蔡加法
作品数: 54被引量:54H指数:4
  • 所属机构:厦门大学
  • 所在地区:福建省 厦门市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:福建省自然科学基金

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一维阵列MSM 4H-SiC紫外光电探测器的研制被引量:2
2008年
采用Ni/Au作为肖特基接触制备了一维阵列MSM4H-SiC紫外光电探测器,并测量和分析了阵列器件的I-V、光谱响应特性.结果表明,阵列探测器性能均匀性好,击穿电压均高于100V.阵列中单器件暗电流小,在偏压为20V的时候,最大暗电流均小于5pA(电流密度为5nA/cm2),光电流比暗电流高3个数量级以上.其光谱响应表明,单器件在电压为20V时的响应度约为0.09A/W,比400nm时的比值均大5000倍,说明探测器具有良好的紫外可见比.
杨伟锋蔡加法张峰刘著光吕英吴正云
关键词:4H-SIC响应度
掺硅InGaN和掺硅GaN的光学性质的研究被引量:5
2004年
采用光致发光方法研究了采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上生长的掺硅InGaN和掺硅GaN材料的光学性质。在室温下,InGaN材料带边峰位置为437.0nm,半高宽为14.3nm;GaN材料带边峰位置为363.4nm,半高宽为9.5nm。进行变温测量发现,随温度的升高,两种材料的发光强度降低,半高宽增大;GaN材料的带边峰值能量位置出现红移现象,与Varshini公式符合较好;InGaN材料的带边峰值能量位置则出现红移 蓝移 红移现象,这与InGaN材料的局域态、热效应以及由于电子 空穴对的形成而造成的无序程度增加有关,对大于140K的峰值能量位置的红移用Varshini公式拟合,符合较好。
康凌刘宝林蔡加法潘群峰
关键词:INGANGAN红移蓝移
4H--SiC p--i--n紫外光电探测器的制备及其特性研究
蔡加法
GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制
2007年
用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜,并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明,探测器在-5 V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352 nm附近达到响应峰值,并在364 nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21A/W.
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关键词:GAN紫外探测器
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