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- 王科 夏远洋 李亦衡 朱廷刚
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- 陈瑶
- 关键词:碳掺杂PCB击穿缓冲层
- 一种具有高阻GaN缓冲层的HEMT及其制备方法
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- 刘波亭张恺玄叶昌隆房育涛蔡文必
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- 一种具有GaN缓冲层衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法
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- 掺Fe高阻GaN缓冲层特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究被引量:1
- 2016年
- 利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构.对Cp_2Fe流量不同的高阻Ga N特性进行了研究.研究结果表明,Fe杂质在Ga N材料中引入的Fe^(3+/2+)深受主能级能够补偿背景载流子浓度从而实现高阻,Fe杂质在Ga N材料中引入更多起受主作用的刃位错,也在一定程度上补偿了背景载流子浓度.在一定范围内,Ga N材料方块电阻随Cp_2Fe流量增加而增加,Cp_2Fe流量为100 sccm(1 sccm 1mL min)时,方块电阻增加不再明显;另外增加Cp_2Fe流量也会导致材料质量下降,表面更加粗糙.因此,优选Cp_2Fe流量为75 sccm,相应方块电阻高达×10?/,外延了不同掺Fe层厚度的Al Ga N/Ga N HEMT结构,并制备成器件.HEMT器件均具有良好的夹断以及栅控特性,并且增加掺Fe层厚度使得HEMT器件的击穿电压提高了39.3%,同时对器件的转移特性影响较小.
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- 关键词:FE掺杂高电子迁移率晶体管
- ECR-PEMOCVD在GaN缓冲层/金刚石薄膜/Si多层膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法
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- 作品数:842被引量:589H指数:10
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- 研究主题:GAN 氮化镓 蓝宝石 氢化物气相外延 衬底
- 王占国
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- 作品数:711被引量:682H指数:13
- 供职机构:中国科学院半导体研究所
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