张皓月
作品数： 6被引量：1H指数：1
  • 所属机构:吉林大学
  • 所在地区:吉林省 长春市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

胡礼中
作品数：102被引量：174H指数：7
供职机构：大连理工大学
研究主题：ZNO薄膜 电极 光致发光 激光器 金属有机物化学气相沉积
殷景志
作品数：62被引量：70H指数：4
供职机构：吉林大学电子科学与工程学院
研究主题：读出电路 半导体光放大器 ZNO薄膜 光参量振荡器 INP基
刘式墉
作品数：327被引量：582H指数：12
供职机构：吉林大学
研究主题：有机电致发光器件 激光器 OLED 有机电致发光 掺杂
作品列表
适于单片集成光发射机的沟道半绝缘GaAs补底GaAlAS/GaAs掩埋异质结构(BH)激光器
张皓月
低龄老年群体手机媒介使用与“银发经济”发展研究
当前,随着老年人口占比的提升,我国已逐渐进入一个“老龄化社会”,随着老年人口比重的进一步增加,老龄化社会的程度和深度也在逐步挺进。“老龄化”作为一种趋势在经济上的表现是老年消费者的比例的相应增加,老年人消费市场在逐渐扩大...
张皓月
关键词：银发经济手机使用老龄化
沟道SI－GaAs衬底上正装GaAlAs／GaAs　BH激光器的制作
1994年
介绍了宽沟道ＳＩ－ＧａＡｓ衬底上的ＢＨ激光器的制作，全部结构由两次外延形成，阈值电流为５５ｍＡ。在Ｉ＝２Ｉｔｈ时，Ｐ－Ｉ曲线仍保持良好的线性关系。
殷景志胡礼中张皓月
关键词：GAALAS激光器BH激光器
内镜下组织胶注射治疗非静脉曲张性上消化道出血疗效的Meta分析
目的:通过Meta分析以评估内镜下组织胶注射在非静脉曲张性上消化道出血治疗中的应用价值,并将其与内镜下肾上腺素注射治疗或者标准内镜下治疗(机械治疗或热凝治疗,联合或不联合肾上腺素注射治疗)进行对比。对这些治疗方式的疗效和...
张皓月
关键词：组织胶上消化道出血非静脉曲张性内镜治疗META分析
适于单片集成光发射机的沟道半绝缘GaAs衬底 GaALAS/GaAs掩理异质结构(BH)激光器
张皓月
宽沟道SI-GaAs衬底上适于光发射机的BH激光器
1990年
目前,光发射机中的激光器有采用MOCVD和MBE方法生长的多量子阱激光器,用LPE法生长的BH激光器。我们根据现有的实验条件,为了制作单片集成的光发射机,在沟道SI-GaAs衬底上采用两次液相外延生长BH激光器,实现了表面平面化。在800℃一次外延生长四层。第一层n^+-GaAs缓冲层,第二层N-GaAlAs下限制层,第三层非掺杂构GaAs有源层,第四层为P-GaAlAs上限制层。采用适当的腐蚀条件刻蚀出有源区最窄的燕尾形隐埋条。在二次外延中,我们仅装一槽GaAlAs源液,在晶片上仅停留一次便生长出两个掩埋层,且层间界面与有源区自对准。上层为N-GaAlAs,载流子浓度为10^(16)cm^(-3),下层为高阻伴随生长层。由于高阻伴随层的存在对电流产生了有有效的侧向限制作用,因此避免了通常的SiO_2膜沉积等一系列工艺,提高了成品率,减化了工艺程序。利用n型掩埋层和隐埋条区P型上限制层之间铝组分及载流子类型、浓度的差异,虽然做一种宽接触电极,但由于隐埋条区上有良好的欧姆接触,而在掩埋层上为非良欧姆接触,所以起到了一定的电流外限制作用。n型电极是从n^+-GaAs层引出的。 这种沟道SI-GaAs衬底正装GaAlAs/GaAs BH激光器室温连续工作阈值电流为55mA,P-I曲线在100℃仍有良好的线性关系。如果我们将隐埋条做得更窄。
张皓月胡礼中杨东辉刘式墉
关键词：激光器SI-GAAS衬底光发射机