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作品数： 256被引量：191H指数：6

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作品列表

硅基IV族合金条及其制备方法: 本发明公开了一种硅基Ⅳ族合金条及其制备方法，该硅基Ⅳ族合金条包括：衬底和衬底上的GeSn合金条，可实现直接带隙；其制备方法包括：清洗衬底；将清洗后的衬底送入真空生长腔室，进行脱氢脱氧处理；调节衬底温度；在衬底上共同沉积G...; 王楠薛春来成步文; 文献传递

硅基宽光谱探测器及制备方法: 一种硅基宽光谱探测器及制备方法，该硅基宽光谱探测器，包括：一SOI衬底，包括一底部Si材料层和制作在其上的二氧化硅填埋层以及制作在二氧化硅填埋层上的顶层硅，该顶层硅位于二氧化硅填埋层的中间，该二氧化硅填埋层的两侧形成台面...; 刘智成步文何超李传波薛春来王启明

场效应晶体管器件: 本发明公开了一种场效应晶体管器件，该器件包括：复合钝化层，包括：第一钝化层，设置于场效应晶体管的栅电介质层上，并覆盖该场效应晶体管的源电极、漏电极和栅电极；和第二钝化层，设置于该第一钝化层上；以及，横向场板，设置与栅电极...; 马培培郑军成步文; 文献传递

重掺B对应变SiGe材料能带结构的影响被引量：5: 2007年; 硅锗异质结双极晶体管(SiGeHBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGeHBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正,并分析了重掺杂引起的带隙收缩在导带和价带的分布.; 姚飞薛春来成步文王启明; 关键词：SIGE材料

Si基长波长GeSiHPT探测器的研制: 2002年; 随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。; 毛容伟李成成步文黄昌俊左玉华李传波罗丽萍滕学恭余金中王启明; 关键词：锗化硅半导体光电探测器光通信

红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片: 本发明提供了一种红外光电器件及其制备方法与硅基光电集成芯片。红外光电器件包括：衬底，所述衬底上形成有p型掺杂区和n型掺杂区，其中，所述p型掺杂区与所述n型掺杂区不接触；单晶窄带隙材料台面，设置于所述衬底的上表面，且位于所...; 黄秦兴刘香全郑军刘智门涛左玉华成步文

适用LED光源泵浦的掺铒光放大器材料的制备方法: 一种适用LED光源泵浦的掺铒光放大器材料的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取SrmBanSixOy：Er3+/...; 郑军成步文王启明; 文献传递

硅基稀土掺杂电致发光器件: 本发明一种硅基稀土掺杂电致发光器件，其中包括：一p－型或n－型硅衬底；一稀土掺杂硅基发光材料，该稀土掺杂硅基发光材料制作在p－型或n－型硅衬底上，该稀土掺杂硅基发光材料是器件的有源区；一纳米尺寸厚度的介质层作为加速层，此...; 张建国王晓欣成步文余金中王启明; 文献传递

一种硅基电吸收调制器及其制备方法: 本发明提供了一种硅基电吸收调制器及其制备方法。该调制器基于电吸收的方式利用电压调节半导体的光吸收系数，从而实现光信号强度的调节。由于硅是一种弱电光材料，因此引入了在通信波段C波段有显著的电光吸收调节效应，同时与现CMOS...; 刘智成步文薛春来