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中国科学院知识创新工程(C2-32)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：魏鹏邵秀梅张永刚陈郁唐恒敬更多>>
相关机构：中国科学院中国科学院研究生院更多>>
发文基金：中国科学院知识创新工程国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇探测器
  • 1篇线列
  • 1篇线列探测器
  • 1篇刻蚀
  • 1篇ICP刻蚀
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇P
  • 1篇O
  • 1篇N-

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...

作者

  • 1篇朱耀明
  • 1篇李永富
  • 1篇龚海梅
  • 1篇邓洪海
  • 1篇李雪
  • 1篇唐恒敬
  • 1篇陈郁
  • 1篇张永刚
  • 1篇邵秀梅
  • 1篇魏鹏

传媒

  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于N-on-P结构的背照射延伸波长640×1线列InGaAs探测器被引量：5
2012年
在N-on-P型In0.78Al0.22As/In0.78Ga0.22As外延材料上,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备了背照射640×1线列InGaAs探测器芯片,研究了探测器光电性能.结果表明,室温下单元器件响应截止波长和峰值波长分别为2.36μm和1.92μm,平均优值因子(R0A)为16.0Ω.cm2,峰值量子效率达到了37.5%;在1 ms积分时间下焦平面探测器平均峰值探测率达到了2.01×1011 cmHz1/2/W,响应非均匀性为8.77%,盲元率约为0.6%.
朱耀明李永富李雪唐恒敬邵秀梅陈郁邓洪海魏鹏张永刚龚海梅
关键词：ICP刻蚀线列探测器
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