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中国科学院知识创新工程(KJCX2-YW-W24)
作品数:
1
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相关作者:
梁学锦
潘新宇
孟洋
陈东敏
刘紫玉
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梁学锦
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缺陷分布对Ag-SiO2薄膜电阻翻转效应的影响
2012年
通过改变制备条件,研究了Ag-SiO_2薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响.对比不同的热处理实验条件,发现在120℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性;另一方面,在Ar/O_2混合气氛下生长的SiO_2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性.通过实验分析,表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布(Ag填隙原子和氧空位缺陷),从而导致Ag-SiO_2中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭,提出了提高电阻翻转稳定性的必要条件.
张培健
孟洋
刘紫玉
潘新宇
梁学锦
陈东敏
赵宏武
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