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量子级联激光器: 本发明涉及量子级联激光器。一种量子级联激光器，包括：半导体器件部，所述半导体器件部具有衬底、半导体层压件和半导体绝缘部，半导体层压件具有主表面，衬底具有背表面和衬底端面，半导体层压件具有层压件端面，半导体绝缘部和衬底被设...; 桥本顺一

一种量子级联激光器: 本发明提供一种量子级联激光器，包括由下至上依次设置的衬底、下波导层、下限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上限制层以及上波导层；其中，所述量子级联激光器包括两个布拉格反射镜以及两个增益区，两个所述布拉格反射镜以及两个...; 管延娇王利军卓宁张锦川翟慎强刘舒曼刘俊岐刘峰奇

一种量子级联激光器: 本发明提供了一种量子级联激光器，包括衬底以及若干设置在所述衬底上的量子级联发光单元，所述量子级联发光单元包括依次叠层设置的下波导层、有源层和上波导层，若干所述量子级联发光单元阵列排布并形成光学拓扑绝缘体。本发明的量子级联...; 董瑞

一种量子级联激光器及其制备方法: 本发明涉及激光发射领域，特别是涉及一种量子级联激光器及其制备方法，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、级联区、上波导层及上限制层；所述下限制层及所述上限制层为n型InAsSb层，所述下波导层及所述上波导层为n型Al...; 王鹏

量子级联激光器热仿真与分析: 2024年; 针对大功率量子级联激光器对高散热能力的迫切需求,文章通过有限元法建立了常见器件结构的二维散热模型。在设置的热沉温度为293 K、波长为8.3μm、波导宽为8μm、发热功率为12.4 W的器件模型中,研究了不同器件散热结构和封装结构对量子级联激光器的温度及热通量分布的影响,进而评价器件的散热能力。结果表明,正焊无电镀金双沟道脊器件、正焊有电镀金双沟道脊器件和倒焊器件的最高温度分别为546,409和362 K。在掩埋异质结器件中,正焊无电镀金器件、正焊有电镀金器件、倒焊器件的最高温度分别为404,401和361 K。与使用铜底座相比,使用金刚石底座的掩埋异质结倒焊器件有源区的最高温度为355 K。对模型热通量分布进行了分析,发现掩埋异质结器件的热量分布更加均匀,有源区温度更低,这表明掩埋异质结更适合高功率器件。; 林青华张东亮王锐张程程罗明馨祝连庆; 关键词：量子级联激光器温度分布

一种用于量子级联激光器的散热装置: 本发明涉及一种用于量子级联激光器的散热装置，包括微通道散热部件和冷却部件，微通道散热部件一面安装量子级联激光器，另一面设有导热通道且与冷却部件贴合，冷却部件完全覆盖并密封导热通道；导热通道为波浪结构，内部通有冷却液。与现...; 焦宏飞张锦龙李冬冬黄君哲钮信尚汲小川夏菁菁顿雄程鑫彬王占山

中红外可调谐量子级联激光器研究进展: 2024年; 量子级联激光器(QCL)是中红外波段重要的激光光源,其中,可调谐中红外量子级联激光器具有单纵模、频率可调谐的优点,成为目前研究的热点。可调谐中红外量子级联激光器主要通过分布反馈(DFB)光栅、分布布拉格反射(DBR)光栅、外腔衍射光栅等方法实现。本文介绍了中红外量子级联激光器的基本原理,分别归纳、总结了近年来DFB、DBR可调谐量子级联激光器以及外腔可调谐量子级联激光器的研究进展,讨论了各种可调谐方法的优缺点。最后,对可调谐量子级联激光器的发展趋势进行了展望。; 刘莹蒋涛杨奇王雪敏湛治强邹蕊矫罗佳文樊龙陈风伟吴卫东; 关键词：量子级联激光器可调谐布拉格光栅中红外

MOCVD生长的中红外高功率量子级联激光器: 2024年; 量子级联激光器(QCL)是中远红外波段的优质光源,具有体积小、重量轻、电光转化效率高等诸多优势,在传感、通信和国防等领域有重要的应用前景。金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为更高效的外延方式,应发展适用于QCL的MOCVD外延生长技术以满足快速增长的市场需求。本文报道了全结构由MOCVD技术外延的QCL,通过将传统的“双声子共振”有源区结构修订为“单声子共振结合连续态抽取”结构,减少了电子的热逃逸,改善了器件的温度特性。针对该结构,进一步改变了有源区的掺杂浓度,并对比了不同掺杂浓度对器件性能的影响。腔长8 mm、平均脊宽约6.7μm的较高掺杂有源区器件在20℃下连续输出功率达3.43 W,中心波长约4.6μm,电光转化效率达13.1%;8 mm腔长的较低掺杂有源区器件在20℃下连续输出功率达2.73 W,中心波长约4.5μm,阈值电流仅0.56 A,峰值电光转化效率达15.6%。器件的输出功率和电光转化效率较之前文献报道的MOCVD制备的QCL有明显提高。该结果表明,MOCVD完全具备生长高功率QCL的能力,这对推动QCL的技术进步具有重要意义。; 杨鹏昌李曼孙永强程凤敏翟慎强刘峰奇张锦川; 关键词：量子级联激光器中红外高功率金属有机物化学气相沉积

一种混合集成中红外锁模量子级联激光器: 本发明公开一种混合集成中红外锁模量子级联激光器，包括第一芯片、第二芯片和基板热沉，所述第一芯片和第二芯片混合集成于所述基板热沉上，所述第一芯片与所述第二芯片耦合工作；所述第一芯片包含增益区和调制区，所述增益区被配置为在直...; 王雪娣卢翠翠王若彤

一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法: 本发明公开了一种判断量子级联激光器快速退火效果的方法，采用示波器测量量子级联激光器在脉冲工作模式下的电压波形，通过调整电流脉冲宽度，获得不同电流脉冲宽度下的电压波形，根据电压波形前端是否出现明显尖峰，从而判断量子级联激光...; 王雪敏杨奇湛治强蒋涛邹蕊娇陈风伟舒琳阎大伟彭丽萍樊龙张继成罗跃川吴卫东

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