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PTCDA纯度对PTCDA/p-Si光电探测器性能的影响
2021年
本文研究不同纯度的PTCDA制备的PTCDA/p-Si光电探测器的制备和性能。研究结果表明:PTCDA纯度越高,制备的探测器暗电流越小,光电流越大。制备的探测器的正向电流–电压特性越好,呈二极管特性曲线。而且探测器的反向暗电流越小,其反向光电流也越小。
李霞张盛东王静王静张浩力
关键词:PTCDA纯度光电探测器I-V特性
有机分子PTCDAP型Si单晶(100)晶面的生长机理
2018年
PTCDA的分子结构及其化学键的形成进行了分析,并讨论了晶面指数(100)Si单晶的晶格结构。在此基础上,评述了PTCDA分子在P-Si单晶(100)晶面上生长的机理,并制备了样品PTCDA/P-Si(100)。利用XRD对样品测试得出,在P-Si(100)晶面上沉积的PTCDA薄膜中仅存在α物相。利用XPS对样品测试得出,在其界面层中PTCDA酸酐中的4个羟基O原子与C原子结合,其结合能为532.4 e V;苝核基团外围的8个C、H原子以共价键结合,其结合能为289.0 e V;在界面处,悬挂键上的Si原子与PTCDA酸酐中的C、O原子结合,形成C—Si—O键及C—Si键,构成了界面层的稳定结构。
张旭张杰张福甲
PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析被引量:1
2014年
在光电探测器PTCDA/P-Si芯片的有机层表面,成功制作出了比接触电阻为4.5×10-5Ω·cm2的低阻欧姆接触层。利用X射线光电子能谱(XPS)对Al/Ni/ITO的欧姆接触层界面的电子状态进行了测试和分析。结果表明,ITO中的In3d及Sn3d各出现两个分裂能级的谱峰,它们是In和Sn原子处于氧化环境的结合能。Ni2p有两个谱峰Ni2p(1)及Ni2p(2),低结合能位置Ni2p(1)对应于Ni原子被X射线激发产生的谱峰,说明NiITO之间没有发生化学反应,Ni层阻止了Al层被氧化成Al2O3;高结合能Ni2p(2)谱峰说明已形成了Al3Ni冶金相,有利于低阻欧姆接触层的形成。
张旭张杰闫兆文周星宇张福甲
关键词:反应机理X射线光电子能谱
PTCDA/P-Si异质结光电探测器低阻欧姆电极芯片
本实用新型公开了一种PTCDA/P-S异质结光电探测器低阻欧姆电极芯片,包括铝电极层、P-Si衬底、PTCDA层和ITO膜,ITO膜的表面设有经溅射、光刻和腐蚀后形成的镍柱;镍柱的表面设有经溅射、光刻和腐蚀后形成的铝柱。...
张旭
文献传递
PTCDA/p-Si异质结势垒区特性理论的研究被引量:2
2008年
有机半导体材料苝四甲酸二酐(PTCDA)是弱p型半导体材料,其载流子浓度为5×1015/cm3,禁带宽度为2.2eV,可与多种材料形成异质结.详细计算了PTCDA/p-Si异质结势垒形成的电势分布,电场分布和电流-电压(伏安)特性,计算结果与实验结果一致.
张旭
关键词:异质结电势分布电场分布伏安特性
Growth Mode of PTCDA on p-Si Substrates
2007年
AFM scanning images of the surface of a PTCDA/p-Si specimen used in an organic/inorganic photodetector show that PTCDA grows in island shapes that are poorly distributed, with each island shaped like a round hillock. The images also show that there exist enormous defects in the PTCDA layer due to pedestal sites and other defects that appear when Si atoms shift transversely, and that the bonding condition is satisfied by the action of atom suspension bonding at the surface of the Si substrate. We infer the growth mode of PTCDA deposited onto p-Si substrates as follows. First,PTCDA molecules assemble at the defects to form three-dimensional island-like PTCDA crystal nuclei, and then by the action of delocalized big π bonding, two adjacent layers of PTCDA molecules overlap to some extent and finally island-like structures form. The PTCDA molecules and Si substrate combine by a process of the combination of benzene rings with Si atoms at the defects and of acid anhydride radicals with Si atoms at the perfect fraction of the surface. In the course of combination, although the structure of the benzene rings does not change, the chemical reaction of acid anhydt'ide radicals and Si occurs to break off the C=O bond in the acid anhydride, and then C-Si-O and silicon oxide might be produced.
