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一种低温晶片直接方法
本发明涉及晶片直接技术领域,提供的是一种利用低温技术将InP基材料到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片,在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后,再对InP和Si分别进行表面除杂质离子...
赵洪泉于丽娟黄永箴
文献传递
晶片直接过程中实验参数的优化方法
本发明涉及晶片直接技术领域,提供的是一种通过实验和计算结果对III/V-Si晶片直接技术中的几个关参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接过程主要包括四个阶段,即:晶片...
赵洪泉于丽娟黄永箴
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一种低温晶片直接方法
本发明涉及晶片直接技术领域,提供的是一种利用低温技术将InP基材料到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片,在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后,再对InP和Si分别进行表面除杂质离子...
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晶片直接过程中实验参数的优化方法
本发明涉及晶片直接技术领域,提供的是一种通过实验和计算结果对III/V-Si晶片直接技术中的几个关参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接过程主要包括四个阶段,即:晶片...
赵洪泉于丽娟黄永箴
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晶片直接所需表面粗糙度条件被引量:4
2007年
根据JKR接触理论,推导出晶片直接晶片接触表面粗糙度需要满足的条件,其中晶片接触表面粗糙度的描述是基于缝隙长度和缝隙高度的正弦波模型.分析结果表明,晶片直接的条件与无量纲参数α有关.以硅片为例,根据参数α可以把硅片分为三种类型硅片直接(α>1.065);在外压力作用下(0.57<α<1.065)和有空洞产生的(α<0.57).实验数据与理论结果吻得很好.
马子文汤自荣廖广兰史铁林
关键词:直接键合
基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接被引量:4
2006年
晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片直接,质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.
王慧郭霞梁庭刘诗文高国沈光地
关键词:晶片直接键合GAASGAN光电子集成
晶片直接过程中实验参数的优化方法
本发明涉及晶片直接技术领域,提供的是一种通过实验和计算结果对Ⅲ/V-Si晶片直接技术中的几个关参数进行优化的方法。本发明中以单面抛光的Si和InP晶片为例进行阐述。晶片直接过程主要包括四个阶段,即:晶片清洗...
关键词:
关键词:晶片
一种低温晶片直接方法
本发明涉及晶片直接技术领域,提供的是一种利用低温技术将InP基材料到Si表面的方法。单面抛光的Si和InP晶片,在通过有机溶剂去除覆盖在表面的一层疏水性的有机物的处理后,再对InP和Si分别进行表面除杂质离子...
关键词:
应用GaAs/GaN晶片直接技术制备新型单芯片白光发光二极管
王慧
亚毫安阈值的1.3μm垂直腔面发射激光器被引量:4
2009年
设计并研制了室温连续工作的单模1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL),阈值电流为0.51mA,最高连续工作温度达到82℃,斜率效率为0.29W/A.采用InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱作为有源增益区,由晶片直接技术融InP基谐振腔和GaAs基GaAs/Al(Ga)As分布布拉格下反射腔镜,并由电子束蒸发法沉积SiO2/TiO2介质薄膜上反射腔镜形成1.3μmVCSEL结构.讨论并分析了谐振腔模式与量子阱增益峰相对位置对器件性能的影响.
劳燕锋曹春芳吴惠桢曹萌龚谦
关键词:垂直腔面发射激光器晶片直接键合

相关作者

劳燕锋
作品数:56被引量:52H指数:4
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:垂直腔面发射激光器 应变多量子阱 INASP/INGAASP 磷化铟 晶片直接键合
吴惠桢
作品数:186被引量:208H指数:7
供职机构:浙江大学
研究主题:垂直腔面发射激光器 PBTE 晶体薄膜 分子束外延 X
曹萌
作品数:31被引量:22H指数:3
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:垂直腔面发射激光器 应变多量子阱 干法刻蚀 气态源分子束外延 VCSEL
梁庭
作品数:264被引量:378H指数:9
供职机构:中北大学
研究主题:压力传感器 高温压力传感器 无线无源 MEMS 光纤
龚谦
作品数:111被引量:102H指数:6
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
研究主题:分子束外延 量子点激光器 激光器 衬底 量子点