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- 本发明属于环硅氧烷合成技术领域，具体涉及含硅氢环硅氧烷的合成工艺。所述工艺为：在含有P=O键的磷化合物与少量质子酸存在下，使用1,3‑二长链烃基‑1,1,3,3‑四甲基二硅氧烷为封端剂，将甲基氢二氯硅烷水解物进行裂解得到...
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- 一种高纯度低环硅氧烷含量的乙烯基硅油制备方法
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- 低介电有机环硅氧烷/聚苯醚杂化层压基板的制备方法
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- 一种提高六甲基环三硅氧烷在环硅氧烷混合物中含量的方法和除雾器
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- 环硅氧烷聚合物薄膜的等离子体刻蚀和区域选择性沉积
- 随着集成电路行业的发展,芯片的特征尺寸不断缩小,尤其在先进节点的芯片制造方面,对于材料的选用及其纳米加工方法提出了越来越高的要求。在后端互连制造中,由于互连线尺寸的减小,电阻电容增大导致的信号延迟问题对器件性能和可靠性的...
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- 关键词：等离子体刻蚀
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- 一种二甲基环硅氧烷连续脱水装置
- 本实用新型属于二甲基环硅氧烷脱水技术领域，尤其为一种二甲基环硅氧烷连续脱水装置，针对现有设备内部设置加压部件，导致物料通过自重进行下落、位移进行脱水行为，出现脱水效率低下的问题，现提出如下方案，其包括脱水箱，脱水箱的一侧...
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