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一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法
本发明公开了一种测量半导体薄膜材料禁带宽度的方法,包括:标定步骤、测试步骤和计算步骤。该方法通过将紫外光电子能谱技术和反光电子能谱技术相结合,不仅能直接获得半导体薄膜材料价带顶、导带底的位置,或直接获得半导体薄膜材料最高...
王珊珊杜建新朱城张鹏翔彭绍春于晓勇高培峰向卓
禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法、氧化石墨烯半导体薄膜及其应用
本发明提供了禁带宽度可调节的氧化石墨烯半导体薄膜的制备方法、氧化石墨烯半导体薄膜及其应用。所述制备方法包括以下步骤:采用超声雾化喷涂的方式将氧化石墨烯溶液喷涂至基底的表面,并同步进行热处理,制备得到禁带宽度可调节的氧化石...
金奕千彭苏萍杨志宾熊星宇
局域共振弹性超材料梁禁带宽度的拓宽方法
2024年
针对传统局域共振弹性超材料存在禁带宽度窄的问题,引入非均匀分布振子设计方法,在不改变振子总质量的前提下实现了禁带拓宽。首先,采用谱元法(SEM)建立通用弹性超材料梁模型,对单、双层均匀振子超材料梁结构的振动传递特性进行分析;然后,保持振子总质量相等,提出单、双层非均匀振子超材料梁的设计策略;最后,搭建实验装置对所提结构的振动抑制性能进行测试。研究结果表明:振子间的特征频率差异越大,最终形成的禁带宽度越宽,但禁带范围内的频响曲线会大幅波动,此时可通过加入适当阻尼进行抑制,使禁带曲线变得平稳;对于双振子超材料梁,振子的质量比和阻尼均会对结构的禁带特性产生影响,在振子与梁质量相同的条件下,单层非均匀及均匀振子超材料梁可分别形成带宽为440、68 Hz的禁带,双层非均匀及均匀振子超材料梁可分别形成带宽为395、40 Hz的禁带。研究表明所提超材料结构能够有效实现振动抑制,可为周期结构的振动问题提供一种新的调控方法。
王岗万少可洪军李乐乐刘硕李小虎
关键词:谱元法
一种具有禁带宽度渐变调制的肖特基二极管及制备方法
本发明公开了一种具有禁带宽度渐变调制的肖特基二极管及制备方法,二极管包括:衬底层;AlN成核层位于衬底层上;GaN缓冲层位于AlN成核层上;调制层位于器件一端的GaN缓冲层上;其中,调制层包括下层AlGaN调制层、上层A...
汪瑛张晓贝甘雪涛闫柯柯
特定掺杂浓度半导体禁带宽度的机器学习预测
半导体掺杂体系一直以来是半导体物理研究的重要内容,材料计算为半导体掺杂体系的研究提供了重要的工具。然而,对于低掺杂浓度的体系,其电子性质的研究依然比较困难。除掺杂浓度外,半导体的电子性质也受掺杂位点影响。目前,机器学习已...
唐宇奇
关键词:禁带宽度第一性原理
金属掺杂对ZnO和MoSe2禁带宽度与光催化性能的影响
过渡金属二硫族化物和氧化物半导体材料作为电子和催化领域的新兴材料,在传感器、柔性电子、润滑剂、催化和电子器件等方面有着广泛的应用。本文通过固相法制备了铁掺杂氧化锌(Fe-ZnO)和钨掺杂二硒化钼(MoWSe)三元半导体材...
孙恩奇
关键词:固相法金属掺杂禁带宽度光催化
不同禁带宽度催化剂协同低温等离子体氧化NO_(x)
2023年
由于催化剂协同低温等离子体法脱除氮氧化物效果显著,通过研究制备了WO_(3)、ZnO、NiO、CdS和Cu_(2)O共5种禁带宽度不同的催化剂,通过SEM、XRD、Raman等表征方式,对比了与低温等离子体联合催化氧化NO与NO_(x)的性能。实验得出:P型半导体对NO_(x)去除效果较差,N型半导体对NO_(x)的去除具有明显效果;氧化效率由大到小依次为CdS、WO_(3)、ZnO,这与其禁带宽度值正好相反;CdS对NO、NO_(x)的氧化效率分别为98.4%、84.4%,并且CdS循环再利用的催化性能效果依旧。阐明了等离子体和催化剂对反应过程的具体影响和二者之间的耦合作用。经过放电催化后的样品,借助离子色谱测定其表面的NO_(3)^(-)与NO_(2)^(-),有利于深入了解此类协同机制。
郭子妮屈吉艳罗建洪
关键词:等离子体催化剂禁带宽度
一种测量光伏组件禁带宽度的方法
本发明公开了一种测量光伏组件禁带宽度的方法,属于太阳能电池物性分析技术领域,包括:首先,在户外环境下,对光伏组件输出的电流‑电压特性进行连续测量,记录多组数据和测量时的组件温度。其次,利用所获得的电流‑电压数据,建立三二...
许杰赵海坤任青颖陈德媛李卫
薄膜介质材料本征禁带宽度的确定方法、装置及设备
本申请提供了一种薄膜介质材料本征禁带宽度的确定方法、装置、及设备,其中,该方法包括:对待测量单晶或多晶态薄膜介质材料进行椭偏测量,得到椭偏测量参数;基于预先构建的测量模型,生成椭偏模拟参数;根据椭偏测量参数以及椭偏模拟参...
胡建平王健许乔张飞唐明
一种Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜禁带宽度调控的工艺方法
本发明公开了一种Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜禁带宽度调控的工艺方法,采用共溅射法,选择合适的掺杂剂,实现了Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>薄膜禁带宽度的可控调节。将Ga...
王梦倩王世琳黄浩斐邓洁刘尊龚恒玥贺新柳唐可汪琳王林军黄健

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褚君浩
作品数:835被引量:1,041H指数:13
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:铁电 铁电薄膜 红外探测器 HGCDTE HG
黄志明
作品数:219被引量:494H指数:10
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:钴 红外探测器 探测器 宽波段 氧
胡志高
作品数:99被引量:42H指数:4
供职机构:华东师范大学
研究主题:掩膜版 铁电薄膜 光学性质 光学常数 电极
高相东
作品数:164被引量:236H指数:8
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题:衬底 气凝胶 氧化锌薄膜 ZNO 衬底温度
李效民
作品数:178被引量:190H指数:8
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所
研究主题:衬底 氧化锌薄膜 ZNO薄膜 光致发光 ZNO