpart (antiferromagnetic as usual). The ZnFe204 thin films can be used as high-quality oriented inducing buffer layers for other spinel (Ni, Mn)Zn ferrite thin films and may have high potential in magnetic thin films-based devices.
Jin-long LiZhong YuKe SunXiao-na JiangZhong-wen Lan
关键词:FERROMAGNETISM
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