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高Al组分AlGaN/AlN/GaN量子级联结构的MOCVD外延研究: 2024年; 阐述高Al组分差的GaN/AlN/AlGaN量子级联紫外-红外双色探测结构的设计,并用MOCVD外延实现过程。通过MOCVD监控分析GaN/AlN/AlGaN量子级联结构生长状况,发现外延AlGaN层的整体Al组分偏低。随后用SEM观测样品表面形貌存在凸起,从截面测量各个结构厚度符合设计,用Cary7000分光光度计测试得到279nm以及1 700~1 900nm双色吸收峰。; 吴粤川邓文娟; 关键词：量子级联

Al组分含量对CuZnAl催化剂CO加氢制乙醇和高级醇性能影响: 2024年; 随着原油储量的减少和环境问题的加剧,迫切需要寻找生产燃料和化学品的新技术。Cu基催化剂是合成气直接制乙醇和高级醇(C_(2+)醇)的重要催化剂之一,但存在目标产物选择性低的问题。采用完全液相法制备了一系列不同Al组分含量(n(Al)/n(Zn)计)的CuZnAl催化剂(Cat-Alx),结合X射线衍射、N_(2)吸/脱附和H_(2)-程序升温还原等对催化剂的物相组成、织构性质和还原性能等进行了表征。在模拟浆态床反应器中研究了Cat-Alx对CO加氢制乙醇和C_(2+)醇反应的催化性能。结果表明,Cat-Al0.8表面具有最丰富的Cu^(+)物种以及较多的氧空位,表现出相对最优的催化性能。在280℃、4 MPa和V(H_(2))/V(CO)=2/1的条件下反应24 h,Cat-Al0.8的CO转化率为18.45%,总醇选择性为30.34%,乙醇在总醇中的占比为30.19%,C_(2+)醇在总醇中的占比为48.08%。; 高梦迪武璐瑶郝家荣黄伟; 关键词：完全液相法乙醇高级醇

基于x射线的AlGaN层Al组分测定方法: 本发明公开一种基于x射线的AlGaN层Al组分测定方法，包括如下步骤：S1、对GaN的(114)晶面进行XRD的2θ‑ω扫描，计算AlGaN(114)晶面的面间距测量值d<Sub>测</Sub>；S2、对AlGaN层中的...; 朱明兰左万胜胡新星仇成功赵海明钮应喜袁松王丽多

Al组分阶梯型渐变电子阻挡层深紫外LED性能研究: 2024年; 为减少电子泄漏改善发光性能,本文基于深紫外发光二极管(LED)提出了一种Al组分阶梯型渐变电子阻挡层(EBL)结构.通过数值研究,对比分析了不同EBL结构对深紫外LED发光性能的影响规律.结果表明,相较于传统EBL结构的深紫外LED(样品A),Al组分阶梯型渐变EBL结构的深紫外LED(样品B、样品C)最大内量子效率(IQE)分别提高了7.9%、14.2%,光输出功率(LOP)在200 mA下分别提升了73.3%、80.1%.这是因为Al组分阶梯型渐变EBL结构有效改善了EBL处极化效应引起的电场强度,进而减少了电子泄漏.; 陈颖黄丽莹张悦冯镜如钟伟; 关键词：极化效应电子阻挡层光输出功率

低接触电阻高Al组分氮化物器件及其制备方法: 本发明公开了一种低接触电阻高Al组分氮化物及其制备方法，该氮化物器件包括：衬底、依次位于衬底一侧的成核层、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层，以及位于势垒层远离衬底一侧的钝化层、源电极、漏电极和栅电极；其中，源电极和漏电极，...; 马晓华芦浩邓龙格杨凌侯斌武玫张濛郝跃

一种GaN量子点掺杂渐变高Al组分的p型AlGaN材料及其制备方法: 本申请提供的GaN量子点掺杂渐变高Al组分的p型AlGaN材料及其制备方法，包括自下至上依次层叠设置的衬底、AlN缓冲层、AlN/AlGaN超晶格应力释放层、Al组分固定的本征AlGaN层、GaN量子点渐变Al组分p型层...; 孙晓娟秦子越蒋科黎大兵贲建伟张山丽石芝铭

分子束外延高Al组分AlGaN薄膜及Si掺杂研究: 2023年; 实现电学性能优良的高Al组分AlGaN外延层是制备深紫外光电器件最重要的环节之一。本工作利用分子束外延(MBE)技术,基于周期热脱附的生长方式,通过改变Al源供应量调控Al组分,并用Si进行n型掺杂,在AlN/蓝宝石衬底上得到了系列高Al组分的Si-Al_(x)Ga_(1-x)N外延层(x>0.60)。对外延层相关物理性质进行了表征测试,结果表明,外延层Al组分与生长过程中Al束流大小呈现线性关系,这为制备精确Al组分的AlGaN外延层奠定了基础。AFM结果表明,高Al组分AlGaN外延层的表面形貌强烈依赖于Ga的供应量,在生长过程中提高Ga束流可以显著降低外延层的粗糙度。基于范德堡法测量Si-AlGaN外延层电学性能,证实其载流子特性良好,其中Al组分为0.93的样品室温下自由电子浓度、电子迁移率和电阻率分别达到了8.9×10^(18)cm^(-3)和3.8 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)和0.18Ω·cm。; 梁潇李思琦王中伟邵鹏飞陈松林陶涛谢自力刘斌陈敦军郑有炓张荣王科; 关键词：分子束外延

高Al组分AlGaN高压功率器件的研究: 通过改变Al元素的摩尔分数,AlGaN材料的禁带宽度可以在3.4 e V（Ga N的禁带宽度）到6.2 e V（AlN的禁带宽度）之间调节。直接带隙半导体材料的临界电场强度（E）和禁带宽度（E）之间有经验公式E=1.73...; 王捷英; 关键词：高压功率器件肖特基二极管 MOSFET

硅基高Al组分AlGaN/GaN毫米波器件研究: 随着无线通信频谱朝着毫米波、太赫兹等更高频段不断发展,射频收发前端对于核心元器件射频功率放大晶体管的要求越来越高。相比于第一代半导体硅、第二代半导体砷化镓和磷化铟材料研制的射频晶体管,第三代半导体材料氮化镓（GaN）由于...; 杜航海; 关键词：毫米波器件高电子迁移率晶体管线性度

范德华外延高Al组分AlGaN/GaN HEMT结构及特性研究: AlGaN/GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）的强极化作用使其具有高电子迁移率和高电子浓度等特点,是当前高频高功率应用场景下的一种主流的半导体器件。随着对二维电子气浓度等要求的不断提高,提高势垒层的Al组分是增加二维...; 赵江林; 关键词：氮化镓薄膜

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