搜索到77篇“ 自发辐射谱“的相关文章
- 非均匀静电场中的相对论原子束的自发辐射谱的规范依赖
- 2024年
- 规范理论要求物理观测与规范无关。然而,自从兰姆注意到原子自发辐射光谱计算中的规范选择问题以来,在许多物理研究领域中都遇到了规范依赖问题。因此,检验各种物理系统规范对称性的自洽性就显得尤为重要。本文计算了非均匀静电场中相对论性氢原子的瞬态自发辐射谱。参考我们之前研究的相对论非微扰库仑场中自发辐射谱的规范依赖性(其中辐射物体是静态的而电荷是相对论运动的),本文所研究的物理系统是该项研究工作的参考系变换版本。对于常用的库仑、洛仑兹和多极规范,本文得到的峰值频率对于“σ型”可以相差330kHz;对于“π型”可以相差372 kHz或更大。这一结果不仅对于理论上研究规范场与量子系统的相互作用具有重要意义,而且对于实际的实验应用,例如外部电磁场中原子钟的定时精度也具有重要意义。
- 罗宇航陈雪楠陈相松
- InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱的解析函数被引量：1
- 2017年
- 利用洛伦兹线型函数、高斯线型函数和Sech线型函数对InP/InGaAsP多量子阱自发辐射谱进行拟合,采用莱文贝格-马夸特算法,得到上述三种函数的解析表达式.研究结果表明:高斯线型光谱拟合函数的中心波长为1548.651nm,谱线半极大全宽度为61.42 nm,功率补偿为0.00212 mW,拟合优度为0.99191,残差平方和为2.26505×10^(-6).高斯线型拟合的拟合优度最大,残差平方和最小,且各数据点的残差值分布在±0.0001之间,分布比较均匀.高斯线型函数具有较高拟合度.
- 刘志勇陈海燕
- 关键词：自发辐射谱
- 基于半导体相干介质中的自发辐射谱的研究
- 在耦合量子阱中，我们研究自发辐射光谱的性能，它们呈现了一些有趣的物理现象。这些物理现象归咎于量子干涉中的通道之间的竞争。半导体量子阱的提出使目前工作更简单，并且那些期待的物理现象如谱线变窄、谱线增强、激光无反转光放大等都...
- 张萍
- 关键词：半导体量子阱量子干涉自发辐射谱
- 简并态锗在大注入下的自发辐射谱模拟
- 2017年
- 基于费米狄拉克模型模拟了应变、温度以及掺杂对简并态锗的直接带自发辐射谱的影响.随着温度升高,更多的电子被激发到导带中,使得锗自发辐射谱的峰值强度和积分强度随温度的升高而增大.对自发辐射谱峰值强度的m因子进行计算,结果表明张应变可以显著提高锗自发辐射的温度稳定性.在相同应变水平下,由Γ-hh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度大于Γ-lh跃迁引起的自发辐射谱峰值强度,但二者的积分强度几乎相等.此外,计算结果还证明了n型掺杂能显著提高锗的自发辐射强度.以上结果对于研究简并态半导体的自发辐射性质有重要的参考意义.
