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一种高电流密度晶格失配太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种高电流密度晶格失配太阳能电池及其制备方法，采用外延生长技术，在最接近衬底的那个子电池的基区与发射区之间生长具有一定带隙组合的应变补偿量子阱结构。该量子阱所采用的材料光学带隙低于与其毗邻的基区和发射区材料光...
高熙隆刘建庆刘雪珍宋欣慰刘恒昌
一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法
本发明公开了一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法，属于二维材料制备技术领域，包括以下步骤：S1、按照所述的量和比例称量层状三硫化钛晶体和金属单质颗粒，混合后作为原料，单质碘为输运剂；S2、将原料和单质碘一同加入反应容...
程自强吴钟章崔山川程广玲罗昕王烨青刘志敏
一种二维钛基晶格失配层状化合物的制备方法
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一种应用于晶格失配多结太阳能电池的DBR结构
本发明公开了一种应用于晶格失配多结太阳能电池的新型DBR结构，为叠置于晶格渐变缓冲层之上的GaInNAs/AlGaInAs周期结构，由GaInNAs、AlGaInAs两种合金材料组成，GaInAs子电池叠置于该GaInN...
高熙隆刘建庆刘雪珍宋欣慰刘恒昌
一种具有大晶格失配的共格双相高强韧中熵合金及其制备方法
本发明公开了一种具有大晶格失配的共格双相高强韧中熵合金及其制备方法。通过在多主元合金CoCrFeNiAl中添加具有较大原子半径的L1<Sub>2</Sub>相形成元素Ta，在保持相界共格关系的基础之上，较大幅度的提高了面...
黄平王飞王冰凯
一种降低晶格失配的GaN HEMT功率器件
本发明公开了一种降低晶格失配的GaN HEMT功率器件，属于半导体技术领域，器件包括从下至上依次连接的第三衬底、第二中间层、缓冲层、GaN层和AlGaN层；所述AlGaN层上设置有源极、漏极和栅极，其中，所述源极、漏极均...
王中健曹远迎
一种晶格失配四结量子阱太阳电池
本发明公开了一种晶格失配四结量子阱太阳电池，自下而上依次包括：GaAs衬底、GaAs缓冲层、Ga<Sub>0.5</Sub>In<Sub>0.5</Sub>P阻挡层、GaAs接触层、(Al<Sub>h</Sub>Ga<S...
张启明万荣华高伟张宝高慧张文涛马长金刘长喜
一种锗基晶格失配四结太阳电池
本发明公开了一种锗基晶格失配四结太阳电池，属于太阳电池技术领域，其特征在于，自下而上依次包括：锗衬底、GaInP成核层、GaInAs缓冲层、第一隧穿结、(AlGa)<Sub>1‑b</Sub>In<Sub>b</Sub>...
张恒孙强刘如彬张启明
一种晶格失配度的遍历计算方法及装置
本发明公开了一种晶格失配度的遍历计算方法及装置，属于材料结构表征及建模计算技术领域。该方法包括：S1：分别导入预设的第一物相以及第二物相的poscar文件，输入各物相的预设考虑元素，获得与第一物相对应的第一原胞以及与第二...
张志波谭杰麟陈苏坚李升康楷雯宋秋福郑开宏宋东福
改善晶格失配的发光二极管及其制备方法
本公开提供了一种改善晶格失配的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延叠层，所述外延叠层包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述第二半导体层远离所述第一半导体层的表面具有露出...
王绘凝栗伟冯岩王顺陆香花梅劲王江波
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郝跃
作品数：2,494被引量：1,198H指数：13
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研究主题：势垒层 电极 场板 高电子迁移率晶体管 氮化镓
张进成
作品数：973被引量：103H指数：6
供职机构：西安电子科技大学
研究主题：成核 SUB 势垒层 高电子迁移率晶体管 电极
孙强
作品数：128被引量：50H指数：4
供职机构：中国电子科技集团公司第十八研究所
研究主题：太阳能电池 电池 太阳电池 砷化镓 隧道结
董建荣
作品数：180被引量：16H指数：2
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：电池 隧道结 太阳能电池 衬底 光伏电池
杨辉
作品数：334被引量：32H指数：4
供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
研究主题：电池 太阳能电池 衬底 隧道结 太阳电池