国家自然科学基金(50410179)
- 作品数：74 被引量：313H指数：9
- 相关作者：肖定全余萍朱建国赁敦敏陈连平更多>>
- 相关机构：四川大学四川师范大学香港理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金霍英东青年教师基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学化学工程更多>>
- 钛酸铋钠钾锂无铅陶瓷的柠檬酸制备技术被引量：10
- 2006年
- 以钠、钾、锂的碳酸盐为原料,采用柠檬酸盐—凝胶法制备了B i0.5(Na1-x-yL ixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,研究了影响凝胶合成的各种工艺条件,利用TG-DTA,SEM,XRD,纳米粒度分析等技术分析了凝胶预烧温度及预烧粉体的粒度分布。研究结果表明:柠檬酸与金属离子的物质的量比、溶液浓度、pH是影响前驱液与凝胶形成的主要因素;用柠檬酸盐—凝胶法合成的B i0.5(Na1-x-yL ixKy)TiO3粉体粒度细小均匀,合成温度低;陶瓷的压电常数d33可达138 pC/N,其平面机电耦合系数kp为0.30。
- 廖运文赁敦敏肖定全朱建国余萍
- 关键词：无铅压电陶瓷
- BaTiO_3薄膜的水热合成与分析表征被引量：1
- 2006年
- 采用水热合成法直接在高纯钛金属薄片上制备了BaTiO3薄膜；研究了水热反应温度对制备BaTiO3薄膜的影响；利用X-射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和X-射线光电子能谱（XPS）对制备的薄膜进行分析表征。研究结果表明，当水热反应温度相对较低（低于200℃）时，得不到纯净的四方钙钛矿BaTiO3薄膜；在250℃下水热反应5h，得到了纯净的四方钙钛矿BaTiO3薄膜，薄膜的晶粒呈球形，平均粒径为φ200-300nm。
- 高道江余萍毕剑赖欣肖定全
- 关键词：水热合成
- 室温电化学制备的SrWO_4多晶膜的团簇生长实验研究被引量：1
- 2005年
- 采用室温恒电流电化学技术,在含Sr2+的碱性溶液中制备出了结晶良好的、形貌可控的Sr WO4多晶膜,研究了电流密度、电极间距和衬底的处理方式,对Sr WO4多晶膜的团簇生长的影响及产生的原因.SEM分析表明,在不同的条件下,多晶膜的团簇生长行为也会有所不同.实验结果表明电流密度是影响沉积膜形貌的最主要因素,当它降到0.05mA/cm2时团簇会消失,Sr WO4多晶膜呈现层状或近层状生长;电极间距也是影响沉积膜形貌的主要因素,当它达到4.5cm时团簇已经基本消失;衬底的粗糙程度也会影响沉积膜形貌,但相对于电流密度和电极间距来说,影响的程度要小得多.作者认为,生长团簇的出现是由于材料的结构特性、晶体生长的物理化学条件等综合因素的影响而产生的.
- 陈连平余萍肖定全毕剑金晓玲杨祖念
- 关键词：团簇
- 无铅压电陶瓷中频滤波器的研制被引量：1
- 2005年
- 采用本组发明的BNKLT系无铅压电陶瓷,研制了中频陶瓷滤波器.该体系陶瓷具有较高的使用温度,在160℃以上仍然具有较强压电性.利用此体系材料,采用轮廓振动模式,制作了插损约为3dB,中心频率约为530kHz,带宽约为8.8kHz,左、右选择性均良好的无铅压电陶瓷单片式中频滤波器;采用全电极径向振动模式,制作了插入损耗小于6dB、阻带损耗大于30dB、频率特性曲线平滑、具有良好选择性的中频(IF=460kHz)多节带通滤波器.与含铅压电陶瓷多节滤波器相比,BNKLT无铅压电陶瓷滤波器的特性还有差距,有待改进;而对单片式滤波器来说,除中心频率以外,大部分指标可满足村田公司同类含铅陶瓷中频滤波器(SFU系列)产品标准,具有良好的应用前景.
