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InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究综述: 2024年; 本文综述了InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺研究。从湿法和干法刻蚀的物理化学机理以及参数调控等方面进行分析,旨在阐明工艺条件对台面形貌的影响,以抑制带隙较窄的长波和甚长波超晶格表面漏电流。结果表明,湿法刻蚀中恰当的腐蚀液配比可以实现两种组分的均匀性刻蚀,而不会导致粗糙的表面和严重的下切;干法刻蚀中,采用Cl_(2)基和CH 4基混合气体,通过调整刻蚀气体类型及比例可实现物理和化学刻蚀两个过程的平衡,保证台面侧壁平滑性和倾角的垂直度。另外,对于不同组分的超晶格,需要选择不同的工艺参数才能满足InAs和GaSb的协同性刻蚀。最后对InAs/GaSb超晶格台面刻蚀工艺作出了展望。; 张翔宇蒋洞微贺雯王金忠; 关键词：INAS/GASB超晶格湿法刻蚀干法刻蚀

InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料的Si离子注入研究: 2024年; Ⅱ类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300℃ 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。; 何苗周易周易梁钊铭黄敏王志芳朱艺红廖科才王楠陈建新; 关键词：离子注入平面结 HRXRD

界面特性对InAs/GaSb Ⅱ型超晶格光学性质影响理论研究: 2024年; InAs/GaSb Ⅱ型超晶格是中红外谱段光电子器件的核心结构,其Ⅱ型能带排列特点使电子、空穴在实空间分离而跨过界面,其非公共原子构型使得界面态丰富。我们在Burt-Foreman包络函数理论的基础上,讨论了不同界面态对超晶格电子能态和波函数的调控作用。理论计算表明,超晶格缓变界面和界面势两种不对称界面态分布,都会导致重空穴带的自旋劈裂,而只有施加界面势时才会使得轻空穴带发生自旋劈裂。此外,研究了改变阱宽和改变势垒时超晶格体系带隙的变化趋势。结果表明,随着势垒厚度增大,陡峭界面和缓变界面两种界面态下的带隙计算结果逐渐降低,并且随着厚度增加带隙趋于收敛,而界面势下的带隙计算结果随着势垒厚度的增大而增大,与前两者呈现相反的趋势,这为中红外超晶格器件的精确设计提供了可参考的理论基础。; 马泽军李远朱申波程凤敏刘俊岐刘俊岐翟慎强王利军陈涌海翟慎强刘舒曼卓宁; 关键词：锑化物超晶格界面态

一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法及InAs/GaSb超晶格: 本发明提供了一种优化InAs/GaSb红外超晶格的制备方法，包括：对GaSb衬底除气；对GaSb衬底进行脱氧处理；在脱氧处理后的GaSb衬底上，生长GaSb缓冲层；在GaSb缓冲层上，生长InAs/GaSb超晶格，其中，...; 祝连庆刘昭君张东亮柳渊鹿利单郑显通

1280×1024元InAs/GaSb II类超晶格中/中波双色红外焦平面探测器: 2024年; 本文报道了1280×1024元InAs/GaSb II类超晶格中/中波双色红外焦平面阵列探测器的研究结果。探测器采用PN-NP叠层双色外延结构,信号提取采用叠层双色结构和顺序读出方式。运用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料,双波段红外吸收区的超晶格周期结构分别为中波1:6 ML InAs/7 ML GaSb和中波2:9 ML InAs/7 ML GaSb。焦平面阵列像元中心距为12μm。在80 K时测试,器件双波段的工作谱段为中波1:3~4μm,中波2:3.8~5.2μm。中波1器件平均峰值探测率达到6.32×10^(11) cm·Hz^(1/2)W^(-1),中波2器件平均峰值探测率达到2.84×10^(11) cm·Hz^(1/2)W^(-1)。红外焦平面偏压调节成像测试得到清晰的双波段成像。本文是国内首次报道1280×1024规模InAs/GaSb II类超晶格中/中波双色红外焦平面探测器。; 白治中黄敏徐志成周易梁钊铭姚华城陈洪雷丁瑞军陈建新; 关键词：焦平面 INAS/GASB 超晶格

一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法: 本发明提供了一种在GaSb衬底上外延生长InAs/GaSb II类超晶格的方法，包括如下方法步骤：S1、取厚度为500μm的两英寸的GaSb衬底置于分子束外延设备的生长腔；S2、对GaSb衬底升温至300℃进行高温除气，...; 祝连庆陈雨豪鹿利单董明利何彦霖陈伟强张旭

一种InAs/GaSb红外探测器及其制备方法: 本发明提供了一种InAs/GaSb红外探测器，包括GaSb衬底，以及在GaSb衬底上依次生长的GaSb缓冲层、InAs/GaSb超晶格下接触层和InAs/GaSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格上接触层和InAs盖...; 祝连庆刘昭君董明利张东亮鹿利单

InAs/GaSbⅡ类超晶格APD死区长度计算方法: 本发明提供了InAs/GaSbⅡ类超晶格APD死区长度计算方法，首先定义InAs/GaSbⅡ类超晶格雪崩光电二极管物理模型中的物理参数、材料参数和初始条件；选择合适的散射机制；跟踪记录一个粒子每一次发生碰撞电离时的位置，...; 陈建新杨通

一种InAs/GaSb长波红外超晶格的制备方法及表征方法: 本发明提供了一种InAs/GaSb长波红外超晶格的制备方法包括如下方法步骤：S1、将GaSb:GaTe衬底加热到300℃除气10分钟；S2、在520℃且富Sb生长的束流下，对GaSb:GaTe衬底脱氧10分钟；S3、降低...; 祝连庆龚蕊芯鹿利单董明利何彦霖陈伟强陈光

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