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极几何结构对MIS结构常关p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响
2025年
高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistors,HEMTs)具有高速开关和极高击穿电场等特性,在功率器件领域应用广泛。为提高HEMT器件性能,通过实验研究了极几何结构对具有金属/绝缘体/半导体(MIS)结构的常关型p-GaN/AlGaN/GaN HEMTs性能的影响。极介质层采用5 nm厚的原位生长AlN,AlN/p-GaN界面呈现出更明显的能带弯曲和更宽的耗尽区,有利于阈值电压向正向偏移,且其相对较宽的能带错位有助于抑制极电流。实验结果表明:与极非覆盖区长度为0μm和6μm的MIS极相比,非覆盖区长度为3μm的MIS极可提高器件综合性能,有效抑制正向极电流,将阈值电压提高至3 V,并较好地保持电流密度为46 mA/mm;结构中两侧没有极覆盖的区域在导通过程和导通状态下均可引起较大的沟道电阻,且沟道电阻随着非覆盖区长度增加而上升。
都继瑶
分裂结构的制备方法
本发明提供一种分裂结构的制备方法,在确保氮化硅层总厚度的前提下,将氮化硅层的制备分为两次生长及两次刻蚀,且在两次刻蚀之间,对氧化硅层进行一次干法刻蚀,以基于干法刻蚀的各向异性的特点可保证隔离侧墙底部氧化硅层不被侧掏,减...
张云皓
铅酸电池正极板结构的改进
2024年
优化电池板结构可延长电动自行车用铅酸电池的寿命。对电动自行车用铅酸电池的板进行研究,解剖失效电池并对板进行分析,发现板靠近上部的筋条腐蚀严重,而靠近底部的筋条基本完好。对板结构进行设计优化,以均匀板电位和优化板截面,加强重点腐蚀区域的强度,实现板均匀腐蚀和板强度增加,延长电池寿命。板优化后,电池的循环次数从428次增加至633次。
戚红月董炎军张巡蒙苑景春陈绍林张育红
关键词:铅酸电池板栅正极板栅电池寿命
一种自对准叠结构及其制造方法
本发明提供了一种自对准叠结构及其制造方法,应用于半导体领域中。具体提出了一种新的叠结构,且该叠结构中的控制的形状为沿垂直方向增大面积后的侧墙状,而形成该特殊形状的控制的工艺为自对准刻蚀工艺,即在无需增加光刻工艺...
王卉曹子贵
结构碳化硅MOSFET及其制造方法
本发明公开了一种分结构碳化硅MOSFET及其制造方法。该分结构碳化硅MOSFET包括台面,第一导电类型的衬底、外延层和源区,第二导电类型的阱区、体区和电场调制区,隔离介质呈爬坡状。通过电场调制区实现对分结构介质的...
杨晓磊 张跃 宋晓峰 黄润华 李士颜 陈谷然 柏松 杨勇
可抑制角区分离的压气机叶结构
本实用新型公开了一种可抑制角区分离的压气机叶结构,包括:叶主体、通风室、进气孔和出气槽,其中,所述叶主体包括压力面和吸力面,所述通风室设置于所述叶主体的内部且关于所述叶主体的50%叶高等高线轴对称倾斜设置,所述...
米瀚沁徐文峰邹世龙唐雪馨陈洁怡李傲
一种具有复合结构的SiC超结MOSFET器件
本发明涉及一种具有复合结构的SiC超结MOSFET器件,属于半导体器件技术领域。该器件的复合由平面分裂、垂直槽型分裂组成,其中平面分裂由氧化层将传统平面隔离而形成,可减少极与漏极的耦合面积以减少反馈电容和...
陈伟中肖宇凡周扬淇
一种顶结构的制备方法及半导体结构
本发明提供一种顶结构的制备方法及半导体结构,该制备方法包括以下步骤:提供一基底,并依次形成石墨烯层、介质层、至少一电极层及支撑层;将由介质层、电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离;将叠层结构转移至...
狄增峰刘冠宇薛忠营田子傲张苗
一种三结构半浮晶体管的制作方法
本发明涉及一种三结构半浮晶体管的制作方法,涉及半导体集成电路制造技术,该方法包括衬底以及在衬底上有源区中形成N型掺杂深阱以及U形槽;在U形槽中形成第一结构;第一极与有源区形成接触口;在包含第一极的衬底上先后沉...
杨志刚刘珩孟晓莹冷江华关天鹏
纳米线结构、荧光各向异性增强装置及其制备方法
本发明提供了一种纳米线结构、荧光各向异性增强装置及其制备方法。该纳米线结构为多个条状结构线平行排布形成,且其结构参数为:线周期300‑800纳米,线宽度50‑400纳米;所述多个条状结构线厚度为40‑60纳米...
韩春蕊齐月静王宇叶剑挺

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黄如
作品数:1,253被引量:361H指数:11
供职机构:北京大学
研究主题:场效应晶体管 晶体管 沟道 存储器 超大规模集成电路
梁仁荣
作品数:223被引量:9H指数:2
供职机构:清华大学
研究主题:沟道 场效应晶体管 晶体管 半导体结构 栅结构
王敬
作品数:330被引量:98H指数:6
供职机构:清华大学
研究主题:沟道 半导体结构 场效应晶体管 晶体管 栅结构
郝跃
作品数:2,547被引量:1,223H指数:13
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
马晓华
作品数:823被引量:137H指数:6
供职机构:西安电子科技大学
研究主题:电极 势垒层 栅电极 高电子迁移率晶体管 氧化镓