- 李灵芝肖定全赁敦敏朱建国余萍
- 关键词：无铅压电陶瓷插入损耗
- TGG和RTGG在压电陶瓷方面的研究进展被引量：7
- 2005年
- 织构型多晶压电陶瓷,以其相对于非织构型陶瓷优越的性能并且相对于单晶有造价低廉的特性,近年来受到广泛的关注和研究,而TGG(Templated Grain Growth)和RTGG(Reactive-Templated Grain Growth)是制备织构型多晶陶瓷的两种典型的方法.本文介绍和比较了这两种制备技术,总结了近年来有关TGG和RTGG制备技术的研究进展,并为这两种技术今后的研究提出了一些建议.
- 冯斌肖定全
- 关键词：压电陶瓷织构陶瓷
- [Bi_()0.5(Na_(1-x)Ag_x)_(0.5)]_(1-y)Ba_yTiO_3系压电陶瓷研究被引量：6
- 2006年
- 用Ag+和Ba2+部分取代(Bi0.5Na0.5)TiO3(BNT)基无铅压电陶瓷的A位离子,获得了一类具有钙钛矿结构的新型无铅压电陶瓷体系,并申请了国家发明专利。该体系压电陶瓷的分子式可用[Bi0.5(Na1-xAgx)0.5]1-yBayTiO3表示。当x=0.06,y=0.06时,该压电陶瓷的压电常数d33为168 pC/N,机电耦合系数kp为0.31;掺入适量锰离子可将该陶瓷的机械品质因数Qm提高到160以上,同时其介电损耗tanδ可降低至0.020。该无铅压电陶瓷体系可采用传统陶瓷工艺和电子陶瓷公司在工业生产中使用原料来制备,其制备工艺性很好。
- 吴浪肖定全赁敦敏朱建国余萍鄢洪建廖运文王孝平
- 关键词：钛酸铋钠钛酸钡无铅压电陶瓷
- 白钨矿型钼酸锶基材料的研究进展被引量：2
- 2011年
- 具有白钨矿结构的钼酸锶基材料,在发光、光探测、光调制等多个领域中有广泛应用。结合作者及所在课题组10多年的相关研究结果和国际研究状况,总结了白钨矿型钼酸锶基材料的研究进展;分析了钼酸锶基固溶体材料的研究现状;归纳了钼酸锶基材料的研究新动向;展望了白钨矿型钼酸锶基材料的发展趋势。
- 刘洋余萍肖定全田云飞李园利刘旭
- 关键词：发光
- 碳纳米管内药物传输机理及其发展趋势被引量：4
- 2010年
- 针对纳米科学技术发展对药物传输方式所带来的革命性变化,综合介绍了基于碳纳米管的分子传输机理的研究结果,指出了相关重要研究结果在药物传输领域中的潜在应用;同时,结合最新研究结果,分析了碳纳米管内药物传输研究的发展趋势,提出了尚需进一步研究的若干问题。
- 陈敏肖定全
- 关键词：碳纳米管
- Bi_(0.5)(Na_(1-x-y)K_xLi_y)_(0.5)TiO_3陶瓷的介电性能与微观结构被引量：5
- 2004年
- 利用传统陶瓷工艺制备了新型的Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5TiO3无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的介电性能和微观结构.研究结果表明,介电常数εr和介质损耗tgδ在K含量为0.20～0.25(摩尔分数)时达到最大值,且随Li含量的增加而增大;介温曲线表明,Bi0.5(Na1-x-yKxLiy)0.5TiO3陶瓷在110～210℃之间出现介质损耗峰,在300～350℃附近出现比较平坦的介电常数峰;陶瓷的最佳烧结条件为1 100～1 150℃,2～3 h;陶瓷晶粒有规则的几何外形,晶粒尺寸为1.2～2.5 μm;Li含量越高,陶瓷的烧结温度越低;K促进了晶粒特定方向的生长.
- 赁敦敏肖定全朱建国余萍庄严
- 关键词：钛酸铋钠无铅压电陶瓷介电性能微观结构
- 从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用被引量：14
- 2004年
- 总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能,以Pb(Ti,Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考,分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外,还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。
- 李灵芝肖定全朱建国余萍赁敦敏鄢洪建
- 关键词：无铅压电陶瓷(BI0.5NA0.5)TIO3钙钛矿结构
