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掺铁GaN缓冲和GaN微波功率器件的外延生长方法
本发明属于GaN微波功率器件技术领域,具体涉及掺铁GaN缓冲和GaN微波功率器件的外延生长方法。本发明采用有机金属化学气相沉积法在SiC单晶衬底上生长AlN形核;然后在所述AlN形核上生长掺铁GaN缓冲:反应室的...
王科 夏远洋 李亦衡 朱廷刚
掺铁GaN缓冲和GaN微波功率器件的外延生长方法
本发明属于GaN微波功率器件技术领域,具体涉及掺铁GaN缓冲和GaN微波功率器件的外延生长方法。本发明采用有机金属化学气相沉积法在SiC单晶衬底上生长AlN形核;然后在所述AlN形核上生长掺铁GaN缓冲:反应室的...
王科 夏远洋 李亦衡 朱廷刚
基于碳掺杂的GaN缓冲击穿特性研究
硅衬底的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT on Si)具有高效率、高频率、高的临界击穿场强、耐高温和低成本等特点,目前在HEMT的阈值电压、电流崩塌、击穿场强、亚阈值摆幅、可靠性等方面取得了突破。但是其在器件的...
陈瑶
关键词:碳掺杂PCB击穿缓冲层
一种具有高阻GaN缓冲的HEMT及其制备方法
本发明公开了一种具有高阻GaN缓冲的HEMT及其制备方法,从下至上依次包括衬底、AlN成核、应力调控、高阻、GaN沟道、AlN插入、势垒和GaN帽。本发明采用In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑...
刘波亭张恺玄叶昌隆房育涛蔡文必
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一种具有GaN缓冲衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法
一种具有GaN缓冲衬底的GaN基LED外延结构,包括自下而上依次设置的GaN缓冲衬底、N‑GaN、多量子阱和P‑GaN;所述GaN缓冲衬底是利用HVPE法在蓝宝石、Si或SiC衬底上生长的非故意掺杂的GaN缓...
张恒曲爽王成新徐现刚张雷郝霄鹏
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一种具有高阻GaN缓冲的HEMT及其制备方法
本发明公开了一种具有高阻GaN缓冲的HEMT及其制备方法,从下至上依次包括衬底、AlN成核、应力调控、高阻、GaN沟道、AlN插入、势垒和GaN帽。本发明采用In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑...
刘波亭张恺玄叶昌隆房育涛蔡文必
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一种石墨烯基底上生长高质量GaN 缓冲的制备方法
本发明揭示了一种在石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲的制备方法,首先准备一衬底,在衬底上制备石墨烯薄;然后在石墨烯薄上生长GaN缓冲;所述GaN缓冲上生长有本征GaN,所述GaN缓冲包括低温GaN缓冲与高温...
南琦王怀兵王辉吴岳傅华
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一种具有GaN缓冲衬底的GaN基LED外延结构及其制备方法
一种具有GaN缓冲衬底的GaN基LED外延结构,包括自下而上依次设置的GaN缓冲衬底、N-GaN、多量子阱和P-GaN;所述GaN缓冲衬底是利用HVPE法在蓝宝石、Si或SiC衬底上生长的非故意掺杂的GaN缓...
张恒曲爽王成新徐现刚张雷郝霄鹏
掺Fe高阻GaN缓冲特性及其对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件的影响研究被引量:1
2016年
利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上制备了掺Fe高阻Ga N以及Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)结构.对Cp_2Fe流量不同的高阻Ga N特性进行了研究.研究结果表明,Fe杂质在Ga N材料中引入的Fe^(3+/2+)深受主能级能够补偿背景载流子浓度从而实现高阻,Fe杂质在Ga N材料中引入更多起受主作用的刃位错,也在一定程度上补偿了背景载流子浓度.在一定范围内,Ga N材料方块电阻随Cp_2Fe流量增加而增加,Cp_2Fe流量为100 sccm(1 sccm 1mL min)时,方块电阻增加不再明显;另外增加Cp_2Fe流量也会导致材料质量下降,表面更加粗糙.因此,优选Cp_2Fe流量为75 sccm,相应方块电阻高达×10?/,外延了不同掺Fe厚度的Al Ga N/Ga N HEMT结构,并制备成器件.HEMT器件均具有良好的夹断以及栅控特性,并且增加掺Fe厚度使得HEMT器件的击穿电压提高了39.3%,同时对器件的转移特性影响较小.
王凯邢艳辉韩军赵康康郭立建于保宁邓旭光范亚明张宝顺
关键词:FE掺杂高电子迁移率晶体管
ECR-PEMOCVD在GaN缓冲/金刚石薄膜/Si多膜结构基片上低温沉积InN薄膜的制备方法
&lt;b&gt;本发明属于新型光电材料沉积制备技术领域,提供一种可制备电学性能良好的&lt;/b&gt;&lt;b&gt;InN&lt;/b&gt;&lt;b&gt;光电薄膜且成本低的&lt;/b&gt;&lt;b&g...
张东王存旭宋世巍王健王刚李昱材
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张进成
作品数:1,015被引量:112H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:SUB 成核 势垒层 氮化镓 电极
郝跃
作品数:2,547被引量:1,223H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
郑有炓
作品数:709被引量:545H指数:10
供职机构:南京大学
研究主题:GAN 氮化镓 衬底 蓝宝石 MOCVD
张荣
作品数:842被引量:589H指数:10
供职机构:南京大学
研究主题:GAN 氮化镓 蓝宝石 氢化物气相外延 衬底
王占国
作品数:711被引量:682H指数:13
供职机构:中国科学院半导体研究所
研究主题:量子点 量子级联激光器 砷化镓 衬底 分子束外延