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金属氧化物型阻变存储器编程方案的优化设计
2024年
近年来,随着半导体技术的快速发展及各种智能产品的普及,消费者对存储器的性能要求越来越高,但经过几十年的快速发展,目前主流的非易失性存储器尺寸已逼近物理极限。阻变存储器(RRAM)因其良好的扩展性、更低的功耗、更快的操作速度,成为未来新型非易失性存储器的主要候选者之一。阻变存储器虽然展现出巨大的应用潜力,但目前技术还不够成熟,主要表现在器件可靠性不足。提出并验证了一种优化的脉冲编程方案,不需要特别的工艺或电路设计,通过脉冲编程波形的优化改善了RRAM器件阻值的均一性。
张峻豪
关键词：非易失性存储器编程方案均一性可靠性
用于3D交叉点存储器降低时延并增加阵列大小的新阵列布局和编程方案
一种三维存储器包括：布置成两个部分的位线触点，第一部分位线触点在靠近存储单元阵列的第一边缘的位置处耦接到位线，而第二部分位线触点在靠近存储单元阵列的第二边缘的位置处耦接到位线；以及，布置成两个部分的字线触点，第一部分字线...
刘峻
用于存储器装置中的边缘数据字线的编程方案
本申请涉及一种用于存储器装置中的边缘数据字线的编程方案。在编程操作期间，存储器装置中的控制逻辑使编程电压在脉冲持续时间周期内施加到存储器阵列的块的多个字线中的选定数据字线。所述控制逻辑进一步使第一通过电压在所述脉冲持续时...
H-Y·陈卢景煌
用于3D交叉点存储器降低时延并增加阵列大小的新阵列布局和编程方案
一种三维存储器包括：布置成两个部分的位线触点，第一部分位线触点在靠近存储单元阵列的第一边缘的位置处耦接到位线，而第二部分位线触点在靠近存储单元阵列的第二边缘的位置处耦接到位线；以及，布置成两个部分的字线触点，第一部分字线...
刘峻
文献传递
用于固态存储器中经改善电压分布的编程方案
公开了用于使用编程暂停命令减少固态存储器中的编程干扰的系统和方法。一种数据存储系统包含：非易失性存储器阵列，其包含多个非易失性存储器器件；以及控制器，其被配置成对耦合至第一字线的第一单元进行部分编程。当满足与所述第一单元...
H·李D·赵Y·孙K·S·施特弗G·梁
文献传递
用于固态存储器中经改善电压分布的编程方案
公开了用于使用编程暂停命令减少固态存储器中的编程干扰的系统和方法。一种数据存储系统包含：非易失性存储器阵列，其包含多个非易失性存储器器件；以及控制器，其被配置成对耦合至第一字线的第一单元进行部分编程。当满足与所述第一单元...
H·李D·赵Y·孙K·S·施特弗G·梁
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电流驱动主动矩阵有机发光二极管显示器的电压编程方案
提供了一种驱动AMOLED显示器的系统和方法。AMOLED显示器包括多个像素电路。采用电压编程方案、电流编程方案或其组合来驱动显示。可获取阈值偏移信息和/或获得混合驱动电路必需的电压。可执行数据采样以获得电流/电压关系。...
A.内森R.黄S.亚历山大
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源侧非对称预充电编程方案
一种用于编程NAND闪速单元的方法，用于在允许随机页面编程操作的同时最小化编程应力。该方法包括从正偏置的源极线非对称预充电NAND串，而将位线从NAND串去耦合，随后，施加编程电压到选择的存储器单元，并且之后应用位线数据...
金镇祺潘弘柏
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源侧非对称预充电编程方案
一种用于编程NAND闪速单元的方法，用于在允许随机页面编程操作的同时最小化编程应力。该方法包括从正偏置的源极线非对称预充电NAND串，而将位线从NAND串去耦合，随后，施加编程电压到选择的存储器单元，并且之后应用位线数据...
金镇祺潘弘柏
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用于闪速存储器的多页编程方案
一种电路和方法，用于在单个编程操作周期中将多个比特的数据编程到闪速存储器单元。要编程到闪速存储阵列的一个物理页内的多个数据页被存储在存储器装置上的页缓冲器或其他存储部件中。在不同的时间间隔使用预定编程配置来驱动连接到要编...
金镇祺
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