宋珍欧谷平刘凤敏
关键词:PTCDAAFM
Characteristics of surface and interface for ITO/PTCDA/p-Si thin film device
2006年
Interface characteristics possess very important influence on the performance of thin film devices. ITO/ PTCDA/p-Si thin film device was set up with vacuum evaporation and sputter deposition method. The surface and interface electron states of ITO/PTCDA/p-Si were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and argon ion beam etch techniques. Results indicate that at the interface of ITO/PTODA/p- Si,not only ITO/PTCDA-Si but also PDCDA-Si can produce diffusion. Moreover, the XPS spectra of each atom appear chemical shifts, and the chemical shifts of C1s and O1s are more remarkable.
ZHENG Dai-shunZHANG XuQIAN Ke-yuan
关键词:表面性质接口界面光电子
PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究
2006年
利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDAP-Si(100)形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理。
张福甲冯煜东李东仓胥超
关键词:AFM表面形貌衬底温度
ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的表面和界面特性研究被引量:3
2006年
界面态对于薄膜器件的性能具有非常重要的影响。有米用真空蒸发和溅射沉积的方法制备了ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件,并采用X射线光电子能谱(XPS)和Ar+溅射技术对其表面和界面电子态进行了研究。结果表明,在ITO/PTCDA/p-Si薄膜器件的界面,不仅ITO与PTCDA薄膜之间存在扩散,PTCDA与Si衬底材料之间也存在扩散现象。此外,每种原子的XPS谱表现出一定的化学位移,并以C1s和O1s谱的化学位移最为显著。
郑代顺张旭钱可元
关键词:化学位移
p-Si基PTCDA生长模式的AFM和XPS研究被引量:3
2005年
对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品的表面进行得AFM扫描看出,PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷。原因是p-Si(100)衬底的表面原子悬挂键的作用,使硅原子横向移动满足键合需要形成台阶和其它缺陷引起的。将样品表面的XPS全谱及精细谱与表面的AFM扫描图进行对比分析,得出PTCDAp-Si基底上的生长模式,即:PTCDA首先在缺陷处聚集,形成许多三维岛状的PTCDA晶核,然后在PTC-DA离域大π键的作用下,相邻的两层PTCDA分子存在一定程度的交叠,最终形成岛状结构。与硅衬底原子结合的过程为:苝环与缺陷处的Si原子结合,而酸酐基团与表面完整处的Si结合。结合时,苝环结构保持不变,而酸酐基团与Si发生化学反应,使酸酐中的C O键断开,形成O Si C和硅氧化物。对PTCDA/p-Si样品的界面的XPS全扫描谱和精细图谱进行分析后,进一步验证了PTCDAp-Si基底上的生长模式。
宋珍刘凤敏欧谷平甘润今张福甲
关键词:PTCDAAFMXPS

相关作者

张福甲
作品数:110被引量:209H指数:8
供职机构:兰州大学
研究主题:AFM XPS PTCDA GAP 有机场效应晶体管
张旭
作品数:82被引量:93H指数:6
供职机构:兰州大学
研究主题:干旱荒漠 微生物 PTCDA/P-SI 嗜盐 XPS
王德明
作品数:12被引量:20H指数:3
供职机构:兰州大学物理科学与技术学院
研究主题:GAP PTCDA/P-SI 光电探测器 P- 发光效率
何锡源
作品数:7被引量:26H指数:3
供职机构:兰州大学物理科学与技术学院
研究主题:XPS PTCDA/P-SI 有机发光器件 光电探测器 AFM
李东仓
作品数:62被引量:131H指数:6
供职机构:兰州大学
研究主题:反应堆 中子通量 单片计算机 自给能探测器 堆芯