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- 一种薄膜铌酸锂光波导芯片的抛光方法
- 本发明提供了一种薄膜铌酸锂光波导芯片的抛光方法。该方法包括在薄膜铌酸锂光波导芯片表面沉积保护层、涂覆光刻胶、切割、去胶和刻蚀抛光的步骤，所述刻蚀抛光的抛光液含有NH<Sub>4</Sub>OH和H<Sub>2</Sub>...
- 侯松岩 肖浩轩 张佳骏 许梦芳 刘志宏 张进成 游淑珍 郝跃
- 一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法
- 本发明公开了一种钛扩散铌酸锂光波导的制备方法，包括在铌酸锂基片表面形成一层具有导电性能的导电薄膜；利用光刻工艺在所述导电薄膜的表面形成一第一钛条沉积窗口和光刻胶波导掩膜结构；对导电薄膜进行第一次腐蚀，在导电薄膜上对应于所...
- 富松张洪波华勇
- 基于铌酸锂光波导的宽带超快脉冲表征(特邀)
- 2024年
- 基于铌酸锂光波导平台的横向-频域分辨光学开关方法已被证明具有精确、原位、全参量表征光子芯片中飞秒光脉冲的能力。因此,进一步验证了该种方法在超快脉冲表征技术的宽带工作特性。得益于横向光学二倍频的可宽带工作优势,该技术可以在非常宽的光谱范围(150 nm)内适用。实验结果表明,该种技术对不同波长光脉冲的原位测量均表现出了优异的灵敏度和信噪比。进一步地,该种方法成功测量了经光子晶体光纤展宽后的未知脉冲,显示出其在表征复杂光脉冲的应用潜力。
- 伦逸鹏黄星照李彦潼虞华康李志远
- 关键词：铌酸锂超短光脉冲二次谐波产生
- 一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构
- 本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光...
- 钱广唐杰周奉节孔月婵姜文海陈堂胜
- 一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构
- 本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构，该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底；InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，缓冲层和衬...
- 钱广顾晓文王琛全孔月婵姜文海陈堂胜
- 一种气相质子交换铌酸锂光波导模斑转换器的制备方法
- 本发明提供一种气相质子交换铌酸锂光波导的模斑转换器，包括：铌酸锂(LN)衬底、气相质子交换锥形波导、气相质子交换直波导、阻挡片；气相质子交换锥形波导的波导宽度遵循余弦规律，由宽至窄变化，收窄至与气相质子交换直波导相连，连...
- 朱赟
- 一种Z切钛扩散铌酸锂光波导图形的制备方法
- 2024年
- Z切铌酸锂晶体具有明显的热释电效应,该效应会影响在其表面光刻钛扩散波导图形的质量,进而影响波导的光参数。本文创新性提出一种Z切钛扩散铌酸锂光波导图形的制备方法,通过引入导电薄膜,有效地削弱了热释电效应的影响,进一步提升了Z切钛扩散铌酸锂光波导的图形质量,最终制备出的Z切钛扩散铌酸锂光波导传输损耗仅为0.09dB/cm,50mm长光波导芯片光纤到光纤的平均插入损耗仅为1.84dB,片内非均匀性优于±5.9%。
- 富松曾建张洪波华勇杨千泽张征
- 关键词：钛扩散
- 薄膜铌酸锂光波导器件的研究进展(特邀)被引量：1
- 2024年
- 铌酸锂材料因其宽的透明窗口、成熟的波导制作工艺,以及优异的电光效应,在过去几十年中被广泛应用于制作高性能光波导电光调制器与电光开关。近年来,随着高质量薄膜铌酸锂的商品化,研究人员又开发了多种高性能的薄膜铌酸锂光波导器件,这些器件的性能已经远远超过了传统块状铌酸锂波导器件。本文主要梳理了近年来薄膜铌酸锂平台上的光波导、光栅耦合器、边缘耦合器、电光调制器及可调谐滤波器的研究进展,简要讨论了现阶段薄膜铌酸锂光波导器件面临的挑战。
- 姚昊王梦柯邓佳瑶孙宇哲吴杰云陈开鑫
- 关键词：集成光学电光效应光学滤波器
- 一种铌酸锂光波导制造方法
- 本发明涉及光通信技术领域，具体公开了一种铌酸锂光波导制造方法，包括以下步骤：S1：准备铌酸锂晶圆，制备各掩模层并涂覆光刻胶；S2：通过光刻工艺将掩模层上的光波导图形转移至光刻胶上；S3：干法刻蚀氧化层并进行刻蚀截止检测、...
- 郑煜唐昕段吉安
- 一种基于薄膜铌酸锂光波导的偏振旋转结构
- 本发明属于光波导技术领域，尤其涉及一种基于薄膜铌酸锂光波导的偏振旋转结构包括：波导结构，所述波导结构包括BOX层、薄膜铌酸锂光波导平板区，所述BOX层顶端与所述薄膜铌酸锂光波导平板区底端固定连接，所述薄膜铌酸锂光波导平板...
- 陶诗琦袁帅孙昊骋
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- 孙军强
- 作品数：259被引量：483H指数：10
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- 王健
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- 供职机构：华中科技大学
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- 周钰杰
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- 谭松
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