- 汪建元林光杨王佳琪李成
- 关键词：掺杂
- 外场失谐和拉比频率的改变对三能级原子自发辐射谱的研究
- 2016年
- 本文是建立一个三能级原子模型,在外界加入一个光场和一个真空场,利用重要的光与原子相互作用的半经典理论,全量子理论和缀饰态理论等的理论基础计算不同参数作用下的波函数和本征方程,进而写出辐射谱的解析表达式,利用matlab绘图软件进行数值模拟改变不同的参量绘制出不同的荧光谱线,深入地研究存在外场作用的三能级原子的自发辐射特性,该模型中改变外加光场的拉比频率Ω0和光与原子能级间的失谐量Δ可以实现对自发辐射谱线有效地调控,由自发辐射谱线出现的加强和猝灭等谱线变化特征,并且有效分析它们是如何影响自发辐射谱特性的,其在光谱分析实验中有潜在应用价值。本篇文章的研究可以更好的服务于更复杂的模型的研究。
- 张萍陈爱喜
- 关键词：自发辐射谱
- 外腔面发射激光器自发辐射谱的热特性
- 2016年
- 热效应是限制外腔面发射激光器(VECSEL)输出功率和光束质量的主要原因。为了优化VECSEL增益芯片有源区量子阱的设计,降低激光器的热效应,提高斜效率和输出功率,采用光致荧光谱方法,对设计波长980nm VECSEL自发辐射谱的热特性进行了实验研究。取得了不同热沉温度下边发射和面发射谱随温度的变化数据。结果表明,反映有源区量子阱自身特性的边发射谱峰值波长随温度升高的红移速率是0.5nm/K,而受到增益芯片多层结构调制的面发射谱峰值波长随温度升高的红移速率只有0.1nm/K;由于受到VECSEL增益芯片中微腔的限制,面发射谱分离为多个模式,分别与微腔的腔模对应。可见对量子阱的发射波长及微腔腔长做预偏置优化处理,可以显著改善激光器的输出性能。
- 詹小红朱仁江蒋茂华胡平崔玉亭张鹏
- 关键词：激光器热特性
- 掺铒光纤自发辐射谱的解析函数被引量：1
- 2015年
- 利用980nm半导体激光器作为泵浦源,测量了25cm掺铒光纤的ASE(自发辐射)谱特性,采用L-M(莱文伯-马克特)算法和最小二乘法对实验数据进行拟合,得到了掺铒光纤ASE谱的经验公式。研究结果表明,掺铒光纤ASE谱双峰的中心波长分别为1 530.951和1 555.964nm,R-square(拟合优度)的值达到0.980 72,残差平方和值为4.447 69×10-9。
- 黄凯强王勇黎琦黄春雄陈海燕
- 关键词：掺铒光纤自发辐射谱函数拟合
- 波荡器谐波场增强效应对电子自发辐射谱的影响
- 2011年
- 有效利用电子束在波荡器中运动时产生的谐波辐射,是获得更短波长辐射最直接的方法之一。提高波荡器磁场的谐波分量可以提高电子束的谐波辐射光场强度。分析了一种改进Halbach型波荡器结构,计算了其磁场的构成,分析表明这种结构可以使磁场的三次谐波分量提高至基波分量的25%左右。以合肥光源的电子束参数为例,计算了波荡器磁场谐波分量增强后对电子束自发辐射谱的影响。计算结果表明,波荡器磁场谐波分量增强至25%时,可以使电子束自发辐射的三次谐波辐射增强至基波辐射光子通量的67%左右。
- 耿会平贾启卡
- 关键词：波荡器谐波辐射辐射谱
- 损耗腔中二能级原子的自发辐射谱
- 2010年
- 研究了耗散真空腔场中二能级单原子的辐射谱。推导出了原子辐射谱的一般表达式。讨论了腔的耗散系数以及在考虑腔耗散之后测量时间对辐射谱的影响。结果表明:当腔耗散系数增大时,峰的相对高度迅速减小,且数目减少;当腔耗散一定时,只有选择适当的测量时间,辐射谱才显现出比较明显的量子特性。
- 王海军高云峰苏伟
- 关键词：量子光学辐射谱二能级原子
- 左手材料对原子的自发辐射谱的影响
- ＜正＞本文主要研究了V型Zeeman原子在含左手材料F-P腔中自发辐射谱的性质。由于左手材料的聚焦和相位补偿效应,将真空中没有量子相干的V型Zeeman原子放入含左手材料F-P腔中会产生很强的量子相干效应。原子的自发辐射...
- 曾小东于明章羊亚平
- 文献传递
相关作者
- 姜孟瑞
- 作品数：32被引量：29H指数：3
- 供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院
- 研究主题：自由电子激光 N 自发辐射谱 COMPTON散射 倍频效应
- 刘金英
- 作品数：38被引量：56H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学
- 研究主题：光学速调管 储存环 自由电子激光 合肥储存环 CCD
- 杜国同
- 作品数：386被引量：656H指数：14
- 供职机构：吉林大学
- 研究主题：ZNO薄膜 ZNO 半导体发光器件 氧化锌薄膜 MOCVD
- 徐宏亮
- 作品数：108被引量：134H指数：6
- 供职机构：中国科学技术大学
- 研究主题：合肥光源 储存环 光学速调管 合肥储存环 电子储存环
- 张玉书
- 作品数：36被引量：8H指数：2
- 供职机构：吉林大学
- 研究主题：光纤光栅 传感器 火焰水解法 增益平坦 紫外